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相似文献
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1.
采用高温固相法制备了Sr2SiO4.SrCl2∶Eu2+荧光粉,并研究了材料的发光特性。X射线衍射结果显示,Sr2SiO4.SrCl2∶Eu2+材料是由SrCl2∶Eu2+和Sr2SiO4∶Eu2+构成的复合化合物。以320nm紫外光作为激发源,测得材料的发射光谱呈宽谱特征,覆盖350~600nm。在0.5%~2%范围增大Eu2+掺杂量时,位于蓝色光区域的发射峰位置没有变化,为403nm,处于长波方向的发射峰呈现出先红移、后蓝移的变化趋势,但两发射峰的强度均明显减小。监测两发射峰,所得结果分别对应SrCl2∶Eu2+和Sr2SiO4∶Eu2+材料的激发光谱,覆盖250~400nm。分析认为,材料的光谱分布及发射强度的变化与晶场环境及处于不同Sr2+格位上Eu2+间的能量传递等有关。  相似文献   

2.
用溶胶-凝胶优化法合成了红色荧光粉MMoO4∶Eu3+(M=Ca、Sr、Ba),通过SEM、PL表征了荧光粉的形貌及发光性能。结果表明:烧结温度为800℃时,颗粒粒度分布均匀,粒径约为0.5-1μm,有很好的分散性;掺杂0.25molEu2O3在395nm和464nm两主激发峰下,均可得到616nm处红光发射极峰,属于Eu3+典型的5 D0→7F2的跃迁所致;助熔剂NH4F明显提高了钼酸盐荧光粉的发光强度;通过比较M0.5MoO4∶Eu03.+25,Li0+.25(M=Ca、Sr、Ba)发光性能得知:在395nm激发下,Ca0.5MoO4∶Eu30.+25,Li0+.25荧光粉最有利于提高发光强度。  相似文献   

3.
采用高温固相法制备了Sr3-xSiO5∶xEu荧光粉,研究了不同还原气氛对该荧光粉的物相结构、发光性能和颗粒形貌的影响。结果表明,不同还原气氛下制得的荧光粉样品的物相结构与Sr3SiO5基本一致,但都含有Sr2SiO4中间相;还原气氛中氢气比例越高,样品发光强度越高,而且样品颗粒越大。此外,Eu2+离子浓度在1%~9%(摩尔百分数,下同)之间变化,发射光谱峰值从575nm红移到588nm。Eu2+离子浓度为5%时,发光强度最大,达到123.5(Eu2+离子浓度为1%时发光强度为100)。  相似文献   

4.
尚进  邱克辉  鲁雪光  赵昆  张莉 《中国测试》2013,(2):69-72,105
采用高温固相法在还原气氛下合成橙红色荧光粉(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+,并用X射线衍射仪和荧光分光光度计对合成的样品进行表征。结果表明:合成样品的晶体结构与Sr3SiO5相同,(Sr1-xBa)x3-ySiO5∶y Eu2+的荧光光谱为宽带谱,激发峰发射主峰分别位于365nm和592~609nm。随着Eu2+和Ba2+掺杂浓度的不同,样品的热稳定性和发射峰也发生了相应的变化。最终,并对其机理进行简单讨论。  相似文献   

5.
樊国栋  赵琪  陈华  李阿峰 《功能材料》2013,44(9):1226-1229
以尿素为燃料硼酸为助熔剂,采用燃烧法合成了Sr2CeO4∶Eu3+、Tb3+发光材料。测试结果表明,当Tb3+的掺杂为1%(摩尔分数)时,合成的样品为单相Sr2CeO4斜方晶系结构,其样品的激发光谱为240~370nm的宽带双峰,发射光谱为400~550nm宽带峰,余辉衰减曲线的结果显示,适量的掺杂Tb3+可以提高产品的发光性能。与Sr2CeO4∶Eu3+相比,掺杂Tb3+有利于形成结晶度好的固溶体,样品的发光强度明显提高。  相似文献   

6.
采用高温固相法合成了Sr2Al2SiO7∶Re(Re=Eu2+,Ce3+)荧光粉,研究了Eu2+和Ce3+在该基质中的发光特性,以及Eu2+、Ce3+共掺时的能量传递现象。研究表明Sr2Al2SiO7∶Eu2+激发光谱呈宽带激发,最大发射峰位于513nm,Eu2+最佳掺杂浓度为5%(摩尔分数)。Sr2Al2SiO7∶Ce3+有两个激发峰,分别位于300和337nm,发射峰位于406nm,当Ce3+浓度达到2%(摩尔分数)时发射强度最大。Eu2+和Ce3+在该体系共掺时存在Ce3+到Eu2+的有效能量传递,有利于提高体系的发光效率。  相似文献   

