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相似文献
 共查询到20条相似文献，搜索用时 15 毫秒
1.
MSCDEX的使用     
ＭＳＣＤＥＸ的使用邵振付计算机对ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的识别与操作同ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的配置有关，这就是ＭＳＣＤＥＸ和ＣＤ－ＲＯＭ驱动程序的共同任务，下面作一简单介绍。ＭＳＣＤＥＸ命令提供ＣＤ－ＲＯＭ驱动器的配置、安装功能，可通过ＡＵＴＯＥＸＥＣ．ＢＡＴ...  相似文献   

2.
适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...  相似文献   

3.
Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器技术ＷＤ９４５１１１０位１００Ｍ采样／秒流水线子区ＢｉＣ－ＭＯＳＡＤＣ＝Ａ１０－ｂ１００－Ｍｓａｍｐｌｅ／ｓｐｉｐｅｌｉｎｅｄ　ｓｕｂ－ｒａｎｇｉｎｇＢｉＣＭＯＳＡＤＣ［刊，英］／Ｓｏｎｅ，Ｋ．…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－Ｓｔａ...  相似文献   

4.
一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...  相似文献   

5.
极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...  相似文献   

6.
稳定的ＣＭＯＳ延迟线应用于短时间间隔的数字化＝ＴｈｅｕｓｅｏｆｓｔａｂｉｌｉｚｅｄＣＭＯＳｄｅｌａｙｌｉｎｅｆｏｒｔｈｅｄｉｇｉｔｉｚａｔｉｏｎｏｆｓｈｏｒｔｔｉｍｅｉｎｔｅｒｖａｌｓ［刊，英］／Ｒａｎｋｏｎｅｎ，Ｔ．Ｅ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－Ｓ...  相似文献   

7.
一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...  相似文献   

8.
ＣＭＯＳ电流型运算放大器＝ＡＣＭＯＳｃｕｒｒｅｎｔ－ｍｏｄｅｏｐｅｒａｔｉｏｎａｌａｍｐｌｉｆｉｅｒ［刊．英］Ｋａｕｌｂｅｒｇ．Ｔ．ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３．２８（７）．－８４９～８５２叙述了全差分输入、差分输出...  相似文献   

9.
薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...  相似文献   

10.
只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...  相似文献   

11.
带片上ＰＬＬ和硬件指示器的３２０ＭＨｚＣＭＯＳ三－８位ＤＡＣ＝Ａ３２０ＭＨｚＣＭＯＳｔｒｉｐｌｅ８ｈｉｔＤＡＣｗｉｔｈｏｎ－ＣｈｉｐＰＬＬａｎｄｈａｒｄｗａｒｅｃｕｒｓｏｒ［刊，英］／Ｒｅｙｎｏｌｄｓ，Ｄ／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－...  相似文献   

12.
适用于数字ＣＭＯＳ集成电路的模拟相位测量电路＝ＡｎａｌｏｇｐｈａｓｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒｄｉｇｉｔａｌＣＭＯＳＩＣ＇ｓ［刊．英］／Ｒｏｔｈｅｒｍｅｌ．Ａ．…ＩＥＥＥＪ，ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（７）．...  相似文献   

13.
优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...  相似文献   

14.
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...  相似文献   

15.
ＳＷｉＴＥＳＴ：适合ＣＭＯＳ组合电路的开关级测试生成系统＝ＳＷｉＴＥＳＴ：ａｓｗｉｔｃｈｌｅｖｅｌｔｅｓｔｇｅｎｅｒａ－ｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍｆｏｒＣＭＯＳｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎａｌｃｉｒｃｕｉｔｓ［刊，英］／Ｌｅｅ．Ｋ．Ｊ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏ...  相似文献   

16.
用选择氧化物沉淀的７次掩模ＣＭＯＳ工艺＝Ａ７－ｍａｓｋＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｓｅｌｅｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｈｏｒｉｕｅｈｉ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，１９９３．４０（８），－１４５５～～...  相似文献   

17.
低频干扰小的１０位７５ＭＨｚＣＭＯＳ视频Ｄ／Ａ转换器＝ＡＩｏｗｇｌｉｔｃｈ１０－ｂｉｔ７５－ＭＨｚＣＭｏＳｖｉｄｅｏＤ／Ａｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｗｕ，Ｔｉｅｎ－Ｙｕ…∥ＩＥＥＥＪ．ＳｏｌＳｔａ．Ｃｉｒｃ，－１９９５，３０（１）．－６８～７２本...  相似文献   

18.
自对准硅化物CMOS／SOI技术研究   总被引：2，自引：2，他引：0  
在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．  相似文献   

19.
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是第一只６Ｈ－ＳｉＣ掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ。  相似文献   

20.
ＣＭＯＳ兼容短路阳极，辅助阴极，横向绝缘栅双极晶体管＝ＣＭＯＳｃｏｍｐａｔｉｂｌｅｓｈｏｒｔｅｄａｎ－ｏｄｅａｕｘｉｌｉａｒｙｃａｔｈｏｄｅｌａｔｅｒａｌｉｎｓｕｌａｔｅｄｇａｔｅｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊，英］／Ｓａｎｋａｒａ，Ｅ．Ｍ...  相似文献   

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