高可靠性、高效率的半桥栅极驱动器

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型高性能半桥栅极驱动器IC。FAN7380和FAN7382采用共模dv／dt噪声消除电路，可提供优异的抗噪性能。这些器件具备先进的电平转换电路，允许工作于波动高达-9V(@VBS=15V)的负VS范围，同时具有业界最低的静态电流(FAN7380：IQBS=40μA(typ)，IQCC=60μA(typ)；FAN7382：     

SiC和GaN功率半导体竞争激烈

正与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加,同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功率半导体方面,在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013     

飞兆半导体举办第六届全球功率技术研讨会提供实现高能效的设计解决方案

飞兆半导体公司（Fairchi＇．d Semiconductor）9月起举办第六届全球技术研讨会，每个研讨会均为期一天，内容非常丰富，为功率设计工程师提供开发高能效应用的设计技术、产品技术和行业发展趋势信息。     

飞兆半导体全球功率资源中心提供总体解决方案 实现高能效LED路灯照明

<正>飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)位于中国的全球功率资源中心(Global Power ResourceSM Center,GPRC)开发出一款完整的LED路灯照明解决方案,具有高能效和出色的热性能,以及高可靠性,能够延长路灯的使用寿命。     

飞兆半导体全球功率资源中心中国团队提供创新解决方案以实现高能效的系统设计

<正>飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)位于深圳、上海和台北的全球功率资源中心(Global Power ResourceSM Center,GPRC)宣布为广泛的应     

飞兆半导体推出数字功率控制器 提供高效、灵活的负载点功率转换解决方案

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出首款用于通信和计算应用的负载点(point-of-load)数字功率控制和管理产品,致力于满足能源之星(Energy     

适合SiC器件的新型低热阻高可靠性功率模块结构

研究和开发了能够完全发挥SiC(碳化硅)器件突出性能的新型功率模块结构。这种新结构由于使用新型铜针连接技术可以实现更高的功率密度,且与传统铝引线键合结构相比,具有更低的热阻。与此同时,采用了环氧树脂模具结构,使得新模块结构具有高可靠性。制备并测试了几种SiC模块来验证这一新结构的杰出性能。     

高效率、宽电压范围升压转换器

卓联半导体公司推出超低功耗射频片上系统（SoC）——ZL70101收发器，主要用于植入式医疗设备、编程器以及监测基站等应用。ZL70101基于卓联公司的MICS技术平台，数据速率高、功耗低并且具有独特的唤醒电路。     

飞兆半导体公司近日推出一款智能功率模块

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为小功率（100W以下）的直流无刷（BLDC）电机应用提供高度集成的解决方案，推出一款智能功率模块（Motion-Smart Power Module，SFM）。Motion-SPM器件在单一紧凑封装内集成多项功能，提供简化的电机驱动解决方案以加快工程设计、减小了占用的线路板空间，实现高性能和高可靠的家用电器设计。     

飞兆半导体迈入新纪元制订新战略 为功率和模拟器件增长作好准备

2005年是飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）迈入新纪元的开始，在庆祝其重新成为独立公司的8周年之际，飞兆半导体新任总裁兼首席执行长Mark Thompson于上海新闻发布会上，宣布了公司新纪元的新战略。     

飞兆半导体提供针对摄像头模块的开关解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为3G智能手机、手机、机顶盒、安全摄像头和笔记本电脑设计人员提供摄像头开关产品系列，能够解决这些应用中一些棘手的设计难题。     

飞兆半导体在大中国区的全球功率资源中心为本地制造商提供LCD TV电源设计

专业提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）的全球功率资源中心（Global Power ResourcaSM Centers）继续取得进步,在大中国区的中心成功开发出多项设计和解决方案。     

飞兆半导体Power Seminar提供高能效设计解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）于今年9月起举办第7届全球Power Seminar（功率技术研讨会）,向工程师提供最新的技术信息,以解决各种技术困难挑战。每场Power Seminar均为期一天．内容丰富,将为功率设计工程师提供开发高能效应用的设计技术．产品技术和行业发展趋势信息。     

用于计算应用的占位面积优化功率器件

对于电源设计人员来说,功率密度（A／sqmm）是器件选择的一个重要指标。功率级双FET系列已经针对功率密度而优化,用于典型的同步降压调节器负载。本文将详细分析功率级系列器件如何达到此性能,并讨论典型的同步降压计算负载规范,即针对典型的同步降压调节器计算负载需求,对功率级系列器件进行优化。这些应用将具有大范围的电流水平且可以是单相或者多相。     

飞兆半导体：提供高效节能移动解决方案

当前,移动市场发展方兴未艾,据iSuppli最新数据显示,2009年全球手机市场付运量超过12亿部,而到2012年,预计智能手机将超过3.84亿部。针对这一前景巨大的市场,飞兆半导体日前推出一系列新产品,以满足日新月异的市场需求。     

飞兆半导体在大中国区的全球功率资源中心为本地制造商提供LCDTV电源设计

专业提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）的全球功率资源中心（Global Power ResourceSM Centers）继续取得进步,在大中国区的中心成功开发出多项设计和解决方案。     

飞兆半导体的300mA低VIN LDO为数字应用提供高效率和节省空间优势

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）为对能量敏感的系统设计人员提供300mA低压降（LDO）稳压器解决方案,住效率、瞬态响应和占位面积方面实现平衡。FAN2564是低VINLDO产品,能提供开关稳压器相似的效率,而占位面积仅有一个LDO的大小。传统的LDO稳压器为数字处理器提供低电压,这些LDO稳压器直接与电池连接,     

SiC及其功率器件的激光制孔研究进展

SiC作为第三代半导体材料的典型代表,因具有优异的物化性能,在功率器件领域具有极大的应用前景.文章简要介绍了激光制孔的基本原理,综述了 SiC的长脉冲与超短脉冲激光制孔研究进展,对比了长脉冲与超短脉冲激光的加工特点,分析了不同脉冲宽度下SiC的制孔效果.同时,介绍了 GaN/SiC,AlGaN/GaN/SiC等SiC功率器件的激光制孔研究现状.最后,指出了 SiC及其功率器件激光制孔面临的挑战,并展望了未来的发展方向.     

飞兆半导体：为功率和模拟器件发展提速

在飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）重新成为独立公司的8周年庆典大会上，飞兆半导体新任总裁兼首席执行官Mark Thompson宣布了该公司迈入新纪元的新战略。