电沉积法制备PbS薄膜的XRD分析

采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的晶相组成的影响.结果表明:在U=3.0 V时,可制备出沿(111)晶面取向生长的立方相PbS薄膜;随沉积电压从3.0 V增加到4.5 V,薄膜的生长取向从(111)晶面变为(200)晶面,且PbS衍射峰的强度越来越强,到18 V时达到最强.     

电压对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响

采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及紫外/可见/近红外光谱仪对薄膜的结构和光学性能进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的相组成、显微形貌以及光学性质的影响.结果表明:在U=18 V,pH=2.5,沉积时间为20 min,加入EDTA作络合剂的情况下,可制备出沿(111)和(200)晶面取向生长的立方相PbS薄膜.薄膜组成均匀而致密,对紫外线有较强的吸收作用,而对可见光有较好的透过作用.随沉积电压增加,薄膜的结晶性变好,光吸收性能明显增强.     

基片温度对纳米金刚石薄膜制备的影响

采用多模谐振腔微波等离子体CVD在不同基片温度下制备了纳米金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱测试,研究了基片温度对纳米金刚石薄膜性能的影响.结果表明：在其他工艺条件不变时,基片温度对薄膜性能具有较大的影响,较低的基片温度更有利于制备高质量的纳米金刚石薄膜,实验所获得的优化基片温度为720℃左右.     

不同碳源对金刚石薄膜制备的影响

采用等离子辅助热丝化学气相沉积(PAHFCVD)装置,分别用甲烷和乙醇为碳源进行了金刚石薄膜的制备。并运用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试手段对沉积的金刚石薄膜进行了观察分析。结果表明,用乙醇制备的金刚石薄膜比甲烷制得的金刚石薄膜的生长率要高,膜的缺陷少、颗粒均匀。     

WC—Co硬质合金上高质量金刚石薄膜的制备

采用微波等离子体化学气相沉积法在硬质合金基体上制备金刚石薄膜,研究了铜过渡层和酸蚀脱钴两种基体前处理工艺以及在施加铜过渡层的情况下,不同的沉积气压和基片温度对金刚石薄膜的质量的影响。结果表明,在施加铜过渡层后,在适中的沉积条件下（沉积气压6．0kPa,基片温度约为780度）可得到质量较好的金刚石薄膜。     

PbS纳米晶制备中不同溶剂对其微观形貌的影响

近年来,纳米材料在石油化工和化工催化领域得到非常广泛的应用.利用水热/溶剂热法,通过在室温下水溶液中醋酸铅和二乙基二硫代氨基甲酸钠的沉淀反应,合成出了单分子前驱体Pb-DDTC;然后,在没有使用任何表面活性剂或模板的情况下,分别在以水、无水乙醇、乙二醇和乙二胺作为反应介质的不同溶剂中,很好地合成出了粒径为50～100 nm的PbS纳米晶.并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)等多种测试手段对所得纳米晶体进行了表征,证实了所得晶体均为PbS纳米级纯相晶体,且溶剂的选择对产品的形貌具有一定的影响.     

热丝CVD法制备金刚石管

以钨丝作为基体,用氢气和丙酮作为反应气体,在热丝化学气相沉积装置中制备出了金刚石管,其生长速度达到了4 um/h.扫描电镜和激光拉曼光谱的测试结果表明制备出的金刚石管质量较好.     

工艺参数对磁控反应溅射AlN薄膜沉积速率的影响

采用射频磁控反应溅射法，以高纯Al为靶材，高纯N。为反应气体，成功制备了氮化铝(AlN)薄膜。研究了N2气流量、射频功率、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积速率的影响规律。结果表明，随着N2气流量的增加，靶面溅射由金属态过渡到氮化态，沉积速率随之明显降低；沉积速率随射频功率的增大几乎成线性增大，随靶基距的增大而减小；随着溅射气压的增大，沉积速率不断增大，但在一定气压下达到最大值后，沉积速率又随气压不断减小。     

化学液相沉积法制备AlxOy薄膜

给出了用化学液相沉积法(CLPD)制备A1xOy／Si薄膜的方法，室温下生长2h得到A1xOy／Si薄膜，其退火温度为1000℃，退火时间2h．对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析．结果表明，薄膜的显微硬度在退火前为5202．0N／mm^2，退火后为14533．5N／mm^2，增加近3倍；高温退火去掉了膜内的0H^-1，同时使薄膜晶化，晶体薄膜的O／A1比例为1．3．     

A－9胶酸度对PbS型红外探测器性能的影响

本文针对柯达法生产ＰｂＳ型红外探测器过程中敏化涂胶工序引起主要光电参数ＲＴ（电阻），ＶＳ（光电信号）下降的技术质量问题，通过分析试验，阐明了不同酸度的Ａ－９胶对ＰｂＳ光敏膜作用机理、光电性能的影响，并将改进措施纳入生产工艺     

碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2 V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3 μA提高到34 μA。     

