光突发交换网络中突发模式发射机设计

分析了光突发交换(OBS)网络中突发模式光发射的关键技术,提出了采用外调制技术实现突发模式光发射机的设计方案.其核心部件是多量子阱电吸收调制器(MQW-EAM),并对其驱动电路和整体电路进行了仿真,论证了实现突发模式光发射机的调制方式及其主要技术指标.     

10Gb/s TSC-HBT光调制器驱动电路设计

将TSC－HBT应用于HBT光调制器驱动电路的设计中。SPICE模拟结果显示,眼图张开形状良好,可以满足10Gbit/s光发射模块应用的要求。     

石墨烯光调制器研究进展

光调制器是光信号处理系统中的关键光电器件,基于石墨烯的光调制器因其在调制速率、调制带宽和结构尺寸等方面具有诸多潜在优点而引起人们的广泛关注和重视,是一种最具发展潜力的新型光调制器。本文对国内外石墨烯光调制器的研究进展进行了介绍,评述了多种石墨烯光调制器的结构及原理,并对它们的性能进行了比较。最后,对其发展趋势进行了。     

1．25 Gbit／s突发模式光发射机设计

本文分析了光突发交换(OBS)和无源光网络(PON)网络中突发模式光发射的关键技术，提出了采用外调制方式实现1．25Gb/s突发模式光发射机的设计方案；其核心部件为分市反馈式（DFB)半导体激光器和电吸收(EA)调制器集成器件。论证了实现突发模式光发射机的调制方式和及其主要技术指标。     

一种低功耗高速空间光调制器驱动电路

本文描述了一种新型的多量子阱空间光调制器驱动电路的设计和测试。为了解决时钟同步问题并减少功耗,我们有别于前人,将所有电路模块集成在一块芯片上。因为传统的单斜坡数模转换器无法消除电容的失配,所以我们转而采用64个列共享8位电阻串数模转换器来提供输出电压,实现0.5V至3.8V的可编程电压调控。这些数模转换器被紧密放置于6464 驱动阵列的上方力求减小失配。每个转换器消耗80uA电流,在280ns内完成一次转换。为了更快的传输速率,系统采用2级缓存,工作时钟50MHz,真刷新率达到50K帧每秒,整片功耗302mW。芯片采用0.35um CMOS工艺,面积5.5 mm7 mm。     

5Gb/s高速光突发模式CDR电路设计

提出了一种结构简单、高速率的光突发模式时钟、数据恢复(CDR)电路。由系统仿真结果表明对速率为5Gb/s的NRZ突发数据可在10ps之内建立比特同步。     

高速光调制器

文章分析了适用于40Gbit／s等高速光传输系统的MZ和EA调制器的性能特点、现状及技术发展动向。     

一种简化的光调制器驱动电路

在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路.电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间(10%～90%)分别为84ps和56ps,输出电压摆幅2.6V.而FUJISTU公司的同类产品FMM3193VI平均上升时间和下降时间(20%～80%)为120ps,功耗为2.1W.     

一种简化的光调制器驱动电路

在采用IC-CAP提取异质结双极晶体管器件的VBIC模型参数的基础上,设计出形式简洁的光调制器驱动电路．电路功耗仅为500mW,在2.5GHz信号下平均上升时间和下降时间（10%～90%）分别为84ps和56ps,输出电压摆幅2.6V．而FUJISTU公司的同类产品FMM3193VI平均上升时间和下降时间(20%～80%)为120ps,功耗为2.1W．     

高速光突发模式接收机设计

介绍了一种高速光突发模式接收机.其中整形电路采用直流耦合跨阻抗前馈式结构,突发同步恢复电路采用一种新颖的固定相位调节振荡器.仿真表明:在速率为1.25Gb/s、误码率BER≤10-9时,接收灵敏度为25dBm,动态范围可高达24 dB,并且可在10ps之内建立比特同步.     

用新的电路形式提高HBT光调制器驱动电路的传输速率及性能

在传统光调制器驱动电路中,所用HBT截止频率的大小要达到驱动电路传输速率的4倍以上.文中在输出级采用共射共基HBT形式后,其器件的截止频率只需大于电路传输速率的2倍即可,从电路设计的角度降低了对所用器件的要求.文中分析了新的电路结构提高传输速率的原因并给出了模拟结果.同时新的电路结构也具有良好的热稳定性.     

