纳米微孔SiO2薄膜的Sol—Gel制备及气孔率控制

本文报道了纳米微孔ＳｉＯ２薄膜的溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）制备工艺,利用椭圆偏振光测试仪（Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ）直接测量了薄膜的厚度、折射率、从而得到了ＳｉＯ２薄膜的气孔率及气孔大小分布。研究了合成工艺条件及浓Ｈ２ＳＯ４表面修饰对ＳｉＯ２薄膜气孔率及稳定性的影响。     

透明氧化物薄膜的制备及其发展趋势

对近几年透明氧化物薄膜的制备进行了综述,重点介绍了溶胶-凝胶法、电沉积法、水热电化学法和喷雾热解法等方法的制备特点、性能评价以及透明氧化物薄膜的应用领域,并对今后透明氧化物薄膜的制备发展趋势进行了预测.     

透明氧化物薄膜的制备及其发展趋势

对近几年透明氧化物薄膜的制备进行了综述，重点介绍了溶胶-凝胶法、电沉积法、水热电化学法和喷雾热解法等方法的制备特点、性能评价以及透明氧化物薄膜的应用领域，并对今后透明氧化物薄膜的制备发展趋势进行了预测。     

丙烯酸改性多孔二氧化硅吸声涂层的制备与研究

采用丙烯酸改性多孔二氧化硅微粉为填料,以E-44环氧树脂为基体,乙二胺为固化剂制备出具有吸声性能的涂层,并对其耐磨性和吸声性能进行了测试。结果表明,涂层的耐磨性随着填料加入量的增加先增大后减小,填料含量为60%时磨损率最低;对于频率为1000Hz的声音,吸声系数随着填料的增加而增大,平均吸声系数可达0.22,同时,粒径小的填料吸声系数高于粒径大的填料吸声系数。     

介孔泡沫及手性介孔材料的制备与应用

介孔泡沫材料具有超大介孔、开放式孔结构、孔径可调等特点,在催化剂载体、酶固定等领域具有明显的优势.手性介孔材料除了具有常规介孔材料的特点外还具有手性,因此在立体化学领域具有潜在的研究与应用价值.综述了介孔泡沫材料以及手性介孔材料的合成与应用.     

疏水型介孔氧化硅薄膜的制备与研究

报道了一种新型疏水型介孔氧化硅薄膜的制备方法.用红外光谱、小角XRD、原子力显微镜对样品进行了表征,并采用椭偏仪和阻抗分析仪测量薄膜的折射率和介电常数.该薄膜具有很低的介电常数和较好的机械强度,是一种可用于微电子工业、极富应用前景的低介电常数材料.     

二氧化硅溶胶及其自组装薄膜的制备

以氨水为催化剂,通过水解正硅酸乙酯制备了乳白色二氧化硅溶胶,采用静电自组装薄膜技术制备了聚电解质/二氧化硅复合薄膜,并通过热处理制备了二氧化硅薄膜.采用透射电镜、红外光谱仪、721分光光度计对二氧化硅溶胶和薄膜进行了分析.     

ZAO透明导电薄膜的制备及性质

ZAO（ZnO：Al）透明导电薄膜是一种具有高的载离子浓度和宽禁带的半导体氧化物，电学和光学性能优异。极具应用前景。本文介绍了ZAO薄膜的制备现状、特性、磁控溅射参数对其电学和光学性质的影响以及今后研究的方向。     

有机改性硅溶胶及疏水膜的制备

以硅酸钠为原料,经水解制得了硅酸低聚体(PS),再以六甲基二硅氮烷(HMDS)与PS反应引入硅三甲基,制得了有机改性硅溶胶(PSH),并采用浸提法在玻璃上涂胶制备了疏水膜.本文采用FT-IR、1H-NMR和TG-DTA对硅溶胶进行了分析表征.研究结果表明:聚硅酸中羟基被硅三甲基取代,制得的PSH热稳定性较好,涂膜玻璃具有疏水性且疏水性随着HMDS投料量的增加而增强.     

柔性透明导电薄膜的制备及其发展前景

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜将成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注.综述了柔性透明导电膜的主要制备技术及其优缺点,阐述了当前该领域的最新研究成果及应用,并讨论了工业应用对柔性透明导电膜的性能要求及其未来发展趋势.     

p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征

本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜.X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8 eV.霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关.热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度.当热氧化温度处于(600～700) ℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018 cm-3.     

Formation of Transparent and Photo Conducting Films by High Temperature Chemical Conversion of Solution Grown Precursor Films

The formation of photoconducting ZnO and transparent conducting CdO films by high temperature oxidation and thermal decomposition of chemically deposited ZnS and Cd(OH)₂ precursor films respectively is reported. The ZnS to ZnO and Cd(OH)₂ to CdO conversions were confirmed by x-ray diffraction (XRD)₂ electrical and optoelectronic studies. As deposited ZnS and Cd(OH)₂ films exhibited very low dark conductivity and no photoconductivity. Air oxidation of ZnS films at about 400°C for at least 15 minutes converted them to ZnO films with higher dark and photoconductivity. Cd(OH)₂ to CdO conversion occurred at about 300°C. CdO films exhibited a dark conductivity of the order of 10³ (Ωcm)^-1 and an optical transmittance in the range of 90%. These characteristics of ZnO and CdO films make them suitable candidates for the development of low cost photoconductors and solar cell structures.     

纳米多孔SiO2功能薄膜制备方法的研究进展

纳米多孔SiO2薄膜的各种优异性能，使其在众多领域中占有极大的应用潜力。对一些新的制备纳米多孔SiO2薄膜的方法如自组装法、酸碱两步催化法、微波合成法进行了概括和总结，并分析了其原理、方法和特点。     

纳米多孔SiO2功能薄膜制备方法的研究进展

纳米多孔SiO2薄膜的各种优异性能,使其在众多领域中占有极大的应用潜力.对一些新的制备纳米多孔SiO2薄膜的方法如自组装法、酸碱两步催化法、微波合成法进行了概括和总结,并分析了其原理、方法和特点.