力旺推出高电压制程OTP

力旺电子宣布完成0．15微米高电压制程之Neobit硅智财的技术开发。在达成此项里程碑后，力旺电子的嵌入式非挥发性内存Neobit硅智财已广泛地建置于组件制造整合厂（IDM）与晶圆代工厂高压制程平台之上，其涵盖了0．6微米、0．5微米、0．35微米、0．25微米、0．22微米、0．18微米与0．15微米的制程技术。     

0.18制程放行，大陆8英寸线扛得住吗？

台湾当局终于开放了0．18微米制程进入大陆。有消息显示。已等待多年有余的全球最大Foundry业者台积电将会率先在其上海松江厂布建0．18微米制程，而茂德、力晶也都表示会加速在大陆设8英寸线动作。台湾业者将“开放0．18微米制程”喻为“迟来的春天，但终究是春天”，可见台湾Foundry业者对大陆这个全球半导体最大单一市场的渴望。     

华润微电子8英寸晶圆生产线建成投产

华润微电子6月5日举行了8英寸晶圆生产线落成暨投产典礼，该8英寸生产线现预期在2010年上半年第一期目标产能为3万片8英寸晶圆，至2012年，第二期目标产能将达6万片。华润微电子称，这是国内首条完全依靠自有资金和技术建设的8英寸生产线。该8英寸生产线由华润微电子所属无锡华润上华科技有限公司经营，以模拟应用为核心，与更多附加功能如高压、非挥发瞰己舷体整合。产品主要应用于消费电子、通信、电脑周边与汽车电子。目前，该8英寸生产线可提供0．35微米和0．5微米模拟工艺平台。2009年底将提升至0．16微米，并计划在2010年实现0．11微米的生产能力。     

台积电获得AMD-富士通Flash晶圆订单

作为全球最大的晶圆代工厂之一，台积电在近期与AMD和富士通合资成立的内存制造公司SpansionLLC达成代工协议。台积电将采用Span-sion 0．11微米的Mirrorbit技术0．11微米制程以及台积电8英寸晶圆厂为Spansion代工Mirrorbit Flash产品。     

12英寸硅草晶抛光片的研制

信息产业已成为现代经济的先导产业，以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础，硅片是集成电路最主要的基础功能材料，在信息产业发展中占有重要的地位和作用。目前世界半导体工业正开始由8英寸硅片的0．25微米技术向12英寸硅片的0．13-0．10微米技术转移，对12英寸硅片的市场需求将逐步扩大。     

宏力半导体发布先进的0．18微米45V LDMOS电源管理制程

上海宏力半导体制造有限公司发布基于其稳定的0．18微米逻辑平台的先进45VLDMOS电源管理制程。与传统线宽相比，0．18微米逻辑平台使得更高集成度的数字电路成为可能，从而可以适用于SoC和智能电源。宏力半导体成熟的0．18微米逻辑制程配备了具有高精准模型的完整设计工具包,     

利用共焦显微技术测试亚微米尺寸

当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时，精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽／间距尺寸，将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术，以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能，测试0．5μm，0．3μm的黑／白条宽，及其仪器测试性能分析。     

华润上华推出高性价比0．25微米Scalable BCD工艺平台

华润上华科技有限公司宣布已完成0．25微米ScalableBCD工艺平台开发,其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求,进一步提高了华润上华BCD系列工艺平台的技术优势。华润上华的0．25微米ScalableBCD工艺平台为0．5微米前段制程与0．25微米后段制程,由之前0．25微米24VBCD工艺平台延伸而来,     

中芯国际推出LDO线性稳压器智能模块

中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC）日前宣布推出低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列，适用于0．13微米至0．35微米逻辑／混合信号和0．18微米以及0．35微米电可檫除只读存储器CMOS工艺技术。此系列的建立更丰富了中芯国际的电源管理系列智能模块。中芯国际的低压降（LDO）线性稳压器智能模块系列已经过硅验证并可以提供给客户使用，有些已经正式进入量产。此智能模块可嵌入于多种应用设备中，如手机、数码相机、MP3、     

