ITO薄膜的XPS和AES研究

分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明,退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧缺乏两种化合状态存在,其结合能值分别为（５２９．９０±０．３０）ｅＶ和（５３１．４０±０．２０）ｅＶ．氧缺位状态主要分布在薄膜表层各元素在薄膜体内分布均匀而在膜基界面存在金属富集     

氧化锌纳米薄膜材料的制备及AES,XPS研究

利用直流气体放电活化反应蒸发方法制备了ＺｎＯ纳米薄膜，运用多种分析手段研究了ＺｎＯ纳米薄膜的表面形貌、组成、结构以及表面性质，讨论了ＺｎＯ纳米薄膜的ＡＥＳ和ＸＰＳ普线宽度与粒径之间的关系，解释谱线加宽的基本原因。     

氧化锌纳米薄膜材料的制备及AES,XPS研究

利用直流气体放电活化反应蒸发方法制备了ZnO纳米薄膜，运用多种分析手段（AES，XPS，SEM，XRD等）研究了ZnO纳米薄膜的表面形貌、组成、结构以及表面性质，讨论了ZnO纳米薄膜的AES和XPS谱线宽度与粒径之间的关系，解释谱线加宽的基本原因。     

氮化钛薄膜的高分辨AES谱和XPS谱研究

着重讨论了ＴｉＮｘ薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和Ｘ射线光电子谱中线形的变化。利用已夼组元强度定量分析技术的ＬＭＶ俄歇电子峰，探讨ＴｉＮｘ薄膜中Ｎ含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与Ｘ射线光电子谱定量结果相致，同时，利用Ｘ射线光电子谱测定了ＴｉＮ和Ｔｉ２Ｎ２Ｐ轨道的结合能。并针对Ｔｉ２Ｐ峰形随Ｎ含量的变化，给出新的解释。     

金属／石墨界面扩散反应的AES研究

利用扫描俄歇微探针的深度分析和线形分析，研究了石墨与金属Ｔｉ，Ｃｒ之间的界面状态和相互作用。研究结果表明，样品真空热处理后，在Ｔｉ／石墨、Ｃｒ／石墨薄膜界面上发生了界面扩散和化学反应，生成了ＴｉＣ和Ｃｒ３Ｃ２等金属碳化物物种，促使Ｔｉ，Ｃｒ薄膜与界石墨形成了良好的化学结合状态。     

金属/石墨界面扩散反应的AES研究

利用扫描俄歇微探针的深度分析和线形分析，研究了石墨与金属Ti,Cr之间的界面状态和相互作用。研究结果表明，样品经真空热处理后，在Ti/石墨、Cr/石墨薄膜界面上发生了界面扩散和化学反应，生成了TiC和Cr     

合金氧化膜的AES分析技术及其应用研究

根据俄歇电子能谱（ＡＥＳ）的深度分布图，得到不同区域的膜厚和在此区域中的元素富集因子与材料性能之间的关系。并以３０４不锈钢在高温水中生成的氧化膜为例，探讨膜厚和元素铬的富集因子与材料抗应力腐蚀性能之间的关系。     

Al－Cu薄膜结构对电子迁移的影响

通过实验了解Ａｌ－Ｃｕ固溶体多晶薄膜的析出效应。这种多晶薄膜的析出动力学对于大块的有衬底的Ａｌ－Ｃｕ薄膜和无衬底的单晶薄膜是不同的。用俄歇电子能诺在４５～７５ｅＶ动能内测量的Ａｌ（ＬＶＶ）峰和Ｃｕ（Ｍ２，３ＶＶ）峰分别为６７．８ｅＶ和６０．０ｅＶ。     

俄歇电子能谱定量分析方法及其在Ni3Al中的应用

基于相对灵敏度因子，提出了一个无需直接借助于标样的含基体效应修正的俄歇定量计算方法，为保证该方法的实用有效性，两个必要性条件是测量数据的统计重复性好以及对合金电化学状态敏感的修正因子的恰当选择，作者用此法成功地进行了Ｎｉ７６Ａｌ２４和Ｎｉ７６Ａｌ２４－Ｂ两种合金的定量分析。     

铜上采用镍过渡层化学气相沉积金刚石薄膜的研究

采用镍过渡层研究了铜基片上金刚石薄膜的化学气相沉积．镍过渡层与铜基底间在高温退火条件下形成的铜镍共晶体明显地增强了金刚石薄膜与铜基片之间的结合力．用扫描电子显微镜和激光Ｒａｍａｎ谱研究了薄膜的形貌和质量;采用高温氢等离子体退火工艺在基片表面形成的铜镍碳氢共晶体上抑制了无定形碳和石墨的形成,有利于金刚石薄膜的生长．金刚石薄膜的均匀性受到共晶体的均匀性的影响．     