蒸发速率对电子束蒸发法制备CdS薄膜性质影响

采用电子束蒸发法,以高纯CdS块料为膜料在玻璃基底上制备了CdS薄膜。利用X射线衍射仪和原子力显微镜表征其晶体结构和表面形貌,用四探针电阻测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学及光学特性。结果表明,蒸发速率对薄膜结构及特性有显著影响,其中在蒸发速率为10?S-1制备的CdS薄膜均匀致密且其XRD衍射峰强度最大,薄膜的光电性能最好。这些CdS薄膜的光敏性达到7.7×102,其中亮电阻的最小值为1350Ω/□。     

sol-gel法制备WO3薄膜的成膜性研究

用sol-gel法在ITO导电玻璃上制备了WO3电致变色薄膜,用光学显微镜对所有薄膜进行拍照,对比薄膜的成膜情况.经观察发现,薄膜前驱液浓度、拉膜速度和杂质对成膜性均有显著影响.从拉膜的过程方面讨论了出现上述情况的原因.     

油管复合钝化膜耐蚀性能影响因素的实验研究

采用正交试验方法分析成膜温度与成膜时间对钢片表面复合钝化膜耐蚀性能的影响,选择预膜温度、预膜时间、固化温度和固化时间作为主要影响因素,设计4因素3水平的正交试验进行相关实验。实验结果表明,各因素对钢片表面复合钝化膜耐蚀性能影响程度的大小依次为T_(预膜)、T_(固化)、t_(预膜)、t_(固化)。T_(预膜)、T固化值的升高会提升复合钝化膜耐蚀性能;t_(预膜)、t_(固化)的延长也会增强复合钝化膜的膜层厚度、致密性及稳定性。综合实验结果,得到钢片表面复合钝化膜的最优制备条件为:T_(预膜)为90℃、t_(预膜)为10 min、T_(固化)为120℃、t_(固化)为100~120 min。     

大氢稀释逐层法制备纳米硅薄膜

如何制备高密度、分布可控、尺寸一致的纳米硅量子点,是各种纳米器件研究中首先需要解决的问题。在等离子体增强化学气相沉积系统（PECVD）中,用大氢稀释逐层淀积技术在氮化硅表面上自组装生长高密度、尺寸均匀的硅量子点结构,这种方法充分利用了氢气等离子体在薄膜淀积中诱导晶化作用和对非晶结构的选择刻蚀作用,能够在低衬底温度的条件...     

沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响

采用等离子体化学汽相沉积(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜.研究了在不同沉积功率下的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度.实验结果表明,沉积功率为140 W时薄膜沉积速率最大,达到7.8 nm/min.沉积功率为30 W多晶硅薄膜的晶粒较大,平均尺寸200 nm左右.沉积功率为100 W薄膜有较高结晶度,晶化率达到68%.薄膜样品在波长为500 nm的光吸收系数达到6×104 cm-1,在不同功率下样品的光学禁带宽度在1.70-1.85 eV之间变化.     

化学液相沉积法制备Al_xO_y薄膜

给出了用化学液相沉积法(CLPD)制备Al_xO_y/Si薄膜的方法,室温下生长2h得到Al_xO_y/Si薄膜,其退火温度为1000℃,退火时间2h。对薄膜的显微硬度、成分和结构进行了检测和分析。结果表明,薄膜的显微硬度在退火前为5202.0N/mm~2,退火后为14533.5N/mm~2,增加近3倍;高温退火去掉了膜内的OH~(-1),同时使薄膜晶化,晶体薄膜的O/Al比例为1.3。     

气相沉积法的薄膜制备研究

对薄膜的应用现状、气相沉积法制备薄膜的常规方法及高能精密薄膜制备方法作了综述.认为开发薄膜复合处理工艺,实现制膜过程精密控制,以及节能环保的绿色镀膜将会成为薄膜制备新的趋势.     

硫粉气化温度对制备WS2薄膜的影响

采用熔融盐辅助化学气相沉积（CVD）法在蓝宝石（Al₂O₃）衬底上制备WS2薄膜,改变硫粉的气化温度（750~800 ℃）,探寻其对WS₂薄膜生长的影响,为制备出大面积WS₂薄膜提供理论依据。采用光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）和拉曼（Raman）光谱对WS₂薄膜的形貌、结晶性和厚度进行分析。800 ℃时,WS₂薄膜平均边长可达310 μm,Raman特征峰的波数差为64.60 cm^-1（单层）。随着硫粉气化温度的升高,WS₂薄膜的生长经历了形貌及尺寸的转变,这表明在沉积过程中,硫粉引入时机对WS₂薄膜的形核、生长至关重要,适当的气化温度可以制备出尺寸较大、结晶性能良好的WS₂薄膜。     

化学气相沉积法硅薄膜的制备及其性能

运用化学气相沉积技术在不锈钢表面沉积了一层致密的硅薄膜,研究了沉积温度及硅烷气体压力对硅薄膜性能的影响。对沉积的硅薄膜进行了EDS能谱分析,通过SEM扫描电镜对硅薄膜微观形貌进行表征,并对沉积硅薄膜的不锈钢样品进行电化学分析,研究了硅薄膜对不锈钢抗腐蚀性能的影响。结果表明,化学气相沉积温度为390℃、硅烷气压为10kPa时金属表面形成的硅薄膜防腐性能最佳。