不锈钢钝化膜研究进展

综述了不锈钢钝化膜的成膜机制,表面膜的组成结构与半导体性能,总结了钝化过程的研究钝化膜的耐腐蚀原因与不锈钢的表面处理技术。     

铝稀土钝化技术研究进展

总结了铝表面稀土转化膜的成膜工艺;阐述了稀土钝化膜的成膜机制和耐蚀机理;指出了目前研究中存在的并有待深入的问题。     

晶硅良好表面钝化技术及其在n型电池中的应用

优秀的表面钝化已成为高效电池制作的一项关键重要技术,本文对目前晶体硅钝化及其在太阳电池中的应用做了总结与介绍。首先阐述了目前常用的几种钝化薄膜钝化机理与制备方法,分析了各自优缺点及适用场合,并重点讨论了不同钝化膜组成的叠层钝化。随着最近n型高效电池研究的快速发展,介绍了当今几种常见的n型电池结构,对比了不同材料钝化对电池性能影响。最后对未来发展作了总结与展望。虽然目前晶体硅太阳能市场仍以p型硅为主,可以预见,n型电池将是未来高效低成本电池发展的方向。     

铜及其合金表面透明钝化膜的研究

铜及其合金以其优良的电性能和美丽的外观而被广泛应用于电工行业和其他装饰工艺性行业中,但空气中的Ｏ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｓ、ＳＯ２易与铜反应使其表面变成深色或黑色,影响其外观与导电性能,因而必须进行表面处理。金属铜表面抗变色处理目前主要采用铬酸盐钝化、有机胺...     

镀锡钢板表面钝化膜的形成机制

未来,重铬酸盐阴极电解钝化仍有一定的应用市场,对其成膜机理的深入了解,有助于从另一方面推动无铬钝化技术的发展。对镀锡钢板进行了重铬酸盐钝化,从理论上分析了其电化学钝化与化学钝化成膜的过程及膜的组成差异;采用电量法与光电子能谱(XPS)法测定了镀锡钢板钝化前后表面的组成,验证了理论分析的结果;通过对不同钝化条件下得到的镀锡钢板表面的Sn3d和Cr2p峰的拟合,分析了钝化电量与电位对电化学和化学钝化过程的影响。结果表明:镀锡钢板表面重铬酸盐阴极电解钝化过程中电化学和化学2种钝化同时存在,膜的构成物分别为Cr(OH)3,Cr2O3。     

硅表面钝化及对异质结太阳电池特性的影响

研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响。发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压。对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75%(Voc=0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF=0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池。     

晶体硅电池产业化高效技术分析

毫无疑问,硅电池是促进光伏产业前进的中坚力量。而太阳电池组件中,大约80%的电力都来源于晶体硅组件。第一个晶体硅电池出现在1954年,恰宾和卡尔松等人在贝尔实验室用表面抛光的硅片制作PN结,然后分别在两侧蒸镀上金属电极,就制成了光伏转换效率达6%的世界上第一块实用性硅太阳电池,成为现代硅太阳电池时代的开始。经过几十年的发展,晶体硅太阳电池经历了几个快速发展期,效率得到不断攀升,从最初的8%提升至目前的25%(实验室效率),正如图1所示。很多实验室技术在经过多年开发后走向了产业,带动了很多新型产业化高效电池的出现,这些电池的产业化平均效率分别达到了18%(美国Innovalight公司的硅墨水技     

CdZnTe晶片表面钝化研究

用NH4F／H2O2对Br2-MeOH抛光CdZnTe晶片表面进行了表面钝化处理,通过I-V测试及XPS分析分别对钝化前后的CZT晶片的电学性能和表面组成进行了表征。I-V测试结果表明NH4F／H2O2对CdZnTe晶片表面有较好的钝化效果,电流下降率随所加偏压的增加而下降。在10V偏压下,电流下降最明显,下降率为73．7％。与欧姆定律发生偏离的临界场强为333V／cm。XPS分析发现,用NH4F／H2O2处理可使CdZnTe表面富集的Te79.28％被氧化成TeO2,氧化层的厚度约为3．15nm。钝化后的表面更接近CdZnTe的化学计量配比。     

单晶硅的电化学钝化

常温下,用电化学氧化法在单晶硅表面形成 SiO_2钝化膜,钝化液可为有机溶液或纯水,控制电压能调节钝化膜厚度。测试并比较了钝化膜的基本性能。     

快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果

二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段。本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用。在100%O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值。采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围。通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果。单层SiNX薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs。     

钙钛矿薄膜缺陷调控策略在太阳能电池中的应用

研究钙钛矿晶体缺陷对于推动钙钛矿太阳能电池的发展至关重要.缺陷不仅会引起大量非辐射复合,而且会造成器件稳定性下降.为降低材料缺陷对光伏性能的影响,有必要深入了解钙钛矿薄膜缺陷的种类及抑制方法.根据电子特性,缺陷可分为富电子缺陷和缺电子缺陷.利用Lewis酸碱理论,富电子缺陷可以被Lewis酸钝化,而缺电子缺陷可以被Le...     

