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ＨＤ－ＣＯＰＹ２．０介绍葛琳ＨＤ－ＣＯＰＹ２．０是ＨＤ－ＣＯＰＹ１．７的改进版，是一种多功能的软件。主要特色有：（１）软盘之间的高速复制（全盘复制）。你可以把源盘的内容轻松地拷贝到目标盘上而不必担心磁盘格式不同，而速度比ＤＯＳ的ＤＩＳＫＣＯＰＹ几乎快... 相似文献
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ＳＤＬＣ是ＩＢＭ地面网的数据链层协议，本文以ＨＵＧＨＥＳ ＩＳ－ＢＮ系统为例，阐述了ＳＤＬＣ在空间链路上的处理，ＳＤＬＣ协议与ＯＤＬＣ协议转换，地面线路和空间链路的连接和传输模式。 相似文献
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宁波ＧＳＭ系统ＬＡＣ状况 目前宁波ＧＳＭ系统共有ＬＡＣ区２２个,每个ＢＳＣ分配一个ＬＡＣ（除市区ＢＳＣ２３,ＢＳＣ２４外）,这样,某些ＢＳＣ的Ｌｏｃａｔｉｏｎ－Ｕｐｄａｔｅ占ＯＫ－ＡＣＣ－ＰＲＯＣ的比例（后称ＬＵ－ＲＡＴＥ）相当高,如余姚ＢＳＣ８,其ＬＵ－ＲＡＴＥ高达７９．４２％,其ＳＤＣＣＨ负荷相当重,且已导致ＳＤＣＣＨ拥塞,具体每个ＢＳＣ的ＬＵ次数,ＬＵ－ＲＡＴＥＰＡＧＥ－ＲＥＱＵＥＳＴＳ／ＰＡＧＥ－ＲＥＳＰＯＮＳＥ,ＰＡＧＥＳ－ＰＥＲ－ＳＥＣＯＮＤ,ＳＤ－ＣＯＮＧＥＳＴＩＯＮ－ＲＡＴＥ,… 相似文献
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从征 《激光与光电子学进展》1994,31(12):38
１９９４年欧洲ＣＤ－ＲＯＭ驱动器市场预计会翻番据ＢＩＳ战略决策伦敦办事处所进行的一项调查——“西欧ＣＤ－ＲＯＭ市场”报告说，由于消费者对ＣＤ－ＲＯＭ驱动器需求的扩大和价格的降低，１９９４年西欧ＣＤ－ＲＯＭ驱动器市场将有爆炸性增长。但与驱动器发运数量和... 相似文献
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雷卡１Ｘ－ＡＩＭＥ（Ａｉｒ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ／Ｅｍｕｌａ－ｔｏｒ）系统是专门为手机的ｃｄｍａＯｎｅ及 ｃｄｍａ２０００ １Ｘ信令测试而设计的，广泛应用于新产品开发、兼容测试、评估和服务支持，是手机生产研发时必不可少的测试工具。 目前，１Ｘ－ＡＩＭＥ系统可支持ｃｄｍａＯｎｅ＋ｃｄｍａ２０００的标淮，包括：ＩＳ９５Ａ、ＩＳ９５Ｂ、Ｊ－ＳＴＤ－００８、ＡＲＩＢ－Ｔ５３、ＫＯＲＥＡＮ ８００ＭＨＺ、ＫＯＲＥＡＮ ＰＣＳ、ＩＳ－２０００ １Ｘ等，并且兼容ＣＤＧ２２、ＣＤＧ５３及ＣＤＧ５７的第二阶… 相似文献
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本文简要介绍高清晰度电视中８－ＶＳＢ和ＣＯＦＤＭ传输方案及其基本原理，并针对传信率为１／Ｔ＝２３．５４８Ｍｂｐｓ的８－ＶＳＢ生ＣＯＦＤＭ作了计算机模拟，最后对该两种传输系统作了结构和性能上的比较分析。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ 相似文献