正电子湮没寿命谱分析结果的正确表示

正电子湮没寿命的多寿命成分分析结果通常给出了各成份的寿命τｉ及其零时相对湮没强度Ｉｉ（０），指出用零时相对或绝对湮没强度讨论分析结果不合理，只有正电子在各湮状态上的零时相对占有Ｎｉ（０）＝τｉＩｉ（０）或占有率ｎｉ（０）＝Ｎｉ（０）／∑Ｎｉ（０）才能明确的物理意义，因为正电子在态上的几率密度ｎｉ（０）与正电子湮没环境介质的结构特性密切相关，并以二态捕获模型为例对上述论点作了证明。     

金属氢化物的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法在７７－３００Ｋ温区和ｘ为０－０．８６氢浓度范围研究了Ｐｄ０．７５Ａｇ０．２５Ｈｘ和ＮｂＨｘ两种金属氢化物，叙述了获得的实验结果。     

CuO/ZnO甲醇合成催化剂的正电子湮没谱学研究

发展了用正电子湮没寿命参数测定用共沉淀方法制备的金属氧化物系固溶度的新方法。测量了一系列用共沉淀方法制备的不同CuO at％含量的CuO/ZnO甲醇合成催化剂粉末(压制成片)还原前后的正电子寿命谱。分析该种催化剂的固溶特性及其与正电子寿命参数的关系,得出还原后样品的固溶度为12CuOat％.支持了CuO/ZnO甲醇合成催化剂以Cu~+离子为活性中心的观点。     

磁场对水作用机理的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命谱仪对经过磁场处理的水样品进行了对照测量。分析结果表明,磁场能使水的氧原子的部分Ｋ壳电子向核靠近。水的稳定的３－分子集团结构可以维持水对磁化效应的记忆。     

中子辐照GaAs的变温正电子寿命研究

用正电子湮没寿命谱研究中子辐照前后半绝缘ＧａＡｓ在等时退火过程中的缺陷行为．发现辐照后的样品大约从７０℃起空位－填隙子对和空位－反格点缺陷开始复合．５００℃前空位和空位团可消除．７４０℃后可能会重新产生缺陷。ＶＡｓ是一种浅势阱，对正电子的束缚能大约为０．０３１－０．０３２ｅＶ。     

用正电子湮没寿命技术研究掺杂的InP

用正电子湮没寿命研究了多掺杂和单掺杂Ｓｎ的ＩｎＰ在不同载流子浓度、电导率和位错密度下空位浓度的变化。     

用正电子湮没实验研究PbWO_4新型闪烁晶体绿光发光机理

通过正电子湮没寿命谱研究了PbWO_4晶体退火处理前后缺陷的变化;发现氧退火后,晶体正电子寿命值τ_2变小,正电子捕获率κ增大,真空退火反之。并且PbWO_4晶体氧退火后发光主峰位从440nm移到485nm的绿光处,而真空退火晶体发射谱谱形并未变化。从不同退火处理对晶体的影响,提出了PbWO_4晶体中铅空位形成WO_3＋O~-发绿光的发光模型。     

用Monte-Carlo方法计算正电子湮没寿命谱中的衬底效应

用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟计算了＾３２Ｎａ源的正电子在不同厚度Ｍｙｌａｒ膜,Ｎｉ膜衬底中的湮没几率,得出Ｓｉ,Ｆｅ、ＰＥ,ＰＰ４种样品在不同Ｍｙｌａｒ膜厚度下的衬底效应。结果,对ＰＥ、ＰＰ样品衬底铲应较Ｓｉ、Ｆｅ等样品强,表明用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法计算衬底效应是可行的。     

聚氯乙烯共混改性的正电子湮没研究

采用正电子湮没对添加聚丙烯酯类增韧粒子的聚氯乙烯共混材料进行了研究。结果表明,随ＡＣＲ比例的上升,ＰＶＣ结构中氯原子的强电负性受到削弱,ＰＶＣ主链区和结构改性剂中自由体积缺陷尺寸及数量增加。     