7.
采用高温固相法在还原气氛下合成了Sr2-xB5O9Cl:xEu2+蓝色荧光粉,为四方晶系结构。Sr2-xB5O9Cl:xEu2+的激发光谱为一强而宽的谱带组成,发射光谱是位于439nm附近的宽带发射。研究了Sr2-xB5O9Cl:xEu2+荧光粉的最佳合成温度以及Eu2+及Tb3+的浓度对样品发光性能的影响。结果表明:温度为850℃、Eu2+和Tb3+的掺杂浓度分别为8%和4%时,Sr2-xB5O9Cl:xEu2+发光粉的发光强度最好。Sr2-xB5O9Cl:xEu2+中Eu2+发光中心的浓度猝灭主要是由于电四极-电四极相互作用引起的。  相似文献   

8.
通过燃烧法合成了Sr2CeO4:RE材料,研究了Sr2CeO4材料的结晶过程和发光性质及Pr3+,Nd3+和Eu3+稀土离子在Sr2CeO4基质中的发光性能.实验通过燃烧法制得的前驱体在1200℃焙烧2 h可得均一的Sr2CeO4相,较传统方法的合成时间大为降低.稀土离子Pr3+,Nd3+和Eu3+的在基质中的少量掺杂(0.02%)均可使Sr2CeO4在475 nm左右的特征发射谱峰明显变宽增强,且Eu3+离子的掺杂可使材料在510 nm,540nm,610 nm左右产生多个明显的稀土离子的特征发射峰.实验合成的发光材料具有良好的发光性能,证明Sr2CeO4材料可作为一种优良的发光材料的基质使用,为寻找新型的发光材料提供了一条新的途径.  相似文献   

9.
采用溶胶凝胶法合成了Sr3Al2O6:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料,利用X射线衍射仪(XRD)对材料的物相进行了分析,采用荧光分光光度计、照度计测定了样品的发光特性。XRD结果表明:随着煅烧温度的升高,SrCO3杂相的衍射峰越来越弱,Sr3Al2O6相的衍射峰越来越强,1200℃时发光基质为纯的Sr3Al2O6相,1250℃时出现新的SrAl2O4杂相。激发光谱和发射光谱结果表明:长余辉发光材料的激发峰位于473nm,发射峰位于612nm,归属于Eu2+的4f65d1→4f7特征发光。温度升至1250℃时,Eu2+的发射峰为612nm和520nm,后者归属于Eu2+在发光基质SrAl2O4中的发光。综合分析得制备Sr3Al2O6:Eu2+,Dy3+发光材料合适的煅烧温度为1200℃,在此温度下,材料具有较好的初始亮度和余辉时间。  相似文献   

10.
采用高温固相法合成了Sr5(BO3)3Cl:Eu3+新型红色发光材料,并对其结构和发光特性进行了研究。X射线衍射测试表明合成材料为纯相Sr5(BO3)3Cl晶体。材料的主发射峰位于587,596,613nm和626nm,对应Eu3+的5 D0→7F1,7F2辐射跃迁。监测626nm发射峰,激发光谱主峰位于392nm,可被InGaN管芯有效激发。通过时间分辨光谱测得Eu3+离子5 D0能级的荧光寿命约为2.28ms。研究了Eu3+离子掺杂浓度对Sr5(BO3)3Cl:Eu3+发光性能的影响,结果随着Eu3+离子浓度的增大,样品的发光强度先增大后减小,最佳掺杂浓度为16%(摩尔分数)。计算了Eu3+离子浓度猝灭的临界距离为1.46nm。测量了不同Eu3+浓度样品的色坐标,均位于色品图红光区,符合NTSC标准。  相似文献   

