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针对ISO 18000-6C标准,提出一种双电压输出稳压电路,有效降低了整体芯片功耗。基于Cadence Spectre设计仿真平台和TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺进行设计并流片。在-20℃~80℃温度范围内,工艺角从ff到ss变化,仿真得到整流电路的能量转换效率(PCE)为29.88%,稳压电路的温度系数为2.4×10-5/℃,电源噪声抑制比(PSRR)为91.4dB@10Hz和34.5dB@10MHz。同时对芯片进行测试,标签可以工作的最低输入射频功率为-9.5dBm,此时整流效率可达23.1%,稳压高低两路电压输出分别稳定在1.8±0.1V和1.0±0.05V,芯片面积约为0.166mm2。 相似文献
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传统的圆极化阅读器天线采用单馈电微带天线方式设计,频带窄、极化特性较差。在单馈电微带天线的基础上,采用探针馈电曲线贴片的方式,在圆形铁片上开了4个对称的方形缝隙,最终设计出一种新型的UHF RFID圆极化阅读器天线。天线的结构尺寸为167.5 mm×167.5 mm×3 mm,阻抗带宽为870~936 MHz,3 dB轴比带宽为900~918 MHz,最大增益为3.5 dB。与传统的圆极化阅读器天线相比,设计的天线频带宽,且极化特性得到良好改善,能够满足工程上的应用需求。 相似文献
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A new architecture of digital processors for passive UHF radio-frequency identification tags is proposed. This architecture is based on ISO/IEC 18000-6C and targeted at ultra-low power consumption. By applying methods like system-level power management, global clock gating and low voltage implementation, the total power of the design is reduced to a few microwatts. In addition, an innovative way for the design of a true RNG is presented, which contributes to both low power and secure data transaction. The digital processor is verified by an integrated FPGA platform and implemented by the Synopsys design kit for ASIC flows. The design fits different CMOS technologies and has been taped out using the 2P4M 0.35 μm process of Chartered Semiconductor. 相似文献
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本文从设计符合EPCTM C1G2协议的超高频无源射频识别标签芯片的角度出发,对RFID标签芯片模拟前端电路进行设计.通过对各个关键电路的功耗与电源进行优化,实现了一个符合协议要求的低电压、低功耗的超高频无源RFID标签芯片的模拟前端.该UHF RFID标签模拟前端设计采用SMIC 0.18 μm EEPROM CMOS工艺库.仿真结果表明,标签芯片模拟前端的整体功耗控制在2.5 μW以下,工作电源可低至1 V,更好地满足了超高频无源射频识别标签芯片应用需求. 相似文献
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提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID(超高频射频识别)阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。 相似文献
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介绍了一个基于0.18μm标准CMOS工艺,可用于零中频UHF RFID(射频识别)接收机系统的900MHz低噪声放大器.根据射频识别系统的特点与要求对低噪放的结构、匹配、功耗和噪声等问题进行了权衡与分析,仿真结果表明:在1.2V供电时放大器可以提供20.8dB的前向增益,采用源端电感实现匹配并保证噪声性能,噪声系数约为1.1dB,放大器采用电流复用以降低功耗,每级电路从电源电压上抽取10mA左右的工作电流,并使反向隔离度达到-87dB.放大器的IP3为-8.4dBm,1dB压缩点为-18dBm. 相似文献
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In this paper, the design of an ultra-low-power UHF RFID tag is introduced. The system architecture and the communication protocols are chosen to operate with the minimum requirements possible from the RFID tag. By moving most of system functionality to the RFID reader side, the circuit requirements of the RFID tag circuits are relaxed. Supply voltages for both analog and digital parts are chosen carefully for minimum power consumption. The RFID tag is designed in standard digital 0.13 μm CMOS technology. Simulations results of the main blocks are shown. The power consumption of the chip is only 1 μW, and the chip area is only 0.14 mm×0.23 mm. 相似文献
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本文提出了一种符合ISO18000-6B协议的无源超高频射频识别标签芯片设计。该芯片包括了射频/模拟前端,数字基带和512比特的EEPROM存储器。采用肖特基二极管来提高整流器的功率转换效率。详细阐述了基于峰值电流源的参考电压源的设计,该电路结构简单,并且可以满足低压、低功耗的设计要求。为了降低功耗,模拟模块工作在1v以下电源电压,并采用了一些低功耗的设计方法进一步降低数字基带的功耗。整个标签芯片采用TSMC 0.18um CMOS工艺实现,芯片尺寸为800*800um2。测试结果表明芯片的总功耗为7.4uW,灵敏度达-12dBm。 相似文献
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提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA. 相似文献
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提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在~40~100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEP-ROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA. 相似文献
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