向商业化迈进的极紫外（EUV）光刻技术

在介绍EUV光刻原理和EUV光源基本概念的基础上,讨论了目前研究得最多、技术最成熟的激光产生的等离子体LPP光源,着重对EUV光源的初步应用和EUV光刻设备的开发进展情况进行了详细介绍与讨论。目前的研究进展表明,随着激光产生的等离子体EUV光源（LPP）功率的不断提高和EUV光刻设备的逐步成熟,极紫外（EUV）光刻技术将在2012年步入半导体产业的商业化生产。     

193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。     

EUV设备价格达1.2亿美元

<正>谁能支持EUV光刻?回答只有极少数几家公司,因为设备的价格再次上升。VLSICEODanHutcheson回答,每台1.25亿美元。在报告中,一年之前VLSI的总裁Risto Puhakka曾预测,     

亚65 nm及以下节点的光刻技术

由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术.配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降.随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战.对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择.     

英特尔推动EUV光刻技术研发

英特尔公司正投大量精力用于远紫外线(EUV)光刻技术(用于制造未来微处理器的技术)开发，现在已经在EUV技术上取得两项重要成果里程碑式的突破。该公司安装了全球第一套商用EUV光刻工具，并建立了一条EUV掩模试产线，表明该技术已从研发阶段进入试验阶段。英特尔预计此技术将于2009年开始应用到大批量生产中。     

ASML选择Cymer公司EUV光源

伴随着大量的新闻发布，Cmer公司在SEMICON West2007期间宣布其在极紫外线（EUV）光刻光源上的成功。光刻设备供应商ASML已经选择Cymer公司的极紫外线光源用于量产设备，并签署了一份长达多年的多项目协议，计划在2008年底首次供货。     

从极紫外光刻发展看全球范围内的技术合作

在针对芯片的"卡脖子"技术中, 极紫外(EUV)光刻是最重要的一环。EUV光刻技术已经被广泛应用于最先进工艺节点的集成电路芯片制造之中。它的研发交叉融合了光学、机械、电子、控制、软件、材料、数学、物理等多个学科的知识。EUV光刻的发展反映了世界范围内联合研发的演变过程, 开放和合作是发展过程中的主旋律。回顾了EUV光刻的发展历史及所涉及的重大项目和机构, 讨论了全球唯一的EUV光刻机制造商——ASML公司的灵活多变的国际化合作路线, 分析了自1997年以来世界各代表性研发机构的研发趋势以及与EUV光刻发展的关系, 详叙了各参与机构在世界范围内的合作对EUV光刻发展的影响。该研究为研发先进光刻机等类似高端装备提供了一些启示和参考。     

ASML量产型EUV机台2015年就位

设备供应商艾司摩尔（ASML）日前宣布已协同比利时微电子研究中心（IMEC）和重量级晶圆厂，合力改良EUV光源功率与晶网产出速度，预计2015年可发布首款量产型EUV机台。ASML亚太区技术行销协理郑国伟提到，ASML虽也同步投入E—Beam基础研究，但目前对相关设备的开发计划仍抱持观望态度。郑国伟表示，ASML于2012年下旬购并微影设备光源供应商——cvmer后，近半年在EUV技术研发方面已有重大突破。     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

新世纪元年电子元器件集锦

<正> EUV光刻技术 芯片(chip)是信息产业的物质基础,当前芯片工业的发展方向还是在不断减小芯片的特征线宽,从而使芯片的功能增强、速度升高、功耗降低。今天大批量生产的芯片的特征线宽已做到180～150nm,英特尔(Intel)公司已决心投巨资75亿美元改造生产设备和技术,将芯片生产工艺技术由线宽180nm提高到130nm。 决定芯片特征线宽的工艺技术中,光刻是关键。由于光的波粒二象性,当芯片的特征线宽和光刻用的光波长相近时,光刻技术的适用性就成了问题。所以开发光源波长更短的新一代光刻技术,就成了世界芯片制造商共同关心的问题。 1998年,以Intel、AMD、Infineon、MICRO Technology和Motorola五家芯片制造商为骨干的半导体制造商联合体,联合桑地亚(Sandai)国家实验室、利弗莫尔(Livermore)的劳伦斯(Lawrence)国家实验室和伯克利(Berkly)的劳伦斯国家实验室组成EUV有限责任公司(EUVLLC),集资2.5亿美元联合开发下一代芯片的光刻技术EUV。 三年前,在全球半导体工业联合体讨论会上,专家们预言,下一代光刻技术会从下面的5个当中胜出:X射线光刻、离子投影光刻、直写电子束光刻、电子投影光刻和EUV光刻。经过最近几年的研究开发,除EUV外,其他四     