11.
采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法合成了Eu^3 掺杂的SrB4O7、SrB2O4、Sr2B2O5、Sr3B2O6荧光体.荧光光谱测试结果表明在不同基质中Eu^3 的荧光发射是有区别的,Sr2B2O5:Eu^3 、Sr3B2O7:Eu^3 发射峰在610nm左右的红光区,SrB2O4:Eu^3 的发射峰在593nm的橙色区,而SrB4O7:Eu^3 则表现出了Eu^2 离子的特征峰,产生这种区别主要是由Eu^3 所处的配位环境不同造成的.荧光体SrB4O7:Eu^3 、SrB2O4:Eu^3 、Sr2B2O5:Eu^3 、Sr3B2O6:Eu^3 的最佳掺杂浓度为2%左右.  相似文献   

12.
微波场作用下球形亚超细 CaS:Mn2+,Eu2+的快速合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
在微波场作用下,首次快速合成了球形亚超细尺寸的CaS: Mn2+,Eu2+ 深红色荧光体,SEM 照片显示其粒径为250 400nm,并可观察到纳米粒子的团聚现象,呈现零维纳米材料的特性. 实验结果证实,Mn2+与Eu2+离子间存在着能量传递过程,因而Mn2+对Eu2+的发光具有明显的敏化和增强作用.  相似文献   

13.
采用高温固相法制备了红色荧光粉MMoO4:Eu3+(M=Ca,Sr,Ba),用XRD和荧光分光光度计对其物相及发光性能进行表征和研究。结果表明,在800℃时可得到MMoO4(M=Ca,Sr,Ba)物相结构。分别以395nm的近紫外光和465nm的可见光激发样品,MMoO4:Eu3+(M=Ca,Sr,Ba)荧光粉发红光,对应于Eu3+的4f-4f跃迁,其中以616nm发光最强。荧光粉在395nm和465nm的吸收分别与紫外光和蓝光LED芯片相匹配。  相似文献   

14.
采用高温还原法合成了Eu,Ti共激活橙红色Y2O2S长余辉发光材料,并测量了Y2O2S:0.03Eu,0.03Ti磷光体的荧光光谱,余辉分辨和余辉衰减曲线谱.实验结果表明,Y2O2S:0.03Eu,0.03Ti磷光体的发射谱由一系列Eu^3+离子内部能级跃迁的尖峰组成;余辉分辨谱则不同,由一个主峰位于565nm的宽发射带和一系列波长范围位于500nm以上的窄发射带两种峰形组成,可分别归为Ti离子的宽带余辉发射和三价Eu^3+的线状余辉发射,分析认为,样品中存在Ti余辉发射向Eu^3+内部能级间产生选择性的余辉传能机制,从而导致Y2O2S:0.03Ti,0.03Eu磷光体中同时出现两种发光中心离子的余辉分辨谱现象.  相似文献   

15.
A series of Eu2+ doped KCaPO4 phosphors were prepared by high temperature solid state reaction and an efficient blue-green emission was observed. The photoluminescence (PL) spectrum of the phosphor appeared one asymmetric peak under near-ultraviolet (n-UV) excitation and two emission bands at 480 nm and 540 nm were obtained using Gaussian fit, which was because Eu2+ ions inhabited two different Ca2+ sites: Eu(I) and Eu(II) in the host lattice, respectively. The excitation spectrum was a broadband extending from 250 to 450 nm, which matched well with the emission of ultraviolet light-emitting diodes (UV LEDs). The effect of Eu2+ concentration on the emission intensity of KCaPO4:Eu2+ phosphor was investigated in detail.  相似文献   

16.
Ba3MgSi2O8:Eu2+, Mn2+ phosphors were synthesized by the sol-gel method and high temperature solid-state reaction method, respectively. XRD (X-ray diffraction), FT-IR (Fourier transform infrared spectroscopy), PL (photoluminescence spectra), and PLE (photoluminescence excitation spectra) were measured to characterize the samples. Emission and excitation spectra of our Ba3MgSi2O8:Eu2+, Mn2+ phosphors monitored at 441, 515, and 614 nm are depicted in the paper. The emission intensities of 441 and 515 nm emission bands increase with increasing Eu2+ concentration, while the peak intensity of the 614 nm band increases with increasing Mn2+ concentration. We conclude that the 515 nm emission band is attributed to the 4f(6)5d transition of Eu2+ ions substituted by Ba2+ sites in Ba2SiO4. The 441 nm emission band originates from Eu2+ ions, while the 614 nm emission band originates from Mn2+ ions of Ba3MgSi2O8:Eu2+, Mn2+. Nano-crystalline Ba3MgSi2O8:Eu2+, Mn2+ phosphors prepared by the sol-gel method show higher color rendering and better color temperature in comparison with the samples prepared by high temperature solid-state reaction method.  相似文献   