100 kV/10 MW全固态刚管调制器驱动、保护和检测电路设计

介绍了一种100 kV/10 MW全固态刚管调制器的工作原理。讨论了调制器的IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动电路的特点,给出了驱动信号的传输和驱动电路的设计方法,介绍了调制器过流快速保护电路和调制器组件在线检测电路,并给出了实验结果。讨论了这种电路在全固态刚管调制器中的应用前景。     

24万兆比特每秒激光器/光调制器驱动电路

一种应用于高速光纤通讯系统的激光二极管／调制器的单片集成驱动电路已开发成功。该电路的制造使用了0．2μm PHEMT工艺,它的工作信号带宽超过12GHz。在12Gb／s速率下测得了摆幅峰值为3．4V的输出信号眼图。基于实验结果,我们判断该电路的最大工作速率超过24Gb／s。该驱动器电路使用单电源-4．5V供电,功耗小于1．8W。     

PDP显示驱动芯片的高速高低压接口电路的设计

从分析影响PDP显示驱动芯片中高低压接口电路的工作速度的几个方面出发,提出一个改进了的高速高低压接口电路,从电路结构上改善了驱动芯片的频率特性,进而为等离子显示的高分辨率大屏幕化提供了有利条件。通过Hspice模拟验证了改进结构的速度性能比传统结构提高了5％～10％。     

突发信号检测技术与电路设计

通过分析突发信号的特殊性及现有多种检测方法的优缺点,提出基于直流耦合的突发信号检测技术方案,并建立突发信号接受模块电路图.重点给出前置放大器(TIA)和自动功率控制电路(ATC)的设计思路,并探讨在中国移动多媒体广播(CMMB)中的应用.     

外调制宽带外差光相干传输链路的构建

设计了外调制微波外差相干模拟光传输链路.对比分析了外调制外差相干传输链路和外调制直接检测传输链路的性能,对影响链路的关键参数进行了分析,数值分析结果表明,该链路达到了设计要求.

Abstract：

Heterodyne amplitude modulated coherent link is very importmant to produce and transmit high speed microwave signal in wide-band optical transmission system.The performances of wide-band optical coherent link and direct detect link with external modulator are compared and the main parameters are analyzed in detail.Then an amplitude modulation optical coherent transmission system is designed to be used in analog transmission system.     

基于PCI-E总线高速数据传输卡的WDM驱动设计

针对自主设计的基于PCI-E总线高速数据传输卡设备,在64位Windows系统下采用WDM驱动模式设计实现该设备驱动程序。介绍了WDM驱动程序开发过程,主要包括硬件访问、DMA高速数据传输和MSI中断等内容。并对所设计驱动程序进行测试验证,结果表明,该驱动程序具有较高的传输效率和可靠性,可应用于高速数据传输卡设备,且该驱动程序也可移植到其他类似的数据传输设备中。     

MEMS光栅光调制器与CMOS驱动单片集成的研究

为了消除光栅光调制器阵列的交叉效应,提出利用post-CMOS工艺将光栅光调制器与CMOS驱动单片集成.介绍了单片集成器件的工作原理,详细分析了单片集成器件的关键参数.通过分析表明,在满足调制器响应频率条件下,通过改变悬臂梁的各个参数可以减小调制器的弹性系数,从而降低光栅光调制器的工作电压;在满足开关速度的条件下,较大存储电容具有更好的电压保持特性.利用中芯国际提供的0.18μm工艺设计包完成该单片集成器件的物理版图设计和仿真.最后,通过实验测得该器件的上升沿和下降沿时间分别为:36.8ns和36.4ns,且经过16.73ms的保持时间后压降为2.1v.实验结果与仿真结果具有较好的一致性,结果表明:加工的单片集成器件具有较快的开关速度和较好的电压保持特性,能够满足设计要求.     

一种LED照明应急两用的驱动电路设计

为了解决采用传统光源设计的应急照明灯存在的应急时间不长等问题,设计了一种LED日常照明和应急照明两用驱动电路,分析了采用LED作为应急照明光源的优势,利用仿真软件saber建立了LED恒流驱动控制芯片Qx9910的仿真模型,在建立起电路各个主要模块的基础上,搭建了LED照明应急两用驱动电路,并在日常照明和应急照明2种工作模型下对电路进行了整体仿真。仿真结果表明,该电路在2种工作模式下都能稳定运行,能实现预期的设计目标。     

手机用TFT-LCD驱动芯片接口电路的研究与设计

接口电路是手机用单片集成TFT-LCD驱动芯片的重要组成部分,用于MPU与驱动芯片之间的数据通信。文章详细分析了目前占市场主导的176RGB×220分辨率、26万色的手机液晶显示驱动芯片中接口电路的功能,包括系统接口和外部高速接口的工作原理和动作时序,同时介绍了接口模式之间的转换。在此基础上提出了一种接口电路的设计方案,并且在0.18μm工艺下实现了该电路。仿真结果表明,此电路完全实现了芯片规格中要求的接口功能,可以完成18/16/9/8-bit并行接口、串行接口以及18/16/6-bit外部高速接口的可选择使用。DC综合结果显示,接口电路的面积约为4600多门,可以工作的频率达到12.5MHz。