TVS二极管性能优化指南

瞬态电压抑制器（TVS）二极管是一种保护敏感电子器件免受ESD和EMI浪涌脉冲的有效低成本选择。本文将提供TVS二极管浪涌最大抑制的PCB布局指南。同时将举例说明在不同电路配置中如何取舍TVS二极管。     

TVS瞬态二极管的防雷应用

本文叙述TVs瞬态二极管在调频广播发射机的防雷应用。由于TVS瞬态二极管是一种二极管形式的高效能保护器件,所以当TVS二极管的两极受到雷电的瞬态高能量冲击时,它能以10-12s的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数kW的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。加接TVS二极管后,使调频广播发射机的抗雷电能力得到有效提高。     

芯片传导瞬态电磁干扰下的防护特性研究

瞬态电压抑制器(TVS)二极管作为常用的抑制瞬态电磁干扰的防护器件,在芯片的防护中有关键作用。文章采用传输线脉冲(TLP)测试方法,对有一定代表性的六款TVS二极管在10~1000 ns五组脉冲宽度、0.5~1800 V的TLP干扰信号作用下的瞬态响应进行了多角度分析。重点研究了工程中常用的三款不同型号的数字芯片和模拟芯片在TVS二级管防护后,受到不同脉宽TLP应力作用下的防护特性。测试结果表明:芯片并联TVS二极管后,多数情况下即使TLP电压达到1800 V,TVS二极管对芯片仍有较好的防护。这种基于不同脉宽特性的研究思路,为不同应用场景的器件防护奠定了基础,实测数据为精确建立TVS仿真模型提供了可能。     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太陬数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制（TVS）二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电（ESD）带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

TVS二极管标称参数与静电放电防护能力研究

通过搭建ESD测试系统,测量TVS二极管的ESD防护性能,比较其标称参数与ESD防护性能之间的关系。结果表明,TVS二极管的反向击穿电压在一定程度上能够反映ESD防护能力,反向击穿电压与ESD峰值电流、ESD钳位电压呈线性关系,标称钳位电压略低于实际ESD钳位电压,而其他标称参数与ESD防护能力关联较小。标称参数难以全面反映器件的ESD防护能力。     

瞬态电压抑制二极管TVS及其应用

箝位型二极管(TVS)是目前被广泛应用的瞬态电压抑制二极管。TVS在反向应用条件下,感受到高瞬态能量时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值,把电压箝位到预定电压,从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。双向性TVS可正负方向吸收瞬时脉冲大电流,把电压箝位到预定值。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。     

脉冲功率电源中浪涌电流与电压的分析及抑制

针对功率脉冲电路放电过程中存在的电流和电压冲击问题,建立了电路的分布参数模型和二极管的PSPICE模型。分析了放电过程中的浪涌电流和电压的产生的机理,采用PSPICE软件对电路放电的瞬态过程进行了仿真,提出了抑制浪涌电流和电压冲击的方法。仿真结果表明:适当增加二极管回路的阻尼电阻,可以降低或消除浪涌电流;在二极管两端并上适当的电阻,可以降低浪涌电压。     

瞬态电压抑制器TVS的特性及应用

瞬态电压抑制器(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。有的文献上也称为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10~(-12)秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计锋机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。总之,瞬态电压抑制器TVS二极管在各种电路的应用是极为广泛的,有以下三大效用:     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

元器件与组件

正高高可可靠靠性性、低低电电压压齐齐纳纳二二极极管管新型高可靠性ultra-sharp knee二极管器件瞄准国防、航天、工业和医疗市场中的低电压调节和瞬变保护应用,具有低额定电容和低额定泄漏电流特性,其反向泄漏电流低于50nA,工作电压为1～2.4V,测试电流为250μA时最高浪涌电流为25A,符合IEC 61000-42和IEC 61000-4-4标准的ESD和EFT保护。与标准齐纳二极管相比,这些产     

TVS二极管的应用

1.TVS二极管的介绍:TVS是由硅通过扩散工艺形成P-N结的半导体二极管器件,包含有齐讷击穿(低压)和雪崩击穿(高压)击穿机制。主要用来在极短的时间内(约1p秒=1×10~(-12)秒)吸收过压,大功率冲脉的冲击而将电压箝位在一定的范围内以保护别的元器件免受冲击。TVS有两种类形:一种是单向的TVS(Unidirectional)符号表示为(?),用来保护直流电压,它的阴极应接在电压的正端;另一种是双向TVS(Bi-directional)符号表示为(?),它等同于由两只单向TVS反向串接而成,在使用时可以不考虑电压的正和负端。     

万能齐纳二极管测试仪

齐纳二极管的精确度在于击穿电压及其公差。公差可以在5—20％之间变化。这里介绍的万能齐纳二极管测试仪电路，能够检验精确的击穿电压和公差值，还能够检测齐纳二极管的动态阻抗(齐纳二极管的动态阻抗特性决定了该齐纳二极管稳定电压性能的好坏)。如果齐纳二极管用于要求较高的地方(比如数字电压表的电压参数、控制系统和精确的电源电路)，还必须检测其温度系数。但对于业余爱好者，则没有这个必要。     

