PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究

为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明：相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。     

JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法研究

本文对结型场效应管JFET输入运算放大器的增强辐射损伤方法进行了研究.结果表明,采用循环辐照一退火的方法可以使JFET输入运算放大器的辐射损伤增强,并且通过调整辐照剂量率、退火温度及时间等参数,可以评测出器件的低剂量率辐射损伤情况.文章还对这种辐射损伤方法的机理进行了分析.     

车载式核辐射探测仪控制系统的设计与实现

针对车载式核辐射探测过程中射线源搜寻、辐射剂量率测量的功能要求,设计的控制系统,实现了对探测器的机械运动控制及其状态反馈,并提出了一套温度补偿方法,实现了射线测量中温度漂移校正,满足了较宽温度动态范围下的剂量率测量要求。此方案已成功应用于车载式核辐射探测仪。     

快中子辐照对枯草芽孢杆菌的灭菌效果研究

利用快中子脉冲堆(Chinese Fast Burst ReactorⅡ,CFBR-Ⅱ)产生的快中子,采用枯草芽孢杆菌黑色变种为材料,考查了中子辐射灭菌效果及剂量、剂量率、辐照温度、照射状态等辐射灭菌影响因素.结果表明,在剂量率为7.4 Gy/min时的D10值为384.6Gy,中子剂量与存活芽孢对数满足y=-0.0026x 10.462的函数关系;在剂量为800Gy时,剂量率与存活芽孢对数满足y=7.7414X-0.0834的函数关系;升高温度有利于中子辐射灭菌;中子辐照不同状态芽孢,其存活率为:菌片＞粉末＞液体.     

CMOS器件实验室总剂量辐照评估方法研究

主要研究了LH4007RH-CMOS器件与60Co γ射线辐照总剂量、剂量率以及辐照后退火时间和温度的响应关系.试验研究表明,按照美军标1019.4试验步骤,如果器件经0.5～3Gy/s高剂量率辐照后再附加25℃的室温退火,评估氧化物陷阱电荷效应就显得不太保守.对于评估器件空间界面态效应,建议仍使用一星期 100℃的高温退火.     

剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估

为进行剂量率切换辐照加速方法适用性的数值评估,基于定量损伤物理模型和剂量率切换加速方法实验测试条件,以氢浓度、初始缺陷浓度和温度为变量,对金属绝缘层半导体(Metal insulator semiconductor,MIS)结构进行了系统的数值模拟。结果表明,剂量率切换辐照加速方法的适用性对双极器件氧化层内的氢浓度及缺陷浓度有很强的依赖。因此,剂量率切换加速方法的实验可能对部分器件和电路不再适用。     

用TDPAC方法研究~(109)Ag(α,2n)~(111)In反应中核反冲在银中引起的辐射损伤

本文报导在核反应~(100)Ag(α,2n)~(111)In中,由于~(111)In反冲在银中引起辐射损伤的初步研究结果。 分别以剂量率为0.5×10~(12) α/cm~2和1.2×10~(12)α/cm~2·s(总剂量为2×10~6α/cm~2)。能量为26MeV的α粒子,在室温和液氮温度下轰击银箔,观察到由辐射损伤引起的四极相互作用与剂量率、辐照温度、退火温度有关。在液氮温度小剂量率的辐照样品研究中,我们测量到一个“恒定”的四极相互作用尖频率ω_0为82MHz,在淬火效应的观察中,得到的四极尖频为115MHz。室温下以大剂量率和小剂量率辐照的实验中,均未见到四极相互作用尖频。     

60Coγ射线诱发人外周血淋巴细胞染色体畸变的剂量率效应

为准确估算受不同剂量率照射者的生物吸收剂量,分别采用低、中、高三种不同剂量率的60Coγ射线照射离体人血,一步法培养52h收获制片,根据染色体双着丝粒 环畸变率拟合剂量效应曲线.结果表明,相同吸收剂量点不同剂量率诱发的畸变率随剂量率的增加而增加,存在明显的剂量率效应,用低剂量率曲线估算的吸收剂量明显高于用高剂量率曲线估算的吸收剂量.因此,在估算吸收剂量时须考虑剂量率效应,应根据辐照的实际情况尽量选择剂量率相近的刻度曲线进行估算,结果才更为准确.     

低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。     

不同参数对静态随机存储器总剂量效应的影响

基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台，开展了静态随机存储器（SRAM）的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明：在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大，器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大，温度越高总剂量效应影响越弱。此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性。相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考。