硅基PZT热释电薄膜湿法刻蚀技术研究

通过对不同组合比的PZT薄膜湿法刻蚀技术研究,成功地配制出两种不同的刻蚀液,主要以HF、NH4F、HCl、NH4ClEDTA、HNO3为原料,NH4F、NH4Cl和EDTA的引入,有效地实现了刻蚀速率的可控性,并对PZ0.15R0.85、PZ0.3T0.7、PZ0.5T0.5和P1.1Z0.3T0.3四种薄膜进行微图形化研究,分析了刻蚀液对各种成份的刻蚀机理,通过实验,得到了分别刻蚀四种薄膜的刻蚀液的最佳配比,并对四种薄膜的刻蚀速率进行了研究。     

用扫描俄歇微探针研究Au-Ag/Si体系异质界面电迁移

应用自建的超高真空原位装置及扫描俄歇微探针（SAM）技术，研究了AU－Ag／Si体系的表面电迁移现象。观测到清洁St表面上的Au／Ag／Si和Ag／Au／Si复层薄膜在直流电场作用下呈现明显的两相分离，Au，Ag分别向着外加电场的正极和负极方向快速迁移扩展，总的迁移速率对Au／Ag／Si约为0．63μm／s而对Ag／An／Si为0．37μm／s。实验结果表明，复合膜的结构，即其形成次序虽不影响An，Ag各自原有的电迁移方向，但影响其迁移扩散机制。并对上述现象及其相应的微观机制进行了初步分析。     

Thermal Diffusivity Measurement for Titanium Thin Films on Copper Substrate by Laser Produced Plasmas

The transport properties of condensed phase materials are, in principle, dependent on the local structure and composition of the specimen. This is particularly evident near the free surface of a solid alloy specimen where the morphology, composition, and thermal diffusivity exhibit significant depth dependence, as demonstrated in an earlier study of the depth-resolved thermal diffusivity of a galvanized steel specimen. A new non-contact method was used, based on time-resolved, spectroscopic measurement of the total mass removed from the specimen surface representatively in elemental composition by a high-power laser pulse. A new study of a titanium thin film of varying thickness deposited on a copper substrate is presented. The titanium thin film is first fabricated in a vacuum and then immediately analyzed for composition and thermophysical properties in situ, both by the method of representative laser-produced plasmas (LPP). Successive ablation layers of the thin film, as exposed by LPP ablation, have revealed the dependence of the thermophysical properties on film thickness as well as on depth. The existence of a characteristic length over which the substrate influences the dynamics of thermal transport in the titanium thin film has also been observed.     

Er2O3／Si外延薄膜表面和界面组分研究

利用X射线光电子能谱方法对Si基Er2O3外延薄膜的化学组分进行了分析。在X射线照射样品和氩离子轰击使样品减薄的过程中没有诱发其他的化学反应。研究了清洁的Si和有氧化层的Si衬底上外延生长的Er2O3薄膜的表面和界面化学组分情况,并对上述两种不同的衬底上外延生长Er2O3薄膜的生长模式进行初步探讨。     

磁控溅射沉积铀薄膜组织结构研究

采用扫描透射电镜 (STEM) ,研究了铝上磁控溅射沉积铀薄膜的形貌、组织、结构以及铀薄膜的生长模型。结果表明 :磁控溅射沉积铀薄膜是由微晶和非晶态两态组成 ,属层状 岛状生长模型。     

硬质合金YG8上金刚石薄膜的成核研究

利用调节基底表面碳流量的方法促进了热丝ＣＶＤ中硬质合金ＹＧ８上金刚石薄膜的成核，使成核期大为缩短，根据扫描电镜和拉曼光谱对沉积结果的分析，研究了ＹＧ８上金刚石薄膜成核的机理。     

XPS研究金属铀氧化反应动力学

X射线光电子能谱技术被广泛用于研究材料表面研究。XPS谱图能够准确及时反映10¹ nm深度内材料表面元素组成与结构信息。利用激发电子的穿透特性,XPS能够作为半定量的研究手段。本文利用XPS测厚技术研究了金属铀在5×10^-6 Pa氧气压力、温度低于413 K条件下的氧化反应动力学行为,在该研究条件下金属铀初始氧化遵循抛物线规律,反应活化能为23.9 kJ/mol。