通信设备模块电磁脉冲抑制能力的研究

为了RFID通信模块设计需要,研究常用防护器件瞬态抑制二极管(TVS)的电磁脉冲防护能力。选取三种常用的TVS器件,在静电电磁脉冲和方波脉冲试验条件下,进行电磁脉冲响应规律的测试研究。测试结果表明,一般类型的TVS器件的响应时间普遍高于1ns,脉冲上升沿1ns内的能量就无法被TVS器件在第一时间内吸收,会影响或损伤被防护的电子设备,甚至TVS防护器件。综合钳位电压值和钳位时间,其中一种TVS器件在测试电压300V以内的防护性能可满足模块的防护要求。而另外两种TVS器件对于快上升沿电磁脉冲的防护性能较差,在此环境下无法达到电磁脉冲防护要求,但在其它工作条件下可参考它们的特性数据进行选择应用。     

基于ESD的TVS冲击电压特性机理研究

瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,TVS)是一种较为普遍的静电放电(ESD)防护元器件,其本身特性会对ESD的抑制作用产生影响,这是由于其寄生参数导致的冲击电压而造成的。对此,该文对TVS的冲击电压问题进行建模讨论。该文建立了TVS的冲击电压模型,采用最小二乘法对模型的冲击电压波形进行优化,使冲击电压模型的电压波形更接近于实际波形,并且通过高阶矩进行比对校验其相似性。该文对冲击电压的抑制措施进行了研究,可以有效解决TVS本身特性对ESD抑制作用的影响,即降低冲击电压。通过文中的仿真和实验,均可验证该文的冲击电压模型和抑制方法具有一定的有效性。     

泰科电子推出PolyZen？48V过电压抑制器件

泰科电子于2007年4月7日宣布，其受大众青睐的PolyZen？聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉又添新成员。高性能的ZEN132V器件现有ZEN132V 075A48LS配置，它具有13．2V齐纳钳位电压，能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便携式电子器件壳受感应电压尖峰、瞬态电压、错误电源以及反偏压的损坏。新的PolyZen器件是一种节约成本与空间的方案，     

SD05／SD05C：二极管阵列

Littelfuse公司推出450WSD05（单向）和SD05C（双向）系列通用TVS二极管阵列（SPA设备）,以取代多层压敏电阻（MLV）用于保护因静电放电（ESD）和其他瞬态现象导致的对电子设备的破坏。陶瓷元件具有内部磨损缺陷,SD05和SD05C系列元件由硅二极管制造而成,可安全地吸收ESD的反复震击或瞬态浪涌而不会降低性能。     

新型1．1mm厚1500W表面贴装瞬间电压抑制器

Vishay日前推出1．1mm厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb瞬态电压抑制器（TVS）--SMPC系列。SMPC系列具有6．7V～42．4V的击穿电压和10．0V～58．1V的优异钳位能力。采用eSMP^TM TO-277A封装,比传统SMC封装的占位面积小27％。SMPC系列的峰值前向浪涌电流高达200A,工作温度为-55℃～＋105℃。     

元器件与组件

1000W功率表面安装单通道瞬态电压抑制二极管Powermite1 MUPT瞬态电压抑制(transient voltage suppression,TVS)二极管产品系列迎合飞机电气化、提高可靠性和燃油效率的市场趋势,从而推动了市场对具有更高功能性、更轻重量和更小体积,并带有出色瞬态过电压事件保护功能之TVS解决方案的需求。这种新型TVS二极管是高度紧凑、表面安装的单通道1000W功率器件,具     

瞬态电压抑制器系列

这些TVS器件比传统的SMA封装薄50%,但占位保持兼容,在10/1000μs条件下的浪涌性能高50%。SMA6F系列在10/1000μs条件下的钳位电压为9.2～31.4V,在8/20μs条件下的钳位电压为13.4～36.8V,比目前采有SMB封装的TVS器件低3%～9%。SMA6F系列有16款TVS器件,关态电压为5～20V。器件的工作温度为-55～+175℃,ESD保护为15kV(空气)和8kV(接触),满足IEC61000-4-2Level4规范,符合per-     

深槽TVS研究

以静电放电（ESD）以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压,通常存在于各种电子器件中。随着半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能。电子器件越来越容易受到电压浪涌的影响,甚至导致致命的伤害。从静电放电到闪电等各种电压浪涌都能诱导瞬态电流尖峰,瞬态电压抑制器（TVS）通常用来保护敏感电路受到浪涌的冲击。基于不同的应用。瞬态电压抑制器可以通过改变浪涌放电通路和自身的箝位电压来起到电路保护作用。为了节省芯片面积,并且获得更高的抗浪涌能力,深槽TVS的概念已经被提出和研究。深槽TVS的结面形成于纵向的深槽的侧壁,这样,在相同的芯片面积下,它有更多的有效结面积,即更强的放电能力。我们也可以预见,深槽TVS的小封装尺寸对应用于保护高端IC非常关键。