ATO/CaSO4复合导电粉制备的研究

复合导电粉具有良好的导电性、稳定性和分散性,广泛用于防静电、电磁屏蔽等诸多领域.采用共沉淀法在硫酸钙晶须表面包覆一层ATO来制备ATO/CaSO4复合导电粉,并研究制备条件对导电粉电阻率的影响.结果表明,最佳制备条件为:Sb/Sn摩尔比1∶10,硫酸钙晶须浓度7.5％,水解温度35℃,水解pH6,煅烧温度650℃,煅烧时间2h.     

锑掺杂氧化锡包覆氧化钛浅色导电粉的过程与模型

为了掌握沉淀反应包覆掺锑氧化锡膜形态和工艺参数对导电粉电阻率的影响规律,本文中详细研究了采用沉淀法在氧化钛表面包覆掺锑氧化锡的过程。通过采用透射电镜观察包覆产物结构,并对不同pH值下的包覆产物进行了光电子能谱分析。结合氧化钛和氧化锡水溶液的Zeta电位,提出了包覆过程和模型。结果表明:包覆过程是先均相形核,然后锡溶胶靠静电引力与范德华力共同作用吸附在氧化钛表面;当沉淀pH=2时,氧化锡以直径为5nm胶粒单层密排在氧化钛表面,此时导电粉具有最佳导电性。     

锑掺杂氧化锡包覆氧化钛浅色导电粉的过程与模型

为了掌握沉淀反应包覆掺锑氧化锡膜形态和工艺参数对导电粉电阻率的影响规律．本文中详细研究了采用沉淀法在氧化钛表面包覆掺锑氧化锡的过程。通过采用透射电镜观察包覆产物结构,并对不同pH值下的包覆产物进行了光电子能谱分析。结合氧化钛和氧化锡水溶液的Zeta电位．提出了包覆过程和模型。结果表明：包覆过程是先均相形核．然后锡溶胶靠静电引力与范德华力共同作用吸附在氧化钛表面：当沉淀DH=2时,氧化锡以直径为5nm胶粒单层密排在氧化钛表面．此时导电粉具有最佳导电性。     

Fe3O4水基磁流体的制备及表征

采用化学共沉淀法制备了具有超顺磁性的纳米Fe3O4颗粒,并在清洗之后对其进行了双层包覆,首先用油酸钠进行第一层包覆,然后分别用聚乙二醇(PEG-)6000和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)完成第二层包覆,从而得到了稳定的Fe3O4水基磁流体。分别用XRD、IR、TEM和VSM对所得产物进行了表征,探讨了表面活性剂包覆机理和加入时机。研究表明,所得磁流体具有良好的分散性和稳定性,未包覆的Fe3O4颗粒的饱和磁化强度为80.380emu/g,用油酸钠和PEG-6000双层包覆后的颗粒的饱和磁化强度达到60.529emu/g。以PEG-6000为外层包覆剂的磁流体的分散稳定性优于以SDBS为外层包覆剂的磁流体的分散稳定性。     

导电PMMA/ATO纳米复合材料的制备及性能

以掺锑二氧化锡(ATO)粉为导电填料,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基体,采用原位聚合法制备了导电PMMA/ATO纳米复合材料;分析了ATO粉的预处理对复合材料导电性能的影响,并对其热性能和力学性能进行了研究。结果表明,延长球磨时间,可大幅度降低复合材料的体积电阻率;ATO纳米粒子的加入使PMMA主分解温度范围变窄,残余量增大,热稳定性提高;随着纳米粒子含量的增加,复合材料的储能模量提高,玻璃化温度降低。第二分相促使ATO颗粒在基体中形成明显的导电网络结构,使导电性能得到进一步提高。     

一维导电掺锑氧化锡粉体的制备和表征

为了探究一维导电掺锑氧化锡的制备条件,分别以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为Sn源和Sb源,以NaOH为沉淀剂,添加Na_2SiO_3·9H_2O和Na Cl作为烧结助剂制备掺锑氧化锡(ATO)纳米棒,研究前驱体反应条件对ATO形貌和结构的影响;在硅酸铝纤维表面沉积ATO前驱体并高温焙烧制备导电纤维,研究不同煅烧温度对ATO沉积硅酸铝导电纤维导电性能的影响。结果表明:在Na_2SiO_3·9H_2O与Na Cl的协同作用下,高温焙烧后可制备形貌规则、晶型良好的ATO纳米棒;当焙烧温度为900℃时,导电纤维的导电性最佳。     

