对通孔消失机理的研究以及相应的解决方案

通孔消失是困扰半导体生产的难点之一.它与产品的生产合格率息息相关,正因为如此这一问题一直摆在业界工程师面前.由于这一问题的成因较多,故在分析和解决问题上存在诸多困扰.本文实验并分析了多种通孔消失的实效模型,结合先进的缺陷测试手段对其给出了不同的解决方案.此外,对相应的光刻胶也进行了研究并将缺陷密度与光刻胶的分辨率相联系,通过研究发现较低的分辨率的光刻胶的缺陷密度也相应较低.     

获得精细通孔图形的光刻技术改进

为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20 %~25 %。在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小。     

KrF光刻工艺实现110nm以及更先进的技术节点

随着芯片价格的降低,为了获得更多的利润,业界必须不断向着更小（芯片尺寸）和更大（硅片面积）迈进。尽管300mm硅片与ArF光刻技术的组合已经成为了110nm以下先进工艺的主流,但是200mm硅片及KrF光刻技术以其成熟的技术、低廉的价格也在这一领域占有一席之地。由此,如何在110nm以下的技术中选择使用KrF光刻技术取代主流的ArF光刻技术成为了业界共同关心的话题。就光学复杂性本身而言,使用KrF光刻技术实现90nm技术节点,其K1因子已经达到了惊人的0.29,这与使用ArF光刻技术实现65nm技术节点可谓旗鼓相当。本文着重评估和研究了90nm技术节点上,KrF光刻技术实现多晶硅栅电极、金属1和接触孔的工艺表现。基于实验数据发现,基于先进的KrF光刻技术可以量产90nm工艺。     

GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节,通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连。在通孔刻蚀工艺中,微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响。微掩模将阻碍GaAs刻蚀,形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等,造成后续背面金属接触不良、粘附不牢,进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数,最终影响器件性能及可靠性。分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理,通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题,从而提高了器件性能及可靠性。     

普通玻璃光刻版对产品成品率影响的研究

介绍了半导体工艺中光刻版的重要作用,特别针对在实际工艺中使用普通玻璃材质光刻版对产品造成的成品率波动问题。通过对大量实验中失效现象的分析总结,找出波动产生的原因,并且根据实际采集数据进一步验证。最后得出结论:由于使用普通玻璃光刻版,使该产品的对位一直处于临界状态;当在单台设备上作业时,由于不存在设备之间的匹配问题,因而没有发生大规模的良率波动问题;但是,当使用多台设备交叉作业时,就不可避免地发生了良率的波动。     

通孔对金属连线温度分布的影响

详细讨论了考虑通孔自热的金属连线温度分布模型,并通过该模型,计算了不同通孔直径和高度情况下,单一及并行金属连线的温度分布。计算结果表明,通孔直径和通孔高度及并行金属连线间的热耦合对金属连线温度分布有重大的影响。     

基于通孔双面分步填充的TSV制备方法

以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D集成技术是未来高密度封装的主导技术,但是现有的TSV制备技术需依赖高难度的技术和昂贵的设备。提出了一种通孔双面分步填充工艺,先将通孔的一端电镀封口,然后再从另外一端进行电镀填充。此方法避免了难度很高的大深宽比孔中的种子层制备和自底向上的电镀工艺,降低了加工难度。通过工艺改进解决了狭缝缺陷和凸起/空洞缺陷问题,得到了无孔隙的填充孔径为30μm、孔深为300μm、深宽比为10∶1的TSV阵列。通过电学实验测量了所得TSV的电阻。实验结果证明了其填充效果和导电能力,为实现超小型化封装提供了新的技术思路。     

通孔回流焊技术的研究

文章介绍了通孔回流焊的概念、特点、分类和使用工艺要点。通孔回流焊是现代组装技术的新概念,它的出现促进了SMT（表面贴装技术）的发展,并为PCB设计者提供了新的工艺选择。可以确信通孔回流焊将会被更多地应用于电子组装上,成为一种具有竞争力的焊接技术。     

通孔回流焊技术的研究

介绍了通孔回流焊的概念、特点、分类和使用工艺要点。选择性焊接是现代组装技术的新概念,它的出现促进了SMT(表面贴装技术)的发展,并为PCB设计者提供了新的工艺选择。可以确信选择性焊接将会被更多地应用于电子组装上,成为一种具有竞争力的焊接技术。     

ULSI中金属互连系统上的热点分析

针对金属互连系统上的热点将对集成电路芯片的性能和可靠性产生重大的影响,详细讨论了ULSI金属互连系统上的热点位置和温度分布模型,并通过该模型比较了不同通孔直径和高度情况下,金属互连系统上的热点位置和温度的差别。结果表明,通孔直径和高度对金属互连系统上的热点有重大的影响。     

玻璃通孔技术研究进展

近年来,随着5G、可穿戴设备、智能手机、汽车电子、人工智能等新兴领域蓬勃兴起,集成电路应用正向着多元化应用方向发展,先进三维封装技术也逐渐成为实现电子产品小型化、轻质化、多功能化的重要手段.玻璃通孔(TGV)互连技术具有高频电学特性优异、成本低、工艺流程简单、机械稳定性强等应用优势,在射频器件、微机电系统(MEMS)封...     

导通孔填充简介

文章介绍了导通孔的电镀填充的几种影响因素，重点介绍了电镀液中的添加剂的作用及其对填孔效果的影响。     

LIGA工艺的发展及应用

介绍了LIGA(lithographie,galvanoformungandabformung)技术以及在此基础上开发出来的准LIGA(like－LIGA)技术、SLIGA(sacrificialLIGA)、M2LIGA(movingmaskLIGA)技术和抗蚀剂回流LIGA(PRLIGA———photoresistreflowLIGA)技术等。利用这一系列LIGA技术,可以生成具有高深宽比的复杂微结构,如微尖阵列、球形曲面、活动部件等,能较好地满足MEMS发展的需要。最后指出了目前这些方法存在的缺陷。     

微波单片电路中通孔的建模

分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性.设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数.发现对截圆锥结构的通孔,用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36%.设计了一个14-18 GHz、增益大于17 dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路,验证了模型的准确性.     

基于双面盲孔电镀的硅通孔工艺研究

针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了 一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程.该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155 μm、直径为41μm的TSV结构.使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测...     

盲埋孔印刷板制作难度的测量方法探究

盲埋孔印制板产品因为其可实现高密度、小尺寸而成为目前印制板的主流产品之一,不仅普通刚性印制板有盲埋孔的设计,而且刚-挠印制板、挠性印制板、微波印制板(特种材料)、埋入电容印制板也采用了盲埋孔的设计,更有尖端的设计是在背板中加上了盲埋孔的设计,印制板的设计越来越复杂,业界人士对于如何划分盲埋孔印制板的难度存有许多困惑,汇总了各种具有复杂结构的盲埋孔印制板的例子,并给出了用数据量化制作难度的一些方法,供业界人员设计、报价及生产参考。     

改进的数据流缺失数据处理算法

数据流预处理主要是在原始观测数据的基础上进行,包括对原始监测到的数据集中的缺失数据进行插补或剔除,是数据流预测过程中一个重要性环节,是数据流应用中必不可少的组成部分.数据流预处理技术可以改进监测数据流的质量,从而有助于提高其后的处理过程的精度和性能.