喷雾热解法制备掺锑氧化锡透明导电膜

以四氯化锡和三氯化锑为原料,采用喷雾热分解的方法在片状日用玻璃基材和石英玻璃基材上制得掺锑氧化锡(ATO)透明导电薄膜。运用XRD和SEM分别对薄膜的结构和形貌进行了表征。研究了锑的掺杂量、成膜温度和沉积时间对薄膜方阻和在可见光范围内的平均透过率的影响。实验结果表明,当三氯化锑的掺杂量为四氯化锡的8%(物质的量分数)、成膜温度为550℃、喷涂时间为12 s时,可使所得薄膜的方阻达最低,为40Ω/□,可见光范围内的平均透过率为70%。     

钯钛锡锑金属阳极电解槽试验小结

钯钛—锡锑涂层是在钛基体上先涂复少量氯化亚钯和钛酸四丁酯的混合溶液,并在一定条件下进行热处理,然后再涂复四氯化锡与三氯化锑的混合溶液,从而形成一种导电性能和耐腐蚀性都比较良好的涂层。其主要设想是通过钛来提高钯的结合力或耐蚀性,又通过钯来提高锡锑涂层     

锑掺杂量对ATO薄膜结构及光、电性能的影响

以四氯化锡和三氯化锑为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同锑掺杂量的纳米锑掺杂二氧化锡（ATO）薄膜。分别利用XRD、FESEM、紫外可见分光光度计和四探针电阻仪对晶体结构、薄膜形貌、光透过率和薄膜方块电阻进行表征,考察锑掺杂量对ATO薄膜晶体结构、晶粒尺寸、光透过率和导电性能的影响。结果表明：所制备的ATO薄膜为（110）面择优取向的四方相锡石结构,晶粒尺寸小于26 nm,当锑掺杂量为10%（物质的量分数）时,ATO薄膜具有最小的方块电阻（60.1 Ω/□）,可见光透过率大于85%。     

日本发明新型透明材料

日本大阪府立产业技术综合研究所最近开发出可遮挡电子仪器发出的电磁波的透明材料，这种新材料是在常温下将氧化铟锡薄膜固定在透明塑料上制成的。而氧化铟锡薄膜是利用在真空罐中加上高压电而产生等离子的方法，在大约１ｍｍ厚的聚碳酸酯板上取得。通过控制真空罐内的氧气的流量，可以得到不同特性的氧化铟锡薄膜。这种新型材料不仅可遮挡电磁波，而且透明，可用于需要透光的显示器、仪表和医疗器械上。日本发明新型透明材料     

纳米银线透明导电薄膜产业专利重要申请人分析

纳米银线导电薄膜是掺锡的氧化铟薄膜在柔性、大屏幕显示领域最有优势的替代材料,是透明导电薄膜领域的重点研发方向。本文通过对纳米银线透明导电薄膜专利技术的全球重要申请人、全球技术主题分布、重点申请人的重点专利的梳理,研究了重要申请人的技术动态以及银线透明导电薄膜产业未来的发展趋势,力求对处于研发、生产、应用等不同阶段的企业的发展提供技术动态和建议。     

合肥物质科学研究院于方块电阻的均匀性和雾度取得重要进展

正银纳米线透明导电薄膜兼具优异的导电性、可见光透过性和柔韧性,已经成为传统透明导电薄膜材料氧化铟锡(ITO)的有力竞争者,有望在柔性电子器件中逐渐替代ITO材料。然而,目前限制银纳米线透明导电薄膜实际应用的瓶颈问题不是其导电性差和可见光透过率低,而是方块电阻的均匀性差和雾度大,而解决这两个问题的关键在于能否得到性能优异、稳定的涂布液。     

电子器件用新型耐热介电薄膜

最近日本化学周报报导日本工业技术院制成一种划时代耐热薄膜材料(以氮化物为基体的介电薄膜)用于电子器件。这种薄膜材料以氮化铝和氮化硼为基体,通过反应蒸发,成为10μ的高质量单晶薄膜。在该院的计划中,研究开发部承担了以氮化物     