均匀沉淀法制备核-壳型TiO2@SbxSn1-xO2及其导电性能

以尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法包覆改性TiO₂,制备了核壳型TiO₂@Sb_xSn_1-xO₂（ATO）复合导电粉体,利用SEM、EDS、HRTEM、XRD、XPS、顺磁波谱仪（EPR）、FTIR及激光粒度仪（LPSA）等对其进行表征,并对其导电性的主要影响条件进行了研究及分析,提出了均匀沉淀包覆及反应机制。研究表明,反应温度为92℃时,尿素与金属阳离子摩尔比为10∶1的情况下,OH-释放量及释放速率适中,引入SO₄2-作为催化剂,降低金属阳离子成核能垒,且SO₄2-与Cl-最佳摩尔比为1∶25时,所得产品的纳米Sb_xSn_1-xO₂（ATO）壳层在TiO₂表面包覆均匀连续完整,其厚度约为15 nm。当包覆完全时,随着Sb掺杂量增加,复合粉体电阻率降低,Sn与Sb摩尔比达到12∶1时,再增加Sb含量,其电阻率不变。最优制备条件下,复合粉体电阻率值为7.5 Ωcm,导电性能良好。      

CaSO4晶须在PVC复合体系中的应用研究

用红外分光光度计、X射线粉末衍射仪和光学显微镜对CaSO4晶须A、B和C进行结构表征和形貌观察。结果表明,晶须A、B和C的长径比为5.2、9.1和3.3,经改性的晶须B晶体结构规整,缺陷最少。分别制备了以3种晶须为补强材料的PVC复合体系,讨论了晶须结构对CaSO4晶须/PVC复合体系的力学性能、绝缘电阻和200℃静态热稳定时间的影响。用光学显微镜、扫描电镜和热重分析仪分析了晶须在复合体系中的分散形态和体系的热稳定性。研究发现,长晶须A和B对复合材料的增强增韧和热稳定作用好于短晶须C、CaCO3和气相法白炭黑。经改性的晶须B与PVC树脂有良好的相容性和界面结构,体系的拉伸强度、断裂伸长率和热稳定时间分别达到了23.20MPa、380.85%和95min,可以看出,长径比大,结晶性良好,且经过改性的CaSO4晶须能明显提高复合体系的综合性能。     

硅氧烷改性WPU/ATO复合分散体的制备与性能

将合成的水性聚氨酯(WPU)与纳米氧化锡锑(ATO)复合,得到了功能性WPU/ATO复合分散体,研究了γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH560)的交联反应及其对薄膜性能的影响。FT-IR结果确认了KH560硅醇间的缩合反应,以及KH560的环氧基与WPU中羧基之间的酯化反应。缩合和酯化等反应实现了功能性薄膜的后交联,既显著改善了薄膜的附着力、硬度和耐水性,又保障了良好的透过率和隔热效果。当KH560用量为3.0%(质量分数),ATO用量为7.0%(质量分数)时,薄膜附着力为0级,硬度达2H,吸水率为10.7%,可见光透过率为70.1%,红外屏蔽率达到66.5%,薄膜满足了透明和隔热的双重要求。     

Sb-SnO2包覆硅藻土多孔导电材料制备及表征

以硅藻土为基核采用共沉淀法,制备Sb-SnO2包覆前驱体,通过焙烧制备了多孔结构导电复合材料.Sb-SnO2包覆率影响产物导电性、焙烧温度影响Sb-SnO2晶胞参数和晶粒大小,进而影响产物导阻率.采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET、FT-IR对样品进行了表征,采用四探针仪测试样品导电性能.当n(Sn)/n(Sb)=8/1、包覆率为25.8%、700℃焙烧样品电阻率最低为22 cm,并具有介孔结构,孔径为6 nm.     

