掺镁钛酸锶 (SrTiO3)陶瓷的导电机理研究

本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系. 在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol%,所有样品均在20～900℃的温度区间和3.8×10-4～2.6×10-1atm的氧分压范围被测试. 结果表明,所有样品均呈现p型半导体的导电特征,样品在不同温度下的R∝PO2-1/m关系中的m与镁的含量和温度有关. 根据X光衍射图和缺陷化学理论,实验结果得到适当的解释.     

掺镁钛酸锶(SrTiO3)陶瓷的导电机理研究

本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％,所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明,所有样品均呈现p型半导体的导电特征,样品在不同温度下的关系中的m与镁的含量和温度有关．根据X光衍射图和缺陷化学理论,实验结果得到适当的解释．     

掺铝ZnO半导体厚膜对TMA的敏感特性

研究掺铝ＺnＯ厚膜对三甲胺气体的敏感性，并讨论用于检验海产品鲜度的可能性。     

VOCs传感器敏感膜材料及敏感机理研究进展

在有机挥发性气体(volatile organic compounds,VOCs)传感器中,对VOCs产生选择性吸附作用的敏感膜是至关重要的部分,传感器的响应效能取决于敏感膜的材料和制备方法。本文总结了用于VOCs传感器的有机聚合物材料、无机纳米材料、超分子材料和复合材料等不同结构类型的敏感膜材料,通过分析其化学组成、制备方法及结构特征,探讨并比较VOCs在各种敏感膜材料上的吸附性能及相互作用机制,特别介绍了近年发展起来的金属有机框架(metal-organic frameworks,MOFs)材料在VOCs传感器中的应用及敏感机理。最后对敏感膜材料在VOCs传感器研发中面临的挑战及发展趋势进行了讨论和展望,包括传感器的灵敏度、交叉响应、寿命等性能问题,研发孔隙率高、比表面积大的敏感材料将有望解决这些挑战。     

厚膜pH传感器研究

用沉淀法制备pH敏感粉料，用厚膜和陶瓷技术制备pH厚膜传感器，测试了传感器的PH特性，分析了两种配方的有关物性结构，对于与敏感玻璃厚膜集成在同一基片上的加热厚膜电阻的应用亦作初步研究。     

钛酸锶钡薄膜中微观结构缺陷及其形成机理

采用脉冲激光沉积方法,在(001)单晶铝酸镧(LaAlO3)衬底上成功制备出钛酸锶钡(Ba0.75Sr0.25TiO3)外延薄膜.利用高分辨电子显微学对其微观结构进行了详细研究,并探讨了其微观结构缺陷的形成机理.研究发现,在钛酸锶钡外延薄膜中存在失配位错和穿透位错,且存在直线型和锯齿型的两种反相畴界.失配位错是由于钛酸锶钡薄膜与LaAlO3单晶衬底之间存在较大的晶格失配形成的,可分解为不全位错;穿透位错可以分解为不全位错伴随有堆垛层错的形成.反相畴界的形成是由于衬底表面存在台阶,直线型反向畴界是由于形核点离台阶处较近产生的,而锯齿型反向畴界是由于形核点离台阶处较远而形成.研究结果可为其它钙钛矿型外延薄膜中微观结构缺陷的形成机理提供理论指导.     

厚膜力传感器的一体化补偿

对以陶瓷双孔梁为弹性体的新型厚膜力传感器进行了零点温度漂移和零点的一体化补偿，分析了零点温度漂移和零点的补偿方法，在同一陶瓷弹性体上印刷，烧结，制备了厚膜力敏电阻，补偿厚膜热敏电阻零点补偿厚膜电阻，并较好地是实现了零点温度漂移和零点的补偿，还探讨了补偿用热敏电阻浆料性能的改进。     

敏感功能材料的气敏机理及二氧化锡在传感器中的应用研究

阐明了氧化物、导电聚合物气敏传感器的气敏原理，通过掺杂等方法，制备含有稀有金属、金属离子、金属氧化物、多组分金属氧化物、导电聚合物传感器及阵列电鼻子的研究现状和应用范围，并对其发展提出了看法。     

Fe3+对钛酸锶稀薄燃烧氧敏薄膜电阻的影响

利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜，掺杂不同含量的铁离子，并测试了不同氧分压、温度下薄膜的电阻。发现铁离子的含量在20mol％～25mol％之间时，掺杂对钛酸锶电阻的降低有明显的影响，含铁在20％和25％的钛酸锶在600～800℃之间电阻的变化趋近为零，铁的含量大于25％或小于20％薄膜没有出现这种现象。     

7258型水氧表氧传感器结构改进及废旧氧传感器的回收处理

7258型水氧表是一种可连续监测水中溶解氧浓度的专用仪器。氧传感器是水氧表的重要组成部分.水氧表性能的优劣与氧传感器有着直接的联系。本文简要介绍了氧传感器的结构和工作原理,对氧传感器在装配和结构上存在的不合理之处进行了详细分析,并提出了具体的改进措施。此外,在废旧氧传感器的回收处理方面做了尝试性工作,收到了较为满意的效果。     

BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化机理的研究

探讨了烧结温度、冷却条件及 Nb_2O_5添加量对 BaTiO_3、SrTiO_3陶瓷半导化的影响。实验结果表明:在添加0.1～0.7mol%的 Nb_2O_5时,SrTiO_3陶瓷的电导率随 Nb_2O_5添加量的增加而增大,而 BaTiO_3陶瓷在0.15mol%附近出现最大值。烧结温度和冷却条件对 SrTiO_3陶瓷和添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的半导化都有很大影响。采取适当的冷却条件,也能使 Nb_2O_5添加量>0.15mol%的 BaTiO_3陶瓷的电阻率显著降低到10Ω·cm 左右。本文讨论了 BaTiO_3和 SrTiO_3陶瓷的半导化机理,认为 SrTiO_3陶瓷的半导化是施主离子所诱发出的晶格中的氧挥发所致,而 BaTiO_3陶瓷则由两种机制所控制。在 Nb_2O_5添加量<0.15mol%时,电价补偿起主要作用;当 Nb_2O_5含量增加到>0.15mol%时,就变成取决于冷却条件的氧挥发所控制。喇曼光谱实验也证明了这一点。     

膜厚影响SnO_2厚膜型气敏元件敏感特性的研究

采用丝网印刷技术制备不同膜厚ＳｎＯ２厚膜气敏试样,在不同温度下进行热处理后测定了试样的阻温曲线和对乙醇气体的灵敏度,结果表明制备不同膜厚试样的气体灵敏度不同,阻温曲线也不同．要制备灵敏度高、一致性好的气敏器件,调整控制膜厚和及其热处理温度至关重要．     

TiO2氧敏元件的研究和发展概况

TiO2材料作为氧传感器具有广泛的应用．本文介绍了TiO2氧传感器的工作原理和制作过程中采用的三种工艺，即陶瓷烧结体、厚膜和薄膜技术．并对如何提高氧传感器的性能进行了探讨．     

膜厚对SnO2厚膜型气敏器件灵敏度的影响

本文通过制备不同膜厚的纳米SnO₂厚膜型气敏器件试样,测量试样对乙醇气体的灵敏度和试样的阻温曲线并进行复阻抗分析,研究了试样的膜厚对灵敏度的影响．SnO₂纳米材料由化学沉淀法制备,采用平面丝网印刷技术制作不同膜厚的气敏试样．结果表明,试样膜厚在65μm左右对乙醇气体具有最大灵敏度．膜厚对灵敏度的影响可能与膜层的晶粒接触状态如接触面积、气孔率、气孔宽度和深度等发生变化有关．     

SrTiO3独石化晶界层电容器研究

本文研究了低温烧结ＳｒＴｉＯ３晶界层瓷料系统中Ｂｉ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、ＳｉＯ２等掺杂剂对瓷料半导化及烧结特性的作用与影响，讨论了将这种瓷料应用于常规多层陶瓷电容器制作技术的工艺特点和技术关键。实验表明，利用晶界偏析技术制造ＳｒＴｉＯ３独石化晶界层电容器是一条可行性好的技术路线。     

膜厚对SnO2厚膜型气敏器件灵敏度的影响

本文通过制备不同膜厚的纳米ＳｎＯ２厚膜型气敏器件试样,测量试样对乙醇气体的灵敏式样的阻温曲线并进行复阻抗分析,研究了试样的膜厚对灵敏度的影响,ＳｎＯ２纳米材料由化学沉淀法制备,采用平面丝网印刷技术制作不同膜厚的气敏试样,结果表明,试样膜厚在６５μｍ左右对乙醇气体具有最大灵敏度,膜厚对灵敏度的影响可能与膜层的晶粒接触状态如接触面积、气孔率、气孔密度和深度等发生变化有关。     

掺Nb的SrTiO_3内边界层高介电常数材料

掺 Nb 的 SrTiO_3内边界层高介电常数材料,其相对介电常数(?)值高达7.2×10~4,介电耗损角正切 tgδ<2.5×10~(-2),介电常数的温度系数α_r<2.0×10~(-3)K~(-1),电压系数α_v<5.0×10~(-3)V~(-1)。它不仅是制作电容器的极好材料,而且是压敏电阻材料,其微分电导 dI/dV 在小于击穿电压范围为:(1.15/V~(1/2))×10~(a+bV~(1/2))。材料的特性跟烧结后的晶粒尺寸、过量的 TiO_2和扩散杂质的选择有极其密切的关系。     

气氛对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响

本文探讨了气氛对低温一次烧结 SrTiO_(?)陶瓷晶界层电容器材料的影响。结果表明:在同一烧结温度下,强还原气氛会使材料内的晶粒充分长大,赋予材料优良的性能。这是因为强还原气氛改善了液相的特性而促进烧结的进行;更主要的则是因为强还原气氛通过降低氧分压和改善液相特性增强氧挥发而促进晶粒的生长。     

BaPbO3/Ag复合体系大功率厚膜电阻浆料的研究

提出以BaPbO3/Ag复合体系作为功能相制备低成本大功率厚膜电阻浆料的思想,研究Ag含量、峰值烧结温度对厚膜电阻电性能和热稳定性的影响,并从导电机理方面对实验结果进行了分析讨论.