共查询到18条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
描述了近10年来开发容易集成加工的高功能有机薄膜晶体管方面所取得的成就。针对有机薄膜晶体管存在金属、氧化物和有机物三相交汇点这个明显的结构缺陷,以克服高介电绝缘栅漏电问题为基础,综合考虑器件加工的方便性与一致性、界面态和空间电场分布等因素,设计并优化出双绝缘栅和夹心型器件结构。通过引入缓冲层有效地降低了电极与半导体之间的接触电阻,使器件的性能能够满足有源矩阵显示的需要。 相似文献
3.
利用溶液法的浸渍提拉工艺制备了以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层、非晶铝铟锌氧化物(a-AIZO)为沟道层的顶栅共面结构薄膜晶体管(TFT),研究了沟道层退火温度对TFT性能的影响机理。结果表明:较低退火温度(如300和350℃)下处理的沟道层中存在未彻底分解的金属氢氧化物,其以缺陷态形式存在于TFT沟道层内或沟道层/介质层界面处,对导电沟道中电子进行捕获或散射,劣化TFT的迁移率、电流开关比以及亚阈值摆幅。综合来看,退火温度高于400℃下制备的a-AIZO适用于TFT器件的沟道层,相应的器件呈现出较高的迁移率(大于20cm2/(V·s))、较低的亚阈值摆幅(小于0.5V/decade)以及高于104的电流开关比。 相似文献
4.
5.
6.
7.
并五苯有机薄膜晶体管电学性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
制作了以并五苯为半导体有源层材料的有机薄膜晶体管。用热氧化的方法制备了一层230nm的二氧化硅栅绝缘层并用原子力显微镜(AFM)分析了表面形貌。研究了器件的电学性能,得到的并五苯有机薄膜晶体管器件载流子迁移率为8.9×10-3cm2/V.s,器件的阈值电压和开关电流比分别为-8.2V和1.0×104。 相似文献
8.
9.
10.
本文提出了一个等效电路模型以分析在有机薄膜晶体管中引起亚阈值电流漂移(也叫零电流点漂移)现象的原因. 该等效电路模型基于Start-HSPICE中的Level 61无定形硅薄膜晶体管器件模型. 仿真结果表明零电流点漂移的原因可以归结于两点: 接触电阻和栅电阻. 更进一步发现, 减小接触电阻和增大栅电阻可以有效抑制零电流点漂移现象. 如果接触电阻可以减到0, 则所有的零电流点交于原点, 此时没有漂移. 增大栅电阻对于抑制零电流点漂移和栅漏电也是有好处的. 当栅电阻分别为17 MΩ和276 MΩ时, 零电流点坐标值的方差分别为0.0057和接近于0. 相似文献
11.
基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数,获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明,绝缘层旋涂速度过快、表面用氧等离子体处理时间过长和退火温度过低都会降低有机栅极绝缘层(OGI)的绝缘性和OTFT的器件特性。采用硅氧烷材料作为聚合物栅极绝缘层,其溶液由硅氧烷单体和溶剂加丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)混合而成。OGI的旋涂速度为1 200r/min,退火温度为140℃,在旋涂有机半导体材料之前,需在退火之后的硅氧烷表面进行短暂的氧离子灰化反应。得到的有机薄膜晶体管迁移率约为0.4cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降至约1.2V/dec,开关比大于104,并且当外加电场为1MV/cm时,漏电流密度低于1.4×10-6 A/cm2(Vds=-40V)。 相似文献
12.
易于集成的有机薄膜场效应晶体管的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
用有机半导体并五苯作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,采用全蒸镀方式在真空室一次性制备了正装结构的有机薄膜场效应晶体管(OTFT)。薄的有机绝缘层使得器件工作在低电压下,有机薄膜场效应晶体管易于与显示像素(有机发光二极管(OLED))集成在同一个透明的刚性或者柔性衬底上。研究了有机薄膜场效应晶体管的源漏接触电阻和沟道电阻对器件性能的影响,结果表明接触电阻是影响器件性能的主要因素。在透明的玻璃衬底上实现了有机薄膜场效应晶体管对同一衬底上100μm×200μm红色有机发光二极管的驱动。 相似文献
13.