从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展

从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。     

光刻专家评选浸没式和EUV光刻技术

根据5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，最新发布的国际半导体技术蓝图（ITRS）中，半导体厂商和供应商就光刻的前景和未来达成了普遍的共识。对各项最新的光刻技术的研究表明，193纳米浸没式光刻技术将成为量产45纳米节点产品的首选，而EUV（极紫外）光刻技术将在32纳米节点上大展拳脚。     

KLA—TENCOR推出PROLITH^TM 12

KLA—Tencor公司近日推出了PROLITH^TM 12,这是一款业界领先的新版计算光刻工具。此新版工具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线（EUV）光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。PROLITH 12是KLA—Tencor先进光刻解决方案组合中的拳头产品,已被美国和亚洲的研发机构及先进的内存制造商采用,帮助研发工程师判断EUV光刻的可行性,并确定EUV能够获得成功的条件。     

国际要闻

<正>Canon首款EUV设备业已出货最小线宽达24nm据EETimes报道,SPIE先进光刻会议上传来消息,日本Canon开发的深紫外光刻设备已经发货,用于研发而非生产。Canon公司的SFET设备     

激光等离子体EUV光源令人期待

虽然近来放电等离子体（DPP）光源被认为是极紫外（EUV）光刻beta工具的最强有力的候选者，但是根据最近由Sematech在Baltimore，Md．主办的EUV光源研讨会（EUV Source Workshop）上的科学家们的观点，激光等离子体（LPP）光源似乎正在取得进展。     

Cymer专注于DUV／EUV光刻光源

随着半导体设计规则的紧缩,在65nm及更高节点,浸没式光刻和EUV被认为是获得更小节距的可选择方案,出于技术极限和成本的考量,在实现量产上光刻技术面临极大挑战,其中之一来自于光刻光源。Cymer作为光源领域的领先供应商,目前提供DUV及EUV光源。     

EUV光源研发的新突破

在32nm技术节点以下时,尽管极紫外（EUV）光刻技术已被视为主流的光刻生产技术解决方案,但是如何研发一套可靠、高性能EUV光源系统仍然是摆在业界面前的一道难题。此文将着重介绍了基于触发模式、输出功率达到100W的光源系统。     

美国MIT研究结果显示电子束光刻可以到达9纳米的精度

美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示,电子束光刻精度可以小到9纳米的范围,刷新了以前一项精度为25纳米的结果,这一进展有可能为电子束光刻和EUV(超紫外)光刻技术展开竞争提供了动力。     

EUV研究帮助解决193nm光刻胶问题

对于前沿领域，极紫外线（EUV）光刻胶技术的研究要有助于解决一些由于193nm光刻技术不断向下延伸而面临的问题。     

国际要闻

<正>AMD将超紫外光刻技术用于制造测试芯片此前采用EUV技术制造工作芯片组件的项目涵盖区域较"窄",只限于芯片中的一小部分。在日前举行的业内首届光刻技术大会上,AMD公司的Bruno La Fontaine博士介绍AMD、IBM和奥尔巴尼大学纳米学院(UAlbany Nano College)奥尔巴尼纳米技术研究中心(Albany NanoTech Complex)的合作伙伴的工作成果。他提交给大会的论文中介绍了如何成功地将"全区域"EUV光刻技术集成到22mm×33mm的AMD45nm节点测试芯片上,用于制造工艺。