统计过程控制用于金丝键合质量控制研究

金丝键合是多芯片模块微组装的关键工序,概述了统计过程控制用于金丝键合质量的控制研究。主要对金丝键合前键合规范校验的10根金丝键合拉力进行统计分析,得出了金丝键合操作人员与设备间的适应性结论,有助于操作人员提高键合技能和保持稳定的工作状态,优化配置设备和人员,稳定多芯片模块产品微组装的键合质量。     

金丝键合工艺技术研究

金丝键合是芯片组装的关键工序。分析了金丝键合的工艺控制要点：键合时间和键合功率,通过工艺实验总结出了键合时间和键合功率对键合强度的影响规律：（1）在小超声功率条件下,键合强度对键合时间敏感,键合强度随时间增加迅速增大;在大超声功率条件下,键合强度对键合时间的敏感性下降。（2）超声功率过小不能形成足够的键合强度,超声功率过大使得键合成功后的键合强度被破坏,即过高的超声功率将不利于键合强度的提高。     

硅MEMS器件键合强度在线检测方法

键合强度是MEMS器件研制中一个重要的工艺质量参数,键合强度检测对器件的可靠性具有十分重要的作用。为了获得MEMS器件制造工艺中的键合强度,提出了一种键合强度在线检测方法,并基于MEMS叉指式器件工艺介绍了一种新型键合强度检测结构;借助于材料力学的相关知识,推导出了键合强度计算公式,经过工艺实验,获得了键合强度检测数据;对获得的不同键合面积的键合强度加以对比,指出这些数据的较小差异,是由刻度盘最小刻度误差和尺度效应造成的。结合叉指式器件的工作环境,认为这种方法获得的键合强度更接近实际的工作情况。     

一种Au-Si键合强度检测结构与试验

设计了一种Au-Si键合强度检测结构。通过对一组不同尺寸压臂式测试结构的检测，可以由结构尺寸半定量地折算出键合面的键合强度；采用同一结构尺寸，可以比较不同条件下键合强度的相对大小；此结构还可用于其它类型键合强度的比较和测试。通过压臂法检测了Au-Si键合强度，其数值高于硅片基体本身的强度。     

微波多芯片组件中键合线的参数提取和优化

为解决微波多芯片组件(Microwave Multi-Chip Module,MMCM)中键合互连线的设计问题,采用三维电磁场软件HFSS和电路设计软件Ansoft Designer对键合线的模型进行了仿真分析。根据仿真结果,提取了键合线的等效电路参数。最后建议采用增加线宽的微带线结构结合两到三根键合线,以达到优化设计的目的。     

高密度多芯片集成电路封装技术

本文介绍了多芯片封装技术和工艺方案，包含系统功能设计、物理设计、版图验证，电学热学分析和基板工艺技术，及其市场发展趋势。     

微波多芯片模块技术

论述了微波多芯片模块（MMCM）技术的发展历史、应用领域及工艺进展。着重从芯片互连、基板材料及封装设计等方面讨论了该技术的发展前景,并对我国微电子和MMCM封装技术提出几点建议。     

功率模块铜线键合技术及其可靠性研究

由于铝线键合逐渐不能满足如今功率模块功率密度、工作温度不断提升的可靠性要求,因此采用铜线代替铝线,以实现更高的可靠性工作寿命。对比分析了铜线、铝线键合工艺的特点、结合强度和可靠性,证明了铜线键合工艺的可行性和高可靠性。同时分析了铜线键合工艺目前存在的问题和应对措施。     

键合线互连电路的优化设计

介绍了一种微波多芯片组件中芯片与传输线互连的键合线互连电路设计。采用低通滤波器方法设计的键合线互连电路结构,在键合线长度一定的情况下,能够显著提高键合线互连电路的频率响应。设计了一种基于3阶低通滤波器的键合线互连电路,将键合线的寄生电感融入了3阶低通滤波器中,改善了键合线互连电路的微波传输特性,提高了键合线互连电路的截止频率。采用微波电路设计软件和三维电磁场软件相结合的设计方法,对键合线互连电路的微波特性进行建模、分析,验证了这种电路设计方法的正确性。     