腐蚀疲劳断裂过程中氢与缺陷相互作用的正电子湮没研究

用正电子湮没谱研究了40CrNiMo低合金高强钢海水腐蚀疲劳断裂后,低温释氢过程中正电子湮没H参数和寿命参数随温度的变化。实验表明H-T和寿命参数-T曲线有三个极点,分别对应于氢从晶界、位错和微空洞处释出。第一阶段断裂区晶界释氢和位错释氢多于第二阶段区。而微空洞释氢则第二阶段多于第一阶段。晶界与氢相互作用能较有利于氢沿晶界运动,促使氢致开裂沿晶发展。位错与氢相互作用使位错增殖并有利于氢的输运。氢与微洞作用促使微空洞尺寸和数目在几小时内达到并超过空气疲劳200多小时的水平,并促进腐蚀疲劳第二阶段快速断裂。估计了氢与晶界、位错和微空洞的结合能,并结合电镜结果进行了讨论。     

植物种子微孔结构的正电子湮没研究

以植物干种子芸豆和花生为生物体材料,采用正电子湮没技术(PAT)测定了该两类生物样品的正电子湮没寿命谱(PAL)。测量结果表明,在芸豆和花生内存在着大量微小的孔洞,孔洞的直径分别为0.48nm和0.7nm。植物种子的这类特殊的微孔结构是低能离子注入生物效应机理的基础。测量了注入200keV低能V离子的花生样品的PAL谱, 并与未经离子注入的花生样品的PAL谱作了比较。     

腐蚀疲劳断裂前氢与缺陷相互作用的正电子湮没研究

用正电子湮没谱和加热释氢研究了低合金高强钢人工海水腐蚀疲劳断裂前经若干小时疲劳的样品。实验结果表明,腐蚀疲劳早期阶段产生的位错、空位团以及钢中晶界是氢的捕获位,其捕获氢量随疲劳时间增加。氢与空位相互作用使空位团尺寸增加,数目增多,氢与位错相互作用促使位错增殖且随疲劳时间增加。晶界与氢相互作用能随疲劳时间、晶界捕获氢量增加而降低。碳化物沿晶析出促进了晶界捕获氢。较低的晶界-氢结合能有利于氢沿晶运动,促使预裂缝沿晶发展。     

正电子湮没技术与沸石分子筛

测量了３Ａ型及１３Ｘ型沸石分子筛在不同压强空气中的正电子寿命谱，并测量了１０Ｘ型分子筛在不同温度下焙烧后的寿命谱。测量表明：分子筛所吸附的气体对在其体内湮没的正电子有显著的影响．同时，沸石笼内水的存在也对其湮没参数有影响。研究表明，随着水的逐步脱除；笼内自由体积逐步增大；当脱水至一定程度后．笼内开始出现活性中心－质子酸。     

用正电子湮没研究12Cr1MoV钢蠕变损伤

采用正电子寿命测量研究了12Cr1MoV钢的蠕变损伤。寿命谱按三分量自由拟合进行分析。正电子平均寿命τ、缺陷寿命τ_2及其强度I_2随着蠕变损伤率的增加而增加。与形变和疲劳的研究结果不同,正电子寿命参数并未出现饱和现象。此外,当蠕变损伤率D>1％时,τ_2和τ_3增加很快,I_3可达到10％。这些特征有力地说明了在蠕变过程中空位导致空位团的生成,最后形成微孔洞。     

用正电子湮没技术研究Ni－20Al－30Fe合金中的缺陷组态

测量了铸态、热轧和定向结晶三种不同工艺的Ｎｉ－２０Ａｌ－３０Ｆｅ的ｅ＋寿命谱：ｅ＋这三种试样的缺陷中的寿命十分相近．说明ｅ＋在该合金的空位、应错和晶界中的寿命相近．合金晶界缺陷处的自由电子密度和空位处的相当。在ＮｉＡｌ合金中加入Ｆｅ元素后．改善了合金的晶界结构．