基于新型的聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作有机薄膜晶体管,通过优化聚合物半导体材料的溶剂、旋涂速度、退火温度等条件,提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明,不同溶剂溶解半导体对制成的有机薄膜晶体管的迁移率影响明显;半导体层旋涂速度过慢和退火温度过低都会降低有机薄膜晶体管的性能。当采用1,2,4-三氯苯(TCB)作为半导体溶剂,旋涂速度为3 000r/min,后烘温度为190℃时,有机薄膜晶体管的迁移率可以达到约0.5cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅降至约0.6V/dec,开关比大于106。 相似文献
14.
《Display Technology, Journal of》2009,5(6):198-201
15.
详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术(AFM)和静电力显微技术(EFM)研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性能(包括化学清洗和聚合物层修饰)对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联,包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等;针对并五苯初始生长成核模式的差异,分析了不同岛(畴)间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响,有助于理解有机半导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质,在SiO2介质层上成功制备出迁移率为1.0cm2/V.s、开关电流比达到106的OTFT器件;在高kHfO2介质层上获得的OTFT器件的工作电压在-5V以下,开关电流比达到105,载流子迁移率为0.6cm2/V.s;器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。 相似文献
16.
Control of Ambipolar and Unipolar Transport in Organic Transistors by Selective Inkjet‐Printed Chemical Doping for High Performance Complementary Circuits 下载免费PDF全文
Dongyoon Khim Kang‐Jun Baeg Mario Caironi Chuan Liu Yong Xu Dong‐Yu Kim Yong‐Young Noh 《Advanced functional materials》2014,24(40):6252-6261
The selective tuning of the operational mode from ambipolar to unipolar transport in organic field‐effect transistors (OFETs) by printing molecular dopants is reported. The field‐effect mobility (μFET) and onset voltage (Von) of both for electrons and holes in initially ambipolar methanofullerene [6,6]‐phenyl‐C61‐butyric acid methyl ester (PCBM) OFETs are precisely modulated by incorporating a small amount of cesium fluoride (CsF) n‐type dopant or tetrafluoro‐tetracyanoquinodimethane (F4‐TCNQ) p‐type dopant for n‐channel or p‐channel OFETs either by blending or inkjet printing of the dopant on the pre‐deposited semiconductor. Excess carriers introduced by the chemical doping compensate traps by shifting the Fermi level (EF) toward respective transport energy levels and therefore increase the number of mobile charges electrostatically accumulated in channel at the same gate bias voltage. In particular, n‐doped OFETs with CsF show gate‐voltage independent Ohmic injection. Interestingly, n‐ or p‐doped OFETs show a lower sensitivity to gate‐bias stress and an improved ambient stability with respect to pristine devices. Finally, complementary inverters composed of n‐ and p‐type PCBM OFETs are demonstrated by selective doping of the pre‐deposited semiconductor via inkjet printing of the dopants. 相似文献
17.
Organic Electronics: Control of Ambipolar and Unipolar Transport in Organic Transistors by Selective Inkjet‐Printed Chemical Doping for High Performance Complementary Circuits (Adv. Funct. Mater. 40/2014) 下载免费PDF全文
Dongyoon Khim Kang‐Jun Baeg Mario Caironi Chuan Liu Yong Xu Dong‐Yu Kim Yong‐Young Noh 《Advanced functional materials》2014,24(40):6245-6245
18.
Manfred Gruber Egbert Zojer Ferdinand Schürrer Karin Zojer 《Advanced functional materials》2013,23(23):2941-2952
The contact resistance is known to severely hamper the performance of organic thin‐film transistors, especially when dealing with large injection barriers, high mobility organic semiconductors, or short channel lengths. Here, the relative significance of how it is affected by materials‐parameters (mobility and interfacial level‐offsets) and geometric factors (bottom‐contact vs top‐contact geometries) is assessed. This is done using drift‐diffusion‐based simulations on idealized device structures aiming at a characterization of the “intrinsic” situation in the absence of traps, differences in the film morphology, or metal‐atoms diffusing into the organic semiconductor. It is found that, in contrast to common wisdom, in such a situation the top‐contact devices do not always outperform the bottom‐contact ones. In fact, the observed ratio between the contact resistances of the two device structures changes by up to two orders of magnitude depending on the assumed materials parameters. The contact resistance is also shown to be strongly dependent on the hole mobility in the organic semiconductor and influenced by the chosen point of operation of the device. 相似文献