采用四氯化锡提高玻璃强度

西德“Firma Th Goldschorid AG”公司采用四氯化锡处理空心玻璃制品表面。据称,曾在饮料并与食品杯上喷涂四氯化锡,以形成薄膜,敷盖住玻璃表面的微孔和微裂纹,提高     

水对常压CVD法制备SnO_2:F透明导电薄膜雾度的影响

为制备高雾度、高透过和高导电透明导电薄膜玻璃,采用常压CVD法在硼硅玻璃基板上分别以单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱物、三氟乙酸(TFA)为掺杂剂、去离子水为催化剂,制备了Sn O_2:F透明导电薄膜。研究了不同水用量对薄膜雾度的影响,并分析影响雾度变化的机理。结果表明:通过调节水的用量可实现高雾度、高透过和高导电薄膜的生成。随着水用量的增加,薄膜平均晶粒尺寸、结晶度和雾度先增大后减小;当水用量为MBTC摩尔量的1.5倍时,制备出雾度为14.3%、可见光透过率为76.8%、方块电阻为3.2?/□的薄膜。水的加入和用量的调节有效的解决了雾度和透过率之间相互影响的难题。     

活用金属网格透明导电技术的触控感测薄膜

金属网格(Metal Mesh)透明导电薄膜是由日本柯尼卡·美能达公司运用自有的喷墨喷头与墨水及各种材料技术所开发而成。此产品可描绘宽度5μ的细线,其电阻比现在市面上所使用的ITO薄膜下降至为0.3Ω/□,且具备弯曲性。用于触控面板的感测薄膜,是运用研发至今的金属网格透明导电薄膜技术所开发,施以Patterning搭配上引线路,其目的为提高方便性与其附加价值。今后也将凭借双面Patterning达到     

溶液组成对喷雾热解法制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜性能的影响

以四氯化锡和氟化铵为原料,异丙醇和水为溶剂,采用喷雾热解法,在载玻片上制备氟掺杂二氧化锡导电薄膜(fluorine-doped tin oxide,FTO)。研究了四氯化锡浓度、氟化铵浓度、双氧水浓度、异丙醇与水的体积比对FTO薄膜的透光率和方块电阻的影响。运用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测试仪分别对FTO薄膜进行了表征。结果表明:在喷雾热解液中加入少量的H2O2(0.05mol/L)可明显提高FTO薄膜在可见光区的透光率,而不影响其方块电阻;当喷雾热解液组成为0.8mol/LSnCl4,0.1mol/LNH4F,0.05mol/LH2O2,异丙醇与水的体积比为8:2,衬底温度为500℃,喷涂100次时,所得FTO薄膜在可见光区的平均透光率为84%,方块电阻为15Ω/□,且FTO薄膜平整致密、二氧化锡晶粒均匀。     

锑掺杂氧化锡纳米粉体的制备研究

以五水氯化锡和三氯化锑乙醇溶液为原料制备得到前驱体锑掺杂氢氧化锡胶体沉淀,采用乙酸异戊酯共沸干燥法对前驱体进行干燥;用XRD,TEM,IR,BET等方法对粉体的物相、形貌、分散性和比表面积进行表征.结果表明,乙酸异戊酯干燥所得的锑掺杂氢氧化锡微粉经热处理后得到了团聚少、分散性好、晶体颗粒小、粒度均匀的锑掺杂氧化锡纳米粉体.     

氯化乙丙烯共聚物——乙丙烯共聚物合成及其氯化物的研究

氯化聚烯烃是一类新型的高分子材料,由于它具有各种优良的工艺性能、物理机械性能,引起人们日益重视。目前在美国、日本、英国和意大利等国家,将氯化聚烯烃制成多种多样产品(弹性制品、塑料制品、薄膜、涂料、粘合剂等)应用于各生产行业及经济部门。为了扩大氯化聚烯烃的品种和使用,本文对氯化乙丙烯共聚物的合成与性质进行了研究。前曾报导,用ZQ型Ti系高效催化剂于乙丙烯共聚的研究,表明在很广的单体比例范围内均具有比乙烯均聚高得多的催     

