共查询到10条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
研究开发了一种准2μm高速BiCMOS工艺,采用自对准双埋双阱及外延结构.外延层厚度为2.0~2.5μm,器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化(简称PBLOCOS)隔离,双极器件采用多晶硅发射极(简称PSE)晶体管.利用此工艺已试制出BiCMOS25级环振电路,在负载电容CL=0.8pF条件下,平均门延迟时间tpd=0.84ns,功耗为0.35mW/门,驱动能力为0.62ns/pF.明显优于CMOS门. 相似文献
2.
研究开发一种准2μm高速BiCMOS工艺,该工艺采用乍对准双埋双阱及外延结构。外延层厚度2.0-2.5μm,器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化隔离,双极器件采用多晶硅发射极晶体管。利用此工艺试制出BiCMOS25级环振,在负载电容CL=0.8pF条件下,平均门延迟时间tqd=0.84ns,功耗为0.35mW/门,驱动能力 0.62ns/pF,明显CMOS门。 相似文献
3.
BiCMOS是双极的速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因,BiCMOS器件主要以CMOS为主。因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程。当器件尺寸减小时,双极和CMOS技术显得愈发相似。本文例举了0.8μm和0.5μm的技术论点,BiCMOS电路与CMOS相比,成本稍有增加,但其性能提高一倍。 相似文献
4.
BiCMOS是双极速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因,BiCMOS器件主要以CMOS为主,因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程。当器件尺寸减小时,双极和CMOS的技术显得愈发相似。本文列举了0.8μm和0.5μm的技术论点。BiCOS电路与CMOS相比,成本稍高但其性能提高一倍。 相似文献
5.
研究了一种BiCMOS新技术,基区和发射区均通过发射极多晶注入,使形成的基区更浅,更窄;通过等平面氧化形成的鸟嘴,将版图设计中3.0μm,的发射极条宽“挤”为2.0μm左右。提高了器件性能。在器件结构及工艺设计中,中能提高工艺的兼容性,简化工艺。 相似文献
6.
7.
8.
本文提出了把大家熟悉的LOCOS技术扩展到SiC的可行性。为得到一种SiC器件集成的最佳化等平面隔离技术,已在结构上鉴定了两种隔离工艺。 相似文献
9.
最近 ,三菱电机公司开发出了一种具有高可靠性的 0 18μmSOI工艺技术。通过这种技术 ,由CMOS器件实现 2 5Gb/s的超高速通信用IC。而且 ,业已证实采用大容量SRAMTEG (TestElementGroup :特性评价器件 )有可能实现大规模高速LSI。1 局部沟槽隔离技术(a) 0 18μmSOI技术的开发情况所谓的SOI技术 ,就是在Si基板的绝缘膜 (埋入氧化膜 )上形成单晶硅层 (SOI层 )结构。与普通的Si基板器件在基板上直接形成晶体管的情况相反 ,SOI器件则是在薄的SOI层上形成晶体管 ,由于可以缩小源 … 相似文献
10.
用于亚微米CMOS的轻掺杂漏工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了轻掺杂漏工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量。优化的SiO2侧墙LDD工艺有效地抑制了短沟道效应。研制成功了沟道长度为0.5μm的CMOS27级环振电路,门延迟为170ns. 相似文献