用于DLTS测试的MOS结构

本文采用阳极氧化工艺制备AlGaAs/GaAs自身氧化膜,进而制成MOS结构。对氧化膜的组分和稳定性,以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。实验结果表明:经氮气退火后的氧化膜的电学性质稳定。本文得出了适合于深能级瞬态谱测试的MOS结构,及采用MOS结构进行DLTS测试的测试条件。     

InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究

利用金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)技术 ,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器 ,其有源区采用了分别限制单量子阱结构 (SCH -SQW) ,利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于 1W ,峰值波长 91 0nm± 2nm。     

周期结构光学介质实现和频波长变换分析

建立了周期结构的非线性介质在准相位匹配条件下进行和频波长变换的数学模型.以AlGaAs为例,利用该模型数值模拟了波导传输损耗、波导长度和变换效率的关系以及泵浦功率和和频功率间的关系. 结果显示,泵浦光功率、传输损耗和器件长度是影响变换信号的主要因素.     

三层C／S架构在城市地质环境信息系统中的应用——以浙江省义乌市城市地质环境信息系统为例

从体系结构的角度，分析了传统C／S结构、B／S结构和三层C／S结构的特点及优缺点，进一步阐述了利用三层C／S结构进行城市地质信息系统开发的必要性和优越性。详细介绍了三层C／S结构的3个层次：数据层、业务逻辑层和用户界面层及其各自不同的职责和通讯机制，并以义乌市城市地质环境信息系统为例介绍了三层C／S结构与面向对象技术、组件式技术相结合共同构建城市地质环境信息系统的实现方法。从分析、建模、设计、编码等不同角度证明了三层C／S结构应用于地质环境信息系统的可行性。     

客户机／服务器结构的地图数据库分布管理

叙述了客户机／服务器结构的地图数据库发展的必要性，对客户机／服务器结构的地图数据库分布管理概念，结构及网络环境进行了论述和设计。     

基于B/S结构的财务信息查询系统的应用

Internet／Intranet技术的发展，使MIS应用系统的结构相应的由传统的C／S结构向B／S结构转变。本文介绍基于B／S结构的财务信息查询系统的应用，使用过程表明：B／S结构使得MIS系统的开发和维护变得容易，系统界面更为友好。     

飞机结构EDR/ADR评定专家系统设计与实现

运用专家系统的设计思想和面向对象的程序设计方法，分析了飞机结构EDR／ADR评定和初期检查大纲制定的相关方法和知识表述形式，描述了EDR／ADR评定专家系统设计原理以及EDR／ADR评定专家知识库的设计和实现。研制了飞机结构EDR／ADR评定及初期检查大纲制定专家系统，为飞机结构损伤容限设计与评定提供了有利工具。     

GaAs/AlGaAs薄膜压阻特性研究

为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构.该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/Al0.4Ga0.6As半导体薄膜制备而成.利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了基于GaAs/Al0.4Ga0.6As压敏电阻条的加速度计结构,室温条件下利用拉曼光谱仪测试系统测试了悬臂梁上压阻薄膜的应变因子.研究了该薄膜结构的压阻效应,得到Al0.4Ga0.6As的应变因子可达70,相当于AlN-GaN超晶格结构压阻的值,有望应用于新的微机械力电耦合器件中.     

基于C/S和B/S混合模式的高校二级学院学生信息管理系统的设计

在分析学生管理工作的特点和发展趋势的基础上，针对C／S和B／S结构模式各自的优缺点，设计与实现了基于C／S和B／S混合模式的高校二级学院学生信息管理系统，给出了系统的总体结构，并对其中的学生管理系统的功能设计及系统的安全管理进行了详细的阐述。     

ITO／CuPc／Alq3／Al有机发光二极管的制备与特性测试

利用真空直流溅射和真空蒸镀的方法，制备了结构为ITO／CuPc／Alq3／Al结构的绿光双层有机发光二极管（OLED），对器件的电学特性和电致发光特性进行了测试．结果表明，器件呈现良好的光电性能，发光强度达到6．0×10^5cps，发光光谱在波长510nm时光谱相对强度为2641I／a．u．     

SiGe／Si HBT的直流特性分析

应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ　ＨＢＴ。其主要直流参数为：室温共发射极最大电流增益βｍａｘ（３００Ｋ）可达３００，低温βｍａｘ（７７Ｋ）可达８０００，厄利电压３００Ｖ，漏电流在ｎＡ量级，均为国际先进水平。同时，给出了ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的室温（大注入，小注入），低温（大注入，小注入）的输出特性曲线，进行了对比分析，详细讨论了影响室温β，低温β及其它直流参数的主要因素。     

2.5~2.7 GHz高效率低谐波失真的功率放大器

基于InGaP/GaAs HBT工艺设计了一款工作频段为2.5～2.7 GHz的高效率低谐波失真的功率放大器.该功放通过在输出匹配网络中引入多个LC谐振网络组合有效抑制了在负载处的高次谐波能量,进而提高了效率.仿真结果表明,该功率放大器在4.5 V的供电电压下,可以在2.5～2.7 GHz工作频率范围内实现37.6 dB的高增益输出,饱和输出功率可达32 dBm以及对应大于36%的功率附加效率(PAE),二次和三次谐波都小于-60 dBc.     