日本开发输电用炭纤维材料

日本关西电力公司发表新科研成果说,它开发成功了一种导电性能与铝相同的炭纤维材料,并计划3年后将它制成电线。炭纤维由于导电性能低,一般不透于制成电线。但是日本这家公司使用高温加热、添加氟材料等方法提高了它的导电性。由于碳是一种轻材料,有一定的强度,热膨胀率小,因此用它作电线比铝材料有许多优点,而且能够降低建设输电线路的成本。日本开发输电用炭纤维材料     

金属纳米线的制备及其在电子材料中的应用

随着电子器件向集成化、柔性化的发展,传统锡铅焊料、氧化铟锡薄膜等电子材料已经不能满足导电、导热、柔性等性能的要求。金属纳米线具备优异的光电性能和独特的一维结构,以其为关键成分的新材料成为传统电子材料最具潜力的替代品。金属纳米线产业链的发展涉及原料、设备、工艺与应用多方面,但关键技术在于金属纳米线的大规模、低成本、绿色高效制备。综述了近年来金属纳米线的主要制备方法,包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、模板法、溶剂热法以及多元醇法,并对金属纳米线在导电胶、透明导电薄膜、热界面材料等电子材料的最新应用进展进行了概述。     

PLA/PANI基导电薄膜研究进展

导电复合薄膜的基料与填料主要为石油基的不可降解材料,破坏生态环境。为确保达到产品要求的化学、机械和生物性能,介绍了生物基热塑性导电薄膜基料、填料的种类和导电聚苯胺的掺杂方法。综述了聚乳酸/聚苯胺基复合材料和聚乳酸/聚苯胺导电薄膜的研究进展,为今后生态导电薄膜技术的开发提供参考。     

掺锡氧化铟薄膜应用于电热玻璃

用直流磁控反应溅射技术,在玻璃表面淀积掺锡氧化铟透明导电薄膜(简称ITO膜),成功地应用到飞机、机车、船舶等电热玻璃上.该技术的研究成功,为我国电热玻璃的更新换代闯出了新的途径.本文介绍了ITO薄膜的特性、导电原理及其制备方法,对关键工艺参数进行较详细地讨论.实验结果表明,以ITO膜为导电材料制备的电热玻璃,克服了以往电热玻璃所有缺点.并且,还具有独特的光学性能,既可节省能源,又对驾驶员的身心健康起到了保护作用.     

导电薄膜材料的研究进展

导电薄膜材料由于导电性好、透射率高、可弯曲折叠等优点，在光电转换、电热转换、电磁转换等领域应用广泛。薄膜材料的导电填料主要包括金属及其化合物、碳基材料和导电聚合物。单种导电材料往往难以适应导电性和稳定性的双重需求，两种或两种以上的导电材料以掺杂或组装的方式制备复合导电薄膜表现出更好的导电性和环境稳定性，表面改性是改善导电材料与衬底结合强度的有力方法。以导电性能为重点综述了各类导电薄膜材料的特性及优缺点，提出改善导电薄膜材料导电性和稳定性的建议，为导电薄膜材料的研究提供参考。     

透明超级电容器电极的制备及其电化学性能研究

超级电容器因其充电速度快、使用寿命长、无污染以及免维护等特征,已经受到了越来越多国内外研究者的关注。本文研究了使用氧化铟锡-聚对苯二甲酸乙二醇酯(ITO-PET)导电薄膜和氧化石墨烯制备透明电极的方法。采用电沉积法将氧化石墨烯沉积到ITO-PET透明导电薄膜的表面制备得到电极材料,并研究其性能。     

制备导电氧化锡膜的新方法

日本东洋纺织株式会社最近在世界上首次开发了水溶性锡化合物,利用它可以制备价格低廉、工艺简便的透明导电性氧化锡薄膜。开发的水溶性锡化合物的商品名为SN-2。该化合物星无色透明的液体,成分为Sn,C,H,O,完全不含Cl。pH值为1±0.5,粘度(CPS)在10以下。