康宁将采用新规范

据1997年11月号Lighwave报导，美国康宁公司为改进光纤的接头效能，加强了它的单模光纤生产线。该公司宣称采用一套新的工业标准，按此标准光纤的纤芯／包层同心度紧缩25％，从＜0．8微米紧缩到＜0．6微米。一种更有效的焊接工艺将改善光纤的性能并降低劳动与成本。今后所有康宁、泰坦（Titan）和SMF－28光纤产品都将按新技术规范制造。康宁将采用新规范@谭生树     

和舰12英寸晶圆锁定0．15微米工艺

苏州和舰科技可望在2005年年初完成12英寸晶圆生产线，据悉已经与前后段设备商完成议约，最快今年下半年可以完成无尘室等前段设备机台移入，初期以0．15微米铝导线工艺投产。现阶段在既有8英寸厂展开0．15微米铝导线工艺，锁定北美手机用DSP、显卡芯片与FPGA等产品线为工艺开发重点；至于0．13微米工艺进度，须视先进工艺市场需求而定。     

爱普生0．15微米高压工艺在和舰科技量产

和舰科技6月24日宣布,与其长期策略伙伴爱普生策略合作之0．15微米芯片成功进入量产。此合作计划由爱普生将其酒田（Sakata）厂部分0．15微米高压工艺模块转给和舰苏州厂,由和舰负责工艺整合与量产。     

Tower Semi首推0．18和0．13微米设计库

Tower Semiconductor公司近日推出其0．18微米和0．13微米设计库的内部版本。该公司用于复杂片上系统(SoC)设计的标准单元、I/O和内存编译器基于Synopsys的库技术，可供Tower的客户免费使用。     

Sequans通信选用芯原ZSP540处理器

Synopsys与上海华虹NEC电子有限公司日前宣布，双方将携手开发应用于华虹NEC0．18微米工艺的参考设计流程2．0。华虹NEC选择Synopsys作为其首选EDA供应商后，将充分利用Synopsys Professional Services开发基于Synoopsys Galaxy设计平台和Discovery验证平台，以及华虹NECI／O和标准单元库的完整RTL-to-GDSⅡ参考设计流程。     

低阈值电压控制技术

本文论述了在标准1．0微米CMOS工艺线基础上开发的1～1．2微米工艺的阈值电压影响因素，对阈值电压的几种控制方法进行了分析比较，探讨了低阈值电压（0．5V左右）的控制，并介绍了如何根据电路的需要来选取阈值电压的控制方法。     

Cadence端对端解决方案助力华亚微实现一次性芯片成功

Cadence设计系统公司宣布华亚微电子有限公司（华亚微）已经实现一次性芯片成功，目前已经将一个面向液晶电视市场的0．162微米系统级芯片设计投入量产，实现了超过10％的尺寸缩减程度。     

国内无晶圆厂IC企业技术探秘制程全曝光

据悉，目前国内的无晶圆厂IC(集成电路)设计企业已经将芯片的制程工艺提高到0．13微米的水平，有些已经将其研究成果由科研及服务中心的设计阶段过渡到大陆、台湾以及新加坡等地工厂的生产阶段。     

联华电子顺利验证12VeFlash解决方案

联华电子日前宣布，已顺利验证晶圆代工领域第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存（eFlash）工艺。此工艺可将中大尺寸触控IC所需的驱动高压，以及存放算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单芯片中，并且有效地改善信噪比（SNR）。与业界所提供的其它高压选项（例如18V、24V或32V）相比，此12V解决方案在信噪比与耗电之间，提供了绝佳的平衡。联华电子12VeFlash技术目前已于0．11微米与0．18微米工艺上提供给客户使用。     

联华电子与美商Allegro建立晶圆专工伙伴关系

联华电子与美商Allegro Microsystems日前共同宣布，双方建立策略性协议，Allegro公司将采用联华电子的晶圆专工技术与制造服务。两家公司将于今年稍晚，由Allegro的第四代0．6微米BCD（ABCD4）消费用规格产品线开始制造合作。     

宏力半导体建国内首个O．18微米超低漏电嵌入式闪存工艺平台

上海宏力半导体制造有限公司宣布成功建立国内首个0．18微米“超低漏电”（Ultra—Low—Leakage,ULL）嵌入式闪存工艺平台。0．18微米“超低漏电”嵌入式闪存工艺平台由宏力半导体自主开发完成。此次推出的“超低漏电”工艺平台在宏力半导体现有的0．18微米“低功耗”工艺平台上实现了进一步技术提升,