提高玻璃封装二极管可靠性的研究

利用超细ZrO2在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中的同素异构转变带来的体积效应来增加二极管封装玻璃的韧性和二极管的可靠性.在ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃中添加一定量的超细ZrO2粉粒,弥散均匀,用烧结法制得ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃,使用AKASHI压痕法,测试材料增韧前后的效果.使用XRD测试验证在玻璃封装二极管的工艺温度下能保持t-ZrO2和m-ZrO2晶型应具有的特征相.实验证明添加超细ZrO2后,ZnO-B2O3-SiO2微晶玻璃材料的韧性有很大的提高.经功率二极管玻璃封装工艺流程实验和二极管的理化性能考核,引人适当含量的超细ZrO2能提高玻璃封装二极管的抗热冲击性.     

玻璃封装二极管短路失效的原因分析

玻璃封装的二极管,属小功率器件,在应用电路中一般用作开关管和整流管。开关管通常是用硅或锗材料制成,硅管的正向压降比锗管大,但漏电流小,工作结温最高。整流管(如功率管)是一般用途的超小型和标准尺寸的低压型器件,这类管子最     

玻璃封装的FED屏的性能测算

1引言在FED进入商品化时，高真空封装成为最具挑战性的技术之一。然而至今几乎没有有关FED封装技术的论文报道。采用焊接的方法，我们已在对角线为18mm的面积上成功地为Si基片上生长的SiFEA或MoFEA进行了封装。我们在本文中将对Si基底上生长的FEA的玻璃封装方面提出一些关键性的问题；另外，将封装过程中测得的发射电流与试验室内测得的标准值作比较，可以推算出FED屏内的实际真空度。2玻璃封装工艺FED封装主要包括FEA与玻璃间的粘接、玻璃与玻璃间的封接、通过排气管排气及封离几个步骤。详细的工艺步骤如下：工艺制作前应准备…     

金属与玻璃封装集成电路小漏率检测技术研究

对金属-玻璃封装集成电路的小漏率检测技术进行了研究.首先,介绍了充压式氦质谱检漏法、破坏性内部气氛含量分析法和累积型氦检漏法的原理和流程;然后,分别利用这3种方法,对某试验样品的小漏率进行了检测;最后,根据试验结果,对3种方法的优缺点和适用范围进行了总结,对于金属-玻璃封装集成电路的小漏率的检测方法的正确选择具有重要的指导意义.     

利用双基色发光二极管研究白光发光二极管

介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势。详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理，并讨论了制作过程，包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用。最后对器件性能作出评价。     

黑陶瓷低温玻璃封装技术座谈会简介

受中国电子器件总公司委托,北京电子学会半导体封装分会同美国微电子封装公司于1985年12月18～19日在北京举办了黑陶瓷低温玻璃封装技术座谈会.美国微电子封装公司付总裁周莫声先生首先介绍了美国半导体封装概况.在座谈会上,周先生对黑陶瓷低温玻璃封     

发光二极管——发光二极管也能自制

发光二极管为什么会发光？ 我们知道,白炽灯是通过加热一根电阻丝到很高的温度来产生光的,所以点亮的灯泡表面通常都很烫。这表明电能除了转化成可见光以外,还有很大一部分转化成了不可见的热能（红外光）。     

年产二百万玻璃封装二极管的生产线已投产

为适应广播电视工业的飞速发展,满足国防工业及整机厂急需,我厂近几年研制了玻封二极管:阻尼管、升压管、整流管、高频二极管等,它具有体积小,高温性能好,可靠性高等优点,是无线电仪器、设备、黑白及彩色电视机中电源调整、高压整流、阻尼、提升和小     

金属电极玻璃封装器件安装强度试验方法研究

介绍了金属电极玻璃封装器件质量评价中存在的问题,确定了引起器件失效的外部应力、内部应力、挤压应力等因素,以及评价金属电极无引线玻璃封装器件安装强度的温度循环试验、弯曲试验和扭曲试验三项试验条件。     

红外发光二极管

美国Telcom Devices公司发现一种在近红外和远红外区发射光谱的二极管.Chem发光二极管系列可用于化学传感、医学诊断、光谱学和污染监测.总计有16种这类的发光M极管,峰值波长在1-4.6μm范围内,总功率可达2mW,可提供若干种封装结构.     

