Co纳米阵列的制备及其直径对磁性的影响

采用电化学沉积法，在氧化铝模板中制备了不同直径的Co纳米线的高度有序阵列。纳米线的结构和磁学特性分别用透射电子显微镜（TEM），扫描电子显微镜（SEM），X射线衍射（XRD）仪和振动样品磁力计（VSM）测试。结果表明，Co纳米线是以fcc和hcp结构同时存在。磁学性质研究表明，这种阵列具有较强的垂直磁各向异性。直径对纳米有序阵列磁学特性的影响研究表明，当直径超过100nm后，Co纳米线磁学性质与块体Co已经没有什么区别。     

CoPt合金纳米有序阵列制备及热处理对其磁性的影响

用电化学沉积法,在阳极氧化铝模板（AAO）中成功制备了直径为φ50nm的CoPt合金纳米线的高度有序阵列。纳米线的结构和磁学特性分别用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪和振动样品磁力计（VSM）测试。结果表明,CoPt合金纳米线是以fcc结构存在。当外加磁场与纳米线的线轴平行时,测得的矫顽力Hc为2400 Oe,剩磁比为0．75,而当外加磁场与纳米线线轴垂直时,所测得的矫顽力仅为600 Oe,剩磁比为0．25。这表明纳米线阵列具有明显的各向异性,纳米线的易轴方向为纳米线线轴方向。热处理过程中合金的微结构发生了变化,可以极大地提高材料的矫顽力。     

一维Co-CdSe异质结纳米线的磁耦合及双功能性探究

利用多孔阳极氧化铝模板辅助法,在Co电解液和CdSe电解液的双槽体系中用直流电沉积法交替沉积合成一维多段Co-CdSe金属-半导体异质结纳米线。异质结纳米线的形貌、结构、磁学及光学特性分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)以及光致发光光谱仪(PL)进行表征。结果表明,Co-CdSe异质结纳米线分层明显,且同时以面心立方结构存在。Co-CdSe异质结纳米线拥有与单质金属Co纳米线相同的磁矫顽力,同时,异质结纳米线也表现优异的光学性能。     

快淬工艺对Mg2Ni型合金气态及电化学贮氢动力学的影响

以聚苯乙烯胶体晶体为模板,通过调制溅射功率和溅射时间制备了相同厚度、不同孔间距的Co有序大孔阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)考察了样品的结构和磁学特性.发现Co有序大孔阵列的矫顽力和剩磁比最大达到175.02×10-4 T和0.76,分别为Co薄膜的2.2倍和2.5倍,并且随孔间距的增大逐渐降低.结合理论分析结果表明,Co有序大孔阵列本身的形状各向异性是其取得优良磁学性能的原因,孔洞形状各向异性和薄膜本身磁晶各向异性的竞争机制是造成其磁性发生变化的物理本质.     

AAO模板合成法制备金属Ni磁性纳米线阵列的研究

利用电化学沉积法,在AAO模板上制备了铁磁性金属Ni纳米线有序阵列.通过XRD、SEM等分析测试方法研究了制备工艺与Ni纳米线结构的关系,并在此基础上研究了结构对其磁性能的影响.在恒定沉积电压为-2 V时,适当的电流密度(2 mA/cm2)以及较长的沉积时间(9 h),有助于得到沿着[220]方向的高织构性纳米线.另外,相对于多晶结构,单晶或高织构性结构的Ni纳米线具有较高的矫顽力、剩磁及更显著的磁各向异性.     

Co反点阵列薄膜的制备及形貌对其磁性的影响

采用胶体晶体模板方法,通过变换聚苯乙烯(PS)微球粒径和溅射时间制备了相同厚度的孔径1~5μm的Co反点阵列薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)考察了样品的结构和磁学特性。发现Co反点阵列薄膜的矫顽力和剩磁比最大达到253.18×10-4 T和0.85,分别为Co薄膜的3.4和2.3倍,并且随孔径的增大逐渐降低。结合理论分析结果表明,Co反点阵列薄膜本身的形状各向异性是其取得优良磁学性能的原因,孔径和孔间距这两种形状因素造成的形状各向异性的变化是其磁性发生变化的物理本质。     

非水体系中电沉积稀土永磁功能合金纳米线

利用多孔阳极氧化铝模板，在尿素-NaBr-KBr-酰胺体系中电沉积稀土-铁系金属（La-Co）合金纳米线。用扫描电子显微镜（SEM）观察（La-Co）合金纳米线的表面形貌，用磁振动样品磁强计（VSM）研究了LaCo合金的磁性。结果表明，纳米线直径较为均匀，且每条纳米线的尺寸为70～80nm，与AAO模板的纳米孔径大小相符合：X射线衍射（XRD）分析表明，La-Co合金为LaCo5晶体;在室温下呈现顺磁性的La，当与Co形成合金后，饱和磁矩接近于磁性金属Co。     

制备金属离子掺杂二氧化钛纳米线及其可见光催化

采用二次阳极氧化工艺制备了高度有序的多孔氧化铝模板,通过模板法与溶胶.电泳沉积法结合的组装技术,合成了具有高比表面积的糖葫芦状M/TiO2(M=La3 ,Fe3 )纳米线阵列体系.采用SEM对样品进行了表征,测试结果表明Ti02纳米线阵列保持了模板的有序性,直径分布均匀一致,为70 nm左右,长为15μm左右,取向性很好.以甲基橙为目标降解物,在可见光下考察该金属离子掺杂纳米线的催化活性,结果显示此纳米线阵列体系具有非常优良的可见光催化性能,与同条件下制备的薄膜试样相比可见光催化活性可以提高4倍以上.     

模板法电沉积钆钴合金纳米线阵列

在草酸电解液中用二次阳极氧化法制备多孔阳极化氧化铝(Anodic Aluminum Oxide,AAO)模板。通过对电流密度、氧化时间、电解液浓度等参数的调整,最终获得孔洞分布均匀、孔径基本一致、孔口呈六边形的AAO模板。采用不去除中间铝,用逐级降压法和电化学法减薄阻挡层,然后利用中间铝作为电极,在非水体系中以AAO为模板,直流电沉积钆钴合金纳米线阵列。经过SEM观测,AAO模板孔径在60nm左右,去阻挡层前后变化不大,制备的钆钴合金纳米线排列有序、尺寸一致;EDS测定表明纳米线为钆钴合金及少量氧化物纳米线,钆钴摩尔质量比为1:7.5,钆钴合金质量分数为90.66%;XRD分析图谱表明所得到的钆钴合金纳米线为非晶态。     

阳极氧化铝样模法制备纳米线阵列的发展趋势

在具有纳米孔洞的阳极氧化铝(AAO)模板上，电沉积金属和半导体微粒，可制备出高度有序的一维金属半导体纳米线阵列。样模法制备纳米材料是国内外竞相研究的热点，阳极氧化铝膜以其良好的高密度纳米孔径正逐渐引起人们的关注。