Surface Passivation for Reliable Measurement of Bulk Electronic Properties of Heterojunction Devices

Quantum efficiency measurements of state of the art Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) thin film solar cells reveal current losses in the near infrared spectral region. These losses can be ascribed to inadequate optical absorption or poor collection of photogenerated charge carriers. Insight on the limiting mechanism is crucial for the development of more efficient devices. The electron beam induced current measurement technique applied on device cross‐sections promises an experimental access to depth resolved information about the charge carrier collection probability. Here, this technique is used to show that charge carrier collection in CIGS deposited by multistage co‐evaporation at low temperature is efficient over the optically active region and collection losses are minor as compared to the optical ones. Implications on the favorable absorber design are discussed. Furthermore, it is observed that the measurement is strongly affected by cross‐section surface recombination and an accurate determination of the collection efficiency is not possible. Therefore it is proposed and shown that the use of an Al₂O₃ layer deposited onto the cleaved cross‐section significantly improves the accuracy of the measurement by reducing the surface recombination. A model for the passivation mechanism is presented and the passivation concept is extended to other solar cell technologies such as CdTe and Cu₂(Zn,Sn)(S,Se)₄.     

背面点接触结构在晶体硅太阳电池中的应用

背面点接触结构晶体硅太阳电池是实验室高效电池的一种。介绍了目前研究较多的两种背面点接触晶体硅太阳电池,比较了几种背部结构的设计方法和制造工艺,包括背面钝化层的材料选择、背反射层的光学性能、去背结技术以及点电极结构的设计等。并展望了背面点接触太阳电池在工业生产上的前景。     

晶体硅太阳电池光衰减现象研究的新进展

晶体硅太阳电池一直占据光伏市场的主导地位,关于其光衰减的研究也因此受到了广泛关注。综合评述了近年来国内外晶体硅太阳电池光衰减现象的研究进展,介绍了硼氧缺陷、铁硼对以及铜相关的缺陷导致光衰减的基本机制,着重阐述了硼氧缺陷的产生率、钝化率以及相应的激活能大小与硼氧含量的关系。最后介绍了减弱或避免光衰减的一些措施。     

几种高效率晶体硅太阳能电池性能分析

综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状,分析了几种高效率晶体硅太阳能电池的结构、制备流程、优越性以及性能等,这些高效率电池包括激光刻槽埋栅电池、PESC、PERC和PERL电池,以及最新型太阳能电池——金属贯穿孔电池,最后讨论了高效率太阳能电池存在的问题,展望了今后太阳能电池的发展趋势。     

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

镀锌产品无铬钝化技术研究进展

纯镀锌产品耐腐蚀性不强,对镀锌件进行无铬钝化,有利于提高其耐腐蚀性能,同时还有利于环境保护.为此,从无机物和有机物两方面综述了当今无铬钝化镀锌产品的研究现状,并展望了今后的发展方向.     

非晶硅叠层太阳能电池的现状与发展方向

对非晶硅叠层太阳能电池的现状及发展动态进行了综述。分析了目前阻碍非晶硅太阳能电池进一步发展和应用的制约因素 ,提出了非晶硅叠层太阳能电池是今后进一步开发非晶硅太阳能电池的重要方向。介绍了美国Solarex公司的 4平方英尺和 8平方英尺叠层非晶硅太阳能电池的生产线及其工艺 ,并就低成本大批量生产具有较高稳定性的叠层太阳能电池的关键技术如选择和制备优质底电池的i层材料、提高生产率等进行了讨论     

多晶硅表面制绒技术研究现状

光伏产业在新能源发展规划中占有重要地位,目前多晶硅太阳能电池已经成为太阳能电池市场主流。硅片表面绒面的质量对太阳能电池转换效率有重要影响,多晶硅表面制绒技术也越来越受到世界各国的重视。掌握多晶硅表面制绒技术的原理及特点对提高表面绒面质量十分重要。首先分析多晶硅表面制绒的技术要求,随后根据不同的技术原理,依次对干法制绒技术、湿法制绒技术以及掩膜制绒技术进行综述,详细分析不同制绒技术的技术特点并阐述其应用实例,随后从绒面质量、制绒效率、成本以及环保性等方面对多晶硅制绒技术进行评述,最后对多晶硅制绒技术的发展趋势进行预测。