径向玻璃封装型NTC热敏电阻器的研制

为制造径向玻璃封装型NTC热敏电阻器(NTCR),采用sol-gel法制备NTCR纳米粉,流延法制作NTCR芯片,合金焊接径向引线和玻璃封装等方法实现了产品的封装,制备出了一种阻值R25为100k?,材料常数B为4200K的径向玻璃封装型NTC热敏电阻器,为径向玻璃封装型NTCR的生产提供了一整套解决方案。     

采用低熔点玻璃封装的IC封装技术

<正> 粉末玻璃很早就被用作电子元件的粘接材料和气密封装材料。这是因为玻璃具有以下特点: (1) 金属、陶瓷都容易和玻璃粘合; (2) 不透气; (3) 不可燃,耐热性好; (4) 电绝缘性好。在IC领域中也广泛采用玻璃作为陶瓷封装的气密封接材料以及将硅芯片固定在Al_2O_3基板上的粘接材料。本文将以具有代表性的陶瓷封装的Cerdip为例,就低熔点玻璃封接材料以及几个与封装     

紫外发光二极管

日本物理学家研制出到目前为止波长最短的发光二极管（LED）。由厚木市NTT基础研究实验室的Yoshitaka Taniyasu和同事一起研制的LED由氮化铝制成能发射出波长为210m的远紫外光。该项研究工作对发展极短波长发光装置非常重要，极短波长光可广泛应用于医药、光刻技术、污染水灭菌等各个领域。     

高效发光二极管

加州尼特雷斯公司宣告，他们已发展一种InGaN基发光二极管，其量子效率达20%。这种二极管发射近紫外光和紫光，波长405 nm，在20 mA时输出功率12 mW，占总输出功率的12%。公司将研究生产高效发光二极管，波长与固态白光照射时所用的磷光吸收带匹配更好。白光发光二极管用紫外或近紫外光激发产生磷光，发射混合色的光，接近消色。有潜力把效率提高，比白炽灯的效率高2～3倍，寿命达5～10年。     

新一代发光二极管

新一代发光二极管美国贝尔实验室正在研制新一代的发光二极管，其发光效率在理论上和实际上均为现有产品的５～１０倍。这种新型器件的主动区包括４个ＧａｌｎＡｓ量子阶，一层ｐ和ｎＡＩ－ＧａＡｓ膜和一个反射层，由其平面反射层构成的一维微型谐振腔其间隔为一个光学波...     

ZnSe发光二极管

分别用 Li 和 Cl 作为 p 型和 n 型掺杂剂,成功地制作了 ZnSep—n 结发光二极管。ZnSe 作为直接带隙Ⅱ—Ⅵ族半导体,近年来已经引起人们明显的关注。～2.7eV的室温宽带隙使其成为制作蓝色发光器件,例如 LED 和激光器的很具吸引力的材料。制作 ZnSe LED 和激光器,需要通过控制替位掺杂形成 p—n 结(或异质结)。虽然 p 型掺杂是目前制作这样器件的主要障碍,但在高浓度条件下,n 型掺杂剂的有效激活具有同等的重要性,尤其是如果要研制蓝色的ZnSe 激光器,更是如此。     

红外发光二极管

为满足各种需较大输出的工业和消费产品对红外发光二极管的需求,在欧洲的日立公司已推出 HE8812SG 型和 HE8404SG 型红外发光二极管,该管均为双异质 p-n 结结构,峰值波长分别为870nm 和820nm。其它的特点是波长公差为+/-30nm,典型频谱半宽为50nm,这两个器件的最低光学输出功率为40mW,正向电压2.5V,典型的上升和下降时间仅为5ns 和7ns。此外,该器件模片为专有的穹面结构,穹面直径600μm,能确保匀速、孤形发射图形穿过该显示屏。