79Se-AMS示踪研究亚毒性剂量亚硒酸钠摄入的硒代谢

长寿命放射性核素79Se的半衰期长达2．8×10^5a，其放射性比活度（单个原子的活度）约1×10^-14Bq。79Se衰变时仅放射出能量为150．7keY纯β射线，对生物组织甚至细胞的辐射损伤远小于75Se，而79Se的加速器质谱测量方法（795e—AMS）具有灵敏度高、相对测量准确性高以及测量精度高等特点，因而适合于长周期、无损伤的生物示踪研究。     

表面线圈垫补二极铁磁场均匀性

高分辨率的离子质谱计要求分析磁铁具有很高的磁场均匀性。串列加速器升级工程ISOL要求质量分辨率20000,分析磁铁均匀性好于1×10^-5。现有的机加工和装配水平磁铁均匀性只能做到±1．5×10^-4,磁铁加工完成后还需对磁铁进行垫补。本文采用表面线圈（图1）的方法对现有的1块C型二极铁进行垫补。     

二甲基羟胺存在下四价钚的反萃动力学

用恒界面池法实验考察了DMHAN／H_N03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系中Pu（Ⅳ）的反萃动力学。实验结果表明：在选定实验条件（转速295r／min,温度18．8℃,钚浓度1．30×10^-6～1．30×10^-4mol／L）下,DMHAN／HN03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系q~Pu（IV）的反萃属于扩散控制。     

151Sm半衰期及其γ射线强度测定

151Sm为裂变产物核素,有较高的裂变产额。本工作开展对151Sm半衰期的精确测定。151Sm利用反应堆照射通过150Sm（n,γ）反应得到。照射后经过冷却后利用热电离质谱对151Sm／150Sm原子比进行了测定,测定结果为151Sm／150Sm原子比=（3．750±0．002）×10^-3.     

裂变产物核136Sn原子数的γ能谱法测定

裂变产物136Sn是一种长寿命纯β放射性核素,半衰期为（2．35±0．07）×10^5a。该核素是核工程对环境长期污染的重要指示核素,对于它的超高灵敏测量将为监测环境中的核污染提供重要的信息。     

222Rn-220Rn分辨探测器的刻度与比对

为了保证测量质量,采用实验室新改进的^222Rn-^220Rn分辨探测器在南华大学氡实验室进行了刻度,并参加了日本NIRS组织的国际比对。结果显示,^222Rn-^220Rn暴露量与径迹密度之间有很好的线性关系,相关系数分别是0．9894、0．9885;^222Rn、^220Rn刻度因子分别为4．27±0．40Tacks cm^-2（kBq.m^-3．h）^-1、2．33±0．39 Tracks cm^-2（kBq·m^-3．h）^-1。纯^222Rn条件,测量值与NIRS提供的参考值的相对百分偏差（RPD）和变异系数（COV）分别为12％、7．7％,达到了英国NRPB规定的B级水平,在美国EPA规定的可接受的控制限之内;高^220Rn条件,^220Rn测量值的RPD和COV分别为22％、4．8％。有关^220Rn测量偏差偏高的原因有待进一步探讨。     

中子辐照下钼的低温热激活变形和辐照软化

本文对退火和应力释放两种热处理中,钼在低温变形条件下的中子辐照效应进行了研究。样品在高通量同位素反应堆的冷却剂温度下进行辐照,剂量在7．2×10^-5-0．28dpa（单个原子的辐照损伤位移）之间。拉伸测试在-50～100℃下进行,应变速度为1×10^-5～1×10^-2s^-1。基于拉伸测试数据的热激活分析被用来研究低温变形机理。退火后的钼在低剂量辐照后,出现辐照软化效应以及屈服应力对测试温度和应变速率的依赖性降低的现象。高剂量的中子辐照只会引起冷硬化。应力释放的钼与测试温度和屈服应力的应变速度的依赖性要弱于退火后的钼,而且其在辐照前后的屈服应力基本不变。激活参数实验值与位错模型的理论预测比较表明：四方应变位错反应的弗舍尔模型预测了清除作用,与双纽模型相比较,其对激活过程进行了更好的描述。辐射与测试温度及应变速率之间不断减弱的依赖关系可以用因中子辐照造成的间隙溶质的俘获作用而引起有效应力的降低来解释。     

西安地区大气环境气溶胶样品中放射性核素监测

利用大流量气溶胶采样器和HPGeγ谱仪系统对西安大气气溶胶中放射性核素^7Be、^212Pb和^214Pb进行了为期一年的采样监测。得到各核素年平均浓度分别为6.68×10^-3Bq·m^-3、0.65 Bq·m^-3、16.06 Bq·m^-3。-7Be的浓度在春季较高,最高值为16.64×10^-3 Bq·m^-3,浓度变化有明显的季节性特征;^212Pb和^214Pb的浓度在冬季达到最大值1.71 Bq·m^-3和50.11 Bq·m^-3。浓度变化有显著的季节性特征。通过分析表明,降水是影响^7Be、^212Pb和^214Pb浓度的主要因素,各核素的月平均浓度在降水量最大的八月达到最小值。监测过程中,未测到^137Cs等人工放射性核素。     

中国原子能科学研究院的PX-AMS系统及其应用(英文)

