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综述了离子束科学技术领域新的重要进展--从作为半导体掺杂手段的低剂量离子注入到高剂量离子注入合成新材料的离子束合成技术,讨论了高剂量注入的物理效应,介绍了利用高剂量氧注入硅合成SIMOX材料的物理过程以及SIMOX技术的多种应用,提出了提高SIMOX材料性能的各种途径。 相似文献
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本文报告了硅中注入大剂量O^+或N^+离子形成SIMOX或SIMMI的物理效应及计算机模拟结果;分析了SIMOX与SIMNI形成的不同机制,在注氧形成SIMOX结构的计算机模拟程序的基础上发展了注氮形成SIMNI结构动态模拟程序。实验与模拟结果符合很好,验证了现有的理论模型和程序所作的假设。多次注入与退火会减小SIMOX上层硅厚度,而增大SIMNI的上层硅厚度。低能注入可以获得良好的SOI材料,而 相似文献
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在大剂量氧注入硅形成SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO2内的快速扩散等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂 相似文献
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本文提出了一个为SIMOXSOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0×1018cm-2剂量范围和50—300keV能量范围.模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好.本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSITCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TFSOI结构的理论依据. 相似文献
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采用大剂量氧离子注入(170keV,1.8×1018+/cm2)p型单晶硅,高温退火(1300℃,6h)后形成SOI-SIMOX(SiliconOnInsulator-SeparationbyImplantatlonofOxygen)样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明,该样品表层硅膜的导电类型由p型反型为n型。SIMOX样品的反型是硅中的氧施主所致,由近自由电子的类氦模型计算,SIMOX样品中氧施主的电离能为0.15eV,与早期文献报导的实验值一致。 相似文献
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根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术,即:大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入,通过介质掩膜注入,注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入(PIII)和反冲离子注入等。 相似文献
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高选择和自终止多也氧化硅SOI技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本研究了n型硅阳极化的高选择和终止工艺,并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构。采用这种PIPOS(Full Isolation by Porons Oxidizde Siilcon)技术在n^-/n^+/n^-/衬底上形成的SOI(Silicon On Insulator)结构,其顶层硅岛厚度可控制在较广范围(从100nm到数μm),且硅岛宽度可大于100μm.XTEM结果显示顶层硅/氧 相似文献
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本文研究了各种实验参数对O-SIMS和Cs-SIMS中GaAs二次离子发射的影响,和样品室中氧分压对GaAs二次离子发射的增强效应.实验表明,与Ar-SIMS不同,O-SIMS和Cs-SIMS中随Ep增加二次离子的强度反而有所下降,而样品室注入氧可以提高正二次离子产额,但需要达到较高的氧分压:10-3Pa.二次离子能量分布测量表明,对O-SIMS,二次离子强度在Vbias=30V左右达到最大值,对Cs-SIMS,二次离子强度在Vbias=-20V左右达到最大值. 相似文献
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SIMOX材料埋氧化经层的针孔密度是标定其质量的一个重要参数。本文用改进的二维IRIS程序模拟分析了当注放的硅片表面存在阻挡物时,注入后氧在硅片内的分布,提出也引起针孔的杂擀临界颗粒尺寸的概念。 相似文献
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刘湘德 《LSI制造与测试》1996,17(6):12-13
强流氧离子注入机是用于研制开发SIMOX材料所需的关键设备。该项目的研制具有一定的难度,在国内尚属首例。本文描述了LC-13型强流氧离子注入机主要性能指标及技术难点。 相似文献
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本采用固相外延法在SIMOX衬底上生长了β-FeSi2薄膜,采用X射线衍射(XRD),卢瑟辐背散射(RBS)以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构,Raman谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性。 相似文献
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SIMOX材料的TEM研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在注入能量为170keV,注入剂量从0.6×1018/cm2到1.8×1018/cm2范围,改变注入方式,利用TEM技术观察了形成SIMOX的结构.注入剂量为0.6×1018/cm2时,可以获得连续的SiO2埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生;注入剂量为1.5×1018/cm2时,采用双重注入可以获得质量很好的SIMOX结构,顶部硅层仅有较少的穿通位错;注入剂量为1.8×1018/cm2时,三重注入可以获得质量好的SIMOX结构,顶部硅层穿通位错稍多. 相似文献
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离子注入能够精确地控制能量和剂量 ,能够注入几乎所有的元素 ,甚至同位素 ,而且注入离子形成的纳米晶粒镶嵌在衬底里 ,使得形成的纳米颗粒得到了很好的保护。近年来 ,离子注入绝缘衬底材料形成量子点结构成为研究的热点。随着离子注入技术和工艺的不断改善 ,该方法在工业应用中成本越来越低 ,相信会在今后的材料制备中得到更广泛的应用。本研究在法国核谱质谱中心 (CNSNM)的离子注入机和透射电镜联机装置上进行[1] ,衬底材料是用电子束蒸发沉积而形成的非晶SiO2 薄膜 ,厚度在 90~ 10 0nm。选取适当的注入能量使注入离子的投影射… 相似文献