50nm及50nm以下同步辐射X射线光刻光束线设计

X射线光刻相对于其他下一代光刻技术而言有许多优点,比如其工艺宽容度大、成品率高、景深大、曝光视场大、成本低等,更为重要的是,其技术已经比较成熟。对于100nm同步辐射X线光刻系统而言,它采用的波长通常为0．7-1．0nm,而当光刻分辨率达到50nm以下时,采用的同步辐射X射线波长范围应该为0．2—0．4nm。探讨了在北京同步辐射3B1A光刻束线上进行50nmX射线光刻的可能性。     

同步辐射光刻技术研究进展

光刻技术是推动集成电路制造业不断向前发展的关键技术。X射线光刻技术是下一代光刻技术的一种，具有产业化的应用前景。掩模技术是X射线光刻技术的难点，本文报告了国内利用同步辐射源的X射线掩模和光刻技术研究的最新进展。     

50nm X射线光刻掩模制备关键技术

X射线光刻(XRL)采用约1nm波长的X射线,是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言,XRL能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等,是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺,因而工艺成本很低。掩模制造技术是XRL开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于50nm XRL的掩模制备的关键技术。     

现代光刻技术

作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式X射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软X射线投影光刻技术(EUVL)、离子投影光刻技术(IPL)等下一代光刻技术(NGL)将会在特征线宽为100-70nm的技术节点介入集成电路制造的主流技术中。从目前NGL技术发展的趋势和市场需求的多元化来看,竞争的结果很可能是各种NGL技术并存。当特征尺寸进入纳米尺度(≤100n／n)以后,最终只有那些原子级的成像技术才能成为胜者。     

用LIGA技术制作微马达构件

阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程，并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻，得到了深度为500μm，深宽比达8．3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时，对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。     

快前沿脉冲信号发生器

本文介绍采用ECL集成电路制成的脉冲信号发生器,电路形式简单,脉冲前沿小于100ps。振荡器部分采用ECL“四线接收器”接成闭环电路实现振荡,能产生出低于10Hz和高于100MHz的方波。脉宽控制部分采用两个脉冲宽度相减的电路方式,可得到小于10ns的窄脉冲,最大脉宽为振荡器相应振荡周期的一半。脉冲幅度连续可调范围为±35mV至±5V。输出阻抗为50Ω。     

主泵提升装置在核电厂NCC&CFT的应用

简要介绍中国改进型三环路压水堆(CPR100)核电厂一回路冲洗试验(NCC)和冷态功能试验(CFT)中主泵的安装调试现状。在核电厂主泵电机缺位的情况下,对主泵转子提升装置进行了使用试验,结果表明该提升装置安全可靠、性能优异,可推广至CPR100及欧洲先进压水堆(EPR)核电厂项目建设,以降低施工风险。     

一种低功耗能量色散X光管控制电源的研制

针对低功耗能量色散X光管供压电源的要求,研制一种满足条件的电源控制器。该控制器采用集成电路设计,主要包括：稳压电源电路设计、可调控制器电路设计。经过性能测试,该控制电源输出电压具有良好的线性和稳定性,能满足小功率X光管的供电应用。     

放射性同位素X射线荧光技术在地质勘探中的应用

我们设计的携带式放射性同位素X射线荧光仪和X射线荧光测井仪具有以下特点:(1)仪器主要采用微功耗COS/MOS集成电路;(2)便于携带和野外使用;(3)仪器性能稳定。这种仪器已在我国铜、铁、铬、、钼、铀、锡等许多矿种上得到了应用。     

脉宽可调纳秒脉冲产生器

简要介绍了脉宽可调纳秒脉冲产生器的仪器结构、工作原理、电路设计、技术指标和镜子费措施，通过采用数字集成电路与模拟电路相结合，实现了在一台仪器中同时产生两种不同脉宽且脉宽可调的纳秒信号。