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a—Si:H TFT有源矩阵制造技术的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
对a:Si:H TFT有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ta2O5/a-SiNx双绝缘层的制备技术,提出了一种新的双有源层结构a-Si:H TFT来降低背光源对器件特性的影响,研制的a-Si:H TFT有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。 相似文献
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薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了薄a-Si:H有源层结构的a-Si:H TFT的特性,实验结果表明,当a-Si:H层的厚度小于一个临界值时,a-Si:H厚度的变化对a-Si:H TFT静态特性的影响明显增大,本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对a-Si:H TFT特性的影响,从表面有效空间电荷层的概念出发,从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系,计算的临界有源层厚度为130nm,这与实验结果基本一致。 相似文献
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实验研究了自对准结构的a-Si:H TFT的制备工艺,对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析,对制备工艺和结构参数进行了合理的优化,成功地制备出自对准结构的a-Si:H TFT。对影响自对准结构a-Si:H TFT特性的主要因素进行了详细的分析,提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si:H TFT,可以有效地改善a-Si:H TFT的开态特性,其通断电流比ION/IOFF〉10^5。 相似文献
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介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Si双极晶体管、SiMOSFET、GaAsHBT、HJFET和HEMT以及电路技术。 相似文献
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本文发展了一种研究a-Si:H TFT电流-电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型,提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念,并由此推导出了a-Si:H TFT电流-电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于a-Si:H TFT静态特性分析及其电路优化。 相似文献
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研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响,实验事实表明,在380℃以下的退火处理a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升趋势,对a-SiN:H TFT的工作特性和可靠性有明显的改善,温度进一步升高时,介电常数减小,a-Si:HTFT的特性变坏。 相似文献
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本文描述了用自对准工艺制备自对准结构的αSi:H TFT。从理论上分析了有源层α-Si:H的厚度对α-Si:H TFT特性的影响,据此提出一种新型的双有源层结构的α-Si TFT。它可以有效地提高自对准αSi:H TFT的开态ION,其通断电流比ION/IOFF>10^5。 相似文献
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将具有能量92ke V、剂量1×1015/cm 2 的 B F+ 注入由 P E C V D 方法制备的a Si∶ H 薄膜中,然后用功率为 60 W 、束斑直径 02cm 的 C W C O2 激光器进行 10s 快速退火。再用扫描电子显微镜( S E M)进行显微形貌观察。分析结果指出:由于 B F+ 的注入,使a Si∶ H 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
1.8GHz下功率密度为2.8W/mm的4H-SiCMESFET据《IEEEE.D.L.》第15卷第10期报道,CharlesE.Weitzel等已研制成一种4H-SiCMESFET。采用4H-SiC是由于它比6H-SiC高出两倍的电子迁移率。器件的... 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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Gao Jianjun 《微纳电子技术》1994,(6)
介绍了一种晶片条件下FET器件(包括MOSFET,GaAsMESFET和HEMT)寄生元件的剥离技术,并利用此技术获取了器件的本征[Y]参数。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(1)
单片GaAs HBT p-i-n二极管可变增益放大器、衰减器和开关在GaAsHBT工艺中,人们可以用现有的材料层制作p-i-n二极管,并可将其与HBT集成在同一块单片上。HBT器件结构的轻掺杂集电区层可用作p-i-n的本征层;重掺杂基区和第二集电区可... 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAs MESFET的非线性CAD模型对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献
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本文提出了一种新的HEMT器件非线性CAD模拟方法,即可以利用PSPICE程序中GaAsMESFET的非线性CAD模型(Statz模型)对HEMT器件进行非线性模拟,并用实验验证了这种方法的正确性。 相似文献