LED金线键合工艺的质量控制

文章介绍LED引线键合的工艺技术参数翻要求和相关产品质量管控规范,讨论了劈刀、金线等工具和原材辩对键合质量的影响。     

金、铜丝球键合焊点的可靠性对比研究

金丝球焊是电子工业中应用最广泛的引线键合技术,但随着高密度封装的发展,铜丝球焊日益引起人们的关注。采用热压超声键合的方法,分别实现Au引线和Cu引线键合到Al-1%Si-0.5%Cu金属化焊盘。对焊点进行200℃老化实验的结果表明:铜丝球焊焊点的金属间化合物生长速率比金丝球焊焊点慢的多;铜丝球焊焊点具有比金丝球焊焊点更稳定的剪切断裂载荷,并且在一定的老化时间内铜丝球焊焊点表现出更好的力学性能;铜丝球焊焊点和金丝球焊焊点在老化后的失效模式不同。     

微细间距引线键合中的可靠性提高工艺

在引线键合期间,工艺可靠性在整个的器件组装成本中扮演着一个重要角色。可靠性可以认为是引线键合机在规定条件和限定时间之内完成其符合要求的所需功能的或然率。由于键合故障、键合机部件装配零件问题、封装类型和不完全的工艺窗口导致了频繁的键合中断,可以导致除干扰工厂运行计划和产品质量之外的成品率降低和引线键合工艺中的停工。经过2年时间的研究,我们识别了在毛细管性能特性与键合故障之间的密切联系,提出了提高工艺可靠性的几点改进。     

金丝球焊机金丝检测技术

在应用于三极管压焊的全自动金丝球焊机中,金丝检测是确保压焊过程工艺质量的关键技术。通过设计金丝的打火失球检测和第一焊点、第二焊点压焊失败检测电路,实现金丝球焊机的金丝压焊效果自动检测功能。实验证明,所设计的检测电路完全满足压焊工艺质量的要求。     

基于田口方法的微波组件金丝键合工艺优化

为了提高微波组件金丝键合的可靠性,采用楔形金丝键合工艺进行了金丝互连,通过田口试验方法设计 和试验验证,确定了金丝键合最优化的工艺参数组合。研究结果表明：键合金丝质量的影响因素依次是超声功率、键 合压力和键合时间,优化的工艺参数组合依次为超声功率、键合压力、键合时间,优化的工艺参数组合为超声功率 15、键合压力16、键合时间50;采用优化后的工艺参数进行金丝键合操作,获得了稳定性良好的互连金丝,完全满 足混合集成微波电路金丝键合互连应用的需求。     

多芯片组件中金丝金带键合互连的特性比较

金丝、金带键合已经广泛应用于毫米波多芯片组件的互连之中。本文讨论了在20－40GHz 频率范围内,单根、两根、三根金丝和金带连接的性能。测试结果表明两根和三根金丝连接的性能优于金带连接的性能,金带连接的性能优于单金丝连接的性能。     

微组装技术中的金丝键合工艺研究

金丝键合是微组装工艺中的一道关键工艺,金丝键合质量的好坏直接影响微波组件的可靠性以及微波特性.对金丝键合工艺的影响因素进行了分析,并通过设计实验方案对25 μm金丝进行键合实验.对键合金丝进行拉力测试,测量结果全部符合军标GJB 548B-2005要求.根据测量结果寻求最佳键合参数,对实际生产具有一定的指导意义.     

铜丝球焊工艺的理论与实践

阐述了铜丝替代金丝的理论可行性与在实际应用中所需注意的要点,如防氧化装置、防弹坑键合参数、铜丝劈刀的参数要点等,最后对铜丝球焊的可靠性及几种重要的失效模式进行了探讨分析。     

高密度常温金丝球焊接技术探讨

对６０元法导ＣＭＴ探测器的电极焊接工艺进行了研究。针对ＣＭＴ探测器元数增多，电极密度提高，焊接难度增加的问题，从工艺进行了各种改进，成功地实现了常温下高密度及高难度的金丝球焊接。     

铜丝键合工艺研究

讲述了铜丝键合的优点,列举了铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面：一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。本文通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。