纳米ATO粉体的制备及性能表征

以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制备了纳米级锑掺杂二氧化锡(ATO)粉体。研究了制备过程溶液pH值对ATO粉体粒径的影响。运用差热-热重(DTA-TG)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试方法对粉体的热分解情况、晶型、粒径及形貌进行了表征。研究结果表明,ATO粉体为四方金红石型结构,平均粒径为60nm左右,团聚较少。     

共沉淀法制备ATO纳米粉末及其光吸收性能

以SnCl4.5H2O和SbCl3为主要原料,采用共沉淀法制备ATO纳米粉末,用DSC-TG、XRD、FESEM、反射率测试等方法对制得的ATO粉末的形貌、微观结构和激光吸收性能等进行表征。研究结果表明:324℃附近有一个结晶放热峰,说明样品开始发生晶化;XRD分析表明ATO为SnO2四方金红石结构,煅烧温度提高到800℃以后,结晶趋于完善;合成的ATO粉末为不规则球形,初始粒径约为30nm;由于锑的掺杂引起的非化学计量缺陷产生了大量载流子,产生等离子激元效应,并且随着纳米尺寸的减小,纳米晶比表面积增大,因此造成红外吸收峰宽化。     

纳米ATO粉体的表面改性研究

采用偶联剂对纳米ATO(氧化锡锑)粉体进行表面改性,综合考察了偶联剂的品种与用量、反应时间及反应温度对表面改性效果的影响,从而确定最佳表面改性条件.利用红外光谱(FTIR)、热重分析(TGA)以及光吸收率等表征手段来研究表面改性的效果及分散状况.结果表明,纳米ATO粉体表面改性的最佳条件为:选用硅烷偶联剂KH570,添加量为2份,反应水浴温度为80℃,反应5h.     

纳米ATO的制备及应用进展

目的 总结纳米ATO的制备方法以及应用等最新研究进展.方法 分别从液相法、固相法、气相法等三大类对纳米ATO的制备方法优缺点进行阐述总结,并结合ATO的透光和隔热特点对其应用现状进行详细描述.结果 液相法所制备的纳米ATO纯度高、均匀性好,是目前制备纳米ATO最常用的方法,并在特种包装以及隔热薄膜和涂层等领域具有重要应用.结论 化学接枝和结构改性能改善纳米ATO粒子在聚合物材料中的分散,可以进一步改善和拓宽纳米ATO的应用范围,这也是未来纳米ATO研究的重要发展方向之一.     

CdSe/聚苯胺导电复合材料的制备与表征

通过固相法合成了CdSe纳米粒子,采用化学氧化聚合法,在十二烷基苯磺酸钠(NaDBS)存在的条件下,采用氧化剂(同时也是催化剂)过硫酸铵(APS)氧化苯胺(An),制得了CdSe/聚苯胺导电复合材料,并探讨了CdSe的掺入量对导电复合材料的影响.Cdse/聚苯胺导电复合材料用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、红外光谱(FT-IR)和四探针电导率测试仪进行了表征.     

聚苯胺/MCM-41介孔分子筛导电复合材料的制备及其表征

利用MCM-41介孔分子筛单分散孔道特性作为"纳米反应器",在其孔道内合成聚苯胺.讨论了HCl浓度、(NH4)2SO8浓度和聚合温度对复合材料导电性的影响,得到最佳的聚合条件:HCl:1.5mol/L,(NH4)2SO8:1.0mol/L,聚合温度:15℃,此时的电导率为0.61s/cm.在最佳合成条件下,对聚苯胺/MCM-41介孔分子筛导电复合材料进行SEM、红外光谱分析.     

导电聚偏氟乙烯/碳纳米管复合膜的制备与性能研究

通过浸没沉淀相转化法制备了聚偏氟乙烯/多壁碳纳米管导电复合膜,研究了复合膜的亲水性、导电性、通量、表面形态以及机械性能。研究表明,碳纳米管的加入可以使复合膜中的β相增多,α相减少。扫描电镜表明通过超声分散处理可以使碳纳米管均匀地分散在聚偏氟乙烯基质中,同时由于碳纳米管的加入,复合膜的亲水性、通量、导电性、介电常数以及机械性能都得到了改善。     

抗菌羟基磷灰石的一步合成及其表征

采用共沉淀法制备羟基磷灰石(HAP),将硝酸银均匀加入反应体系中,通过温度、酸度和搅拌状态控制实现一步合成载银羟基磷灰石(Ag/HAP),该法操作简单,载银均匀,载银量易于控制,克服离子交换法和机械混合法载银的不足,其载银机理包括共沉淀和离子交换载银。所得Ag/HAP经750℃高温处理,未见分解,其结晶度提高,用最小抑菌浓度法(MIC)测得Ag/HAP对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌有良好的抑菌性,其最小抑菌浓度为7.385×10-5。