加速器质谱(AMS)中的入射离子X射线方法是为解决AMS测量中重核同量异位素而发展的一种方法(PX AMS),在中国原子能科学研究院建立了PX AMS方法之后,利用这套系统开展了79Se,75Se,64Cu等核素的PX AMS方法测量,基于此技术实现了79Se,75Se半衰期的测量和64Cu放射性核束强度及库仑激发截面的测量。     

Purex流程中溶剂辐解稳定性研究

在乏燃料后处理Purex流程中,TBP／稀释剂由于辐照作用降解对工艺造成危害。本工作采用三种稀释剂：正十二烷,加氢煤油,特种煤油。30％TBP／稀释剂分别以0．1～3mol／LHN03溶液平衡后用60Co源辐照至剂量为5×10^3-5×10^6Gy。对Purex流程中几种主要的辐解产物进行分析测定,对辐照后的样品进行了钚保留试验观测。     

实验低温冷板排气装置的设计

正在研制的100MeV紧凑型回旋加速器要求主真空的真空度为5×10^-6Pa,其主真空泵的抽速要求为140000L／s,为此需采用低温冷板排气系统。为了熟悉低温技术和模拟低温冷板排气系统,特设计和研制了实验低温冷板排气装置。     

双羟基脲与Np（Ⅳ）络合常数的测定

应用分光光度法和溶剂萃取法研究了硝酸溶液中双羟基脲（DHU）与Np（Ⅳ）的配位行为。图1为加入不同浓度DHU后Np（Ⅳ）的HN03溶液在650～1000nm范围内吸收光谱的变化，根据Np（IV）在960n／n处吸光度随DHU加入量的线性变化关系，求得配合物一级累积稳定常数为r1．20±0．30）×10^8。     

限口法拉第筒性能的初步测量

在5SDH串列加速器上对自制限口法拉第筒（LOFC）的性能进行了初步性能测试。质子束流强度约为50nA，质子能量为3．4MeV，真空度为1×10^-7Pa。由于束流强度较小，束流存在一定的不稳定性，因此，利用六通在与零度方向成30。位置放置金硅面垒探测器进行侧向束流监测。     

碳离子辐射大丽花矮化突变体的RAPD分析

大丽花经兰州重离子加速器提供的80MeV／u12C6＋离子束辐照后产生矮化突变体,用随机扩增多态性（Random Amplified Polymorphic,RAPD）DNA技术对野生型和突变体进行检测分析。结果表明,在所用的25条引物中,1．80×10^8／cm2剂量辐照后有18条引物扩增出现多态性片断,扩增条带多态率19．57％;1．08×10^8／cm2剂量辐照后仅有6条引物扩增出现多态性片断,扩增条带多态率5．76％。用]accard公式对扩增产物进行统计分析,结果表明,两种剂量c6＋辐照后与对照相似性系数分别为0．65和0．92。高剂量辐射后DNA易发生突变,在品种改良和诱变育种中相对较高剂量的选择可能更为有效。     

0.70～2.48 MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°（实验室坐标系）背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据,为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。     

用于高真空环境材料的表面绝缘处理技术实验研究

正在研制中的100MeV紧凑型回旋加速器的主真空室内（真空度5×10^-6Pa）需安装许多出气率底、小变形且易加工的绝缘零部件：尼龙、聚酰亚胺等有机绝缘材料真空中的出气率较大;石英、陶瓷等无机绝缘材料材质比较脆,难加工。金属材料作为基体进行表面绝缘处理所形成的绝缘材料满足使用要求。     

光中子源的优化设计

文章研究了基于9MeV电子加速器的光中子源的优化设计问题,提出了使X射线最有效地转换为中子的光中子转换靶的最优形状。利用蒙卡程序MCNP5设计了体积为20L的重水光中子转换靶,当加速器的平均电流为100μA时,中子产额可达2.3×10^11n／s。通过增加特定形状的石墨反射层使更多的中子向前发射,正前方10m处中子注量率可达8.55×10^4n／（cm^2·s）。文中还计算了出射中子的能谱、空间分布和时间特性。     

磁轭上剥离靶安装孔对磁场影响的模拟计算

根据CYCIAE一100束流剥离靶系统要求：在主磁铁的磁轭上开两个φ30mm的孔用于安装束流剥离靶，孔的角度位置分别为59．4°和239．4°，偏离加速器中心9．6°的位置处。根据磁路定理，磁轭上开孔将影响磁极中心平面的磁场分布。考虑到主磁铁中心平面磁场的对称性，现有下列3种方案可供考虑：1）按照剥离靶系统的要求，分别在59．4°和239．4°的位置处各开1个孔.     

利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法测定79Se的半衰期

利用加速器质谱学中的入射离子X射线方法(PX-AMS)对79Se的半衰期进行了测定.用这一直接测量79Se原子数的方法得到新的79Se半衰期为(2.80±0.36)×105a.利用同样的方法也测定了75Se的半衰期,75Se半衰期的测定结果显示利用PX-AMS方法对79Se半衰期的测定结果是可靠的.     

Determination of ^129I in IAEA-375 Reference Material

^79Se是一长寿命、纯β裂变产物核素，β能量为0．151MeV。^79Se半衰期已被测量过5次，每次测得数据间在误差范围内不吻合。随着新的测量手段的不断涌现，对^79Se半衰期重新进行测量很有必要。