一种增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器

为了同时满足无限局域网(wireless local area network,WLAN)和新一代无限保真(wireless fidelity,WIFI)无线通信标准,设计实现了一款增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器(dual-band low noise amplifier with multiple gain-tunability,MGT-DBLNA).输入级采用串-并联谐振滤波网络以实现双频段输入匹配.放大级采用可调谐的有源电感作负载和偏置电压可变的电流复用结构,一方面,可通过调节有源电感的外部偏压和偏置电路的电压2种不同方式,对MGT-DBLNA的增益进行单独或联合调节,另一方面降低了功耗.输出级采用由电流镜以及共集电极放大器构成的可控缓冲器,可实现增益的进一步调节.基于WIN 0.2μm Ga As HBT工艺库进行验证,结果表明:在不同工作频率2.4、5.2 GHz下,MGT-DBLNA的增益(S21)可分别在3.9~12.3 d B、12.6~20.2 d B范围内调节;输入回波损耗(S_(11))与输出回波损耗(S_(22))均小于-10.0 d B;噪声系数(noisefigure,NF)小于3.4 d B;在5.0 V的工作电压下,静态功耗小于20.0 m W.所提出的MGT-DBLNA不仅实现了增益的大范围调节,同时也降低了功耗.     

具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGe HBT

为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.     

宽温区高热稳定性SiGe HBT的基区优化设计

为了提高SiGe异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,基区峰值浓度位置逐渐向集电极靠近可削弱器件的电流增益和特征频率对温度变化的敏感性.随后在选取基区峰值杂质浓度靠近集电极处分布的基础上,研究基区Ge组分分布对SiGe HBT的电流增益和特征频率温度敏感性的影响,减小基区发射极侧Ge组分和增加基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的电流增益对温度变化的敏感性,增加基区发射极侧Ge组分的摩尔分数和减小基区Ge组分梯度可削弱SiGe HBT的特征频率对温度变化的敏感性.在此研究结果基础上,提出了一种新型基区Ge组分分布的SiGe HBT,它拥有较高的电流增益和特征频率且其温度敏感性较弱.     

一种对负载不敏感的高功率平衡功率放大器

针对卫星通信终端,采用功率合成架构设计了一个高输出功率的平衡功率放大器。功率合成架构通过在两路放大器的输出匹配网络中引入±45°的相移,可使该平衡功率放大器具有对负载失配容忍度更高和对负载变化不敏感等特性。该平衡功率放大器采用InGaP/GaAs HBT工艺,工作电压为5 V。测试结果表明:在1.5~1.7 GHz频段内的增益为32 dB左右,饱和输出功率为38 dBm,功率附加效率为43%,当负载失配时仍能保持良好的射频特性。     

具有高频高压大电流优值的超结集电区SiGe HBT

为了在兼顾特征频率( fT )和电流增益(β)的情况下有效提高器件的击穿电压( BVCBO/BVCEO ),利用SILVACO TCAD建立了npn型超结集电区SiGe异质结双极晶体管( heterojunction bipolar transistor,HBT)的器件模型.研究表明：通过在集电结空间电荷区( collector-base space charge region,CB SCR)内引入p型超结层可有效降低“死区”内的电场强度,使较高的电场强度转移至“死区”外较深的CB SCR内,进而在几乎不增加CB SCR宽度的情况下抑制碰撞电离,达到提高击穿电压、改善fT和β的目的.随着p型超结层厚度( dp )的增加,击穿电压BVCBO和BVCEO的改善也越明显.但dp值需优化,较大的dp值将引发Kirk效应,大幅降低器件的fT和β.进一步通过优化p型超结层的dp值,设计出一款dp为0.2μm且具有高频高压大电流优值( fT ×BVCEO ×β)的新型超结集电区SiGe HBT.结果表明：与传统SiGe HBT相比,新器件的fT ×BVCEO ×β优值改善高达35.5%,有效拓展了功率SiGe HBT的高压大电流工作范围.     

低温生长SiO_2膜的性质及其在SiGe/Si HBT研制中的应用

用磁控溅射SiO2膜作为台面SiGe／SiHBT的表面保护纯化膜和光刻掩膜．测试分析了溅射工艺对SiO2膜的性质和SiGe／SiHBT性能的影响．研究发现,较高的衬底温度（200℃）有得于改善SiO2膜的质量．用溅射SiO2方法制备的HBT的电流增益明显高于用热分解正硅酸乙脂方法淀积SiO2制备的HBT．这说明溅射法避免了高温引起SiGe层应变驰豫所造成的HBT性能变差．     

SiGe异质结双极晶体管频率特性分析

在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型．模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应．同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论．