17.
The Sr2SiO4:Eu3+, Dy3+ phosphors for white light emitting diodes (LEDs) were synthesized by the sol-gel method. The microstructure and luminescent properties of the obtained Sr2SiO4:Eu3+, Dy3+ particles were well characterized. The results demonstrate that the Sr2SiO4:Eu3+, Dy3+ particles, which have spherical morphology, emitted an intensive white light emission under excitation at 386 nm. The phosphors show three emission peaks: the blue emission at 486 nm corresponding to the 4F(9/2)-6H(15/2) transition of Dy3+, the yellow emission at 575 nm corresponding to the 4F(9/2)-6H(13/2) transition of Dy3+, and the red emission at 615 nm corresponding to the 5D0-7F2 transition of Eu3+. At the same time, the effect of Eu3+ concentration on the emission intensities of Sr2SiO4:Eu3+, Dy3+ was investigated in detail. The phosphors used for white LEDs were obtained by combining near ultraviolet (NUV) light (386 nm) with Sr2SiO4:0.04Dy3+, 0.01Eu3+ phosphors with the characteristic of Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) chromaticity coordinate (x, y) of (0.33, 0.34), and color temperature Tc of 5,603 K. In addition, the effect of the charge compensators (Li+, Na+, and K+ ions) on the photoluminescence (PL) emission intensities were studied.  相似文献   

18.
钼酸锶红色荧光粉的燃烧合成及其表征   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用燃烧法合成了SrMoO4:Eu3+红色荧光粉,用X射线衍射(XRD)和荧光光谱对其结构和发光性能进行了表征。研究了燃烧温度、保温时间、Eu3+和电荷补偿剂Na+浓度对荧光粉发光性能的影响,确定了燃烧合成SrMoO4:Eu3+红色荧光粉的优化工艺参数。SrMoO4:Eu3+荧光粉样品的激发光谱在200~350nm之间有一个宽带主激发峰和分别在近紫外394nm、蓝光465nm处有2个次激发峰,其红光发射峰位于617nm处。  相似文献   

19.
通过固相反应法在1000℃空气气氛中合成了In2(MoO4)3:Eu3+、Bi 3+红色荧光粉。粉体分别用X射线衍射(XRD)、荧光分度计测试。结果表明制备的荧光粉具有单相立方晶体结构,该荧光粉能够被近紫外光(395nm)有效激发,发射高强度的612nm红光。Eu3+浓度为40%(摩尔分数)时,In2(MoO4)3:Eu3+发光强度较高。In2(MoO4)3:0.4Eu3+、Bi 3+荧光粉,Bi 3+浓度为3%(摩尔分数)时,发光强度最大,高于没有掺Bi 3+的In2(MoO4)3:0.4Eu3+荧光粉。和CaMoO4:Eu3+相比,In2(MoO4)3:0.4Eu3+、0.03Bi 3+有较高的发光强度。因此,In2(MoO4)3:0.4Eu3+、0.03Bi 3+是一种可能应用于近紫外白光LED的新型红色荧光粉。  相似文献   

20.
The yellow SrSi2O2N2:Eu2+ phosphor has been synthesized by using a simple solid-state reaction method with Sr2SiO4:Eu2+ as the precursor. It shows a broad excitation band extending from 250 to 520 nm and an asymmetric emission band with a main peak at about 550 nm. The emission intensity of the SrSi202N2:Eu2+ is about 1.2 times higher than the commercial yellow phosphor YAG:Ce3+ (P46-Y3). The temperature- dependent luminescence characteristic of SrSi202N2:Eu2+ has been investigated in this paper. With increasing temperature, the emission band of SrSi202N2:Eu2+ shows anomalous blue-shift along with decreasing emission intensity and the broadening full width at half maximum (FWHM). Particularly, compared with YAG:Ce3+ (P46-Y3), the yellow SrSi202N2:Eu2+ phosphors exhibit higher thermal stability due to their weaker electron-phonon coupling strength (1.1), lower stokes shift (0.0576 eV) and larger activation energy (0.288 eV). All these results indicate that SrSi202N2:Eu2+ yellow phosphors have potential application for white light-emitting diodes (LEDs), What's more, an energy level scheme is constructed to explain the anomalous blue-shift phenomenon.  相似文献   

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