NAND一季度表现糟糕

iSuppli的闪存市场分析指出，一季度NAND闪存市场糟糕得惊人!全球NAND市场营收下降了6．84亿美元，相比2006年第四季度下降了20．6％，一个被公认为市场领军供应商NAND的营收在此期间下降了10．1％，产业经历了有史以来首次负运营利润!     

第二季度NAND闪存销售额下降4．3％

据IHSiSuppli公司的闪存市场报告,由于一家大型厂商的销售额下降,第二季度全球NAND销售额为47亿美元,比第一季度的49亿美元下降4．3％。该市场降幅大于预期,主要是因为东芝第二季度销售额锐减了21．4％至14亿美元。东芝是全球第二大NAND生产商,仅次于韩国三星电子。东芝销售额大幅下降,拖累了整体市场。     

苹果预付5亿美元与东芝签闪存长期供货协议

苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。     

全球NAND市场一季度营收环比增长10％

市场调研公司集邦科技日前发布了一季度全球NAND闪存市场统计报告，全球闪存市场一季度营收环比增长率接近10％。     

Hynix 2005年NAND闪存市场收获颇丰

韩国现代半导体（Hynix）NAND闪存的销售急剧上升，2005年度约增长了500％，使Hynix牢牢占据了三分之一的市场份额。为市场的第二把交椅，2006年Hynix与日本东芝之间势必存在一场竞争。     

Q2全球NAND闪存收入达33．62亿美元

市场调查公司iSuppli公布的二季度全球NAND闪存市场调查报告显示，尽管经济增长速度放缓，但二季度全球NAND闪存市场的销售收入比去年同期增长了10．4％，达到33．62亿美元。     

东芝采用90nm处理技术使NAND闪存容量达到4GB水平

ToshibaAmericaElectronicComponents,Inc.(TAEC)(东芝美国电子元件公司)及其母公司东芝公司(ToshibaCorp.)为强化该公司在强大的高容量NAND闪存(flashmemory)开发与制造方面的领导地位,4月6日推出半导体行业第一种4GB单芯片(single-die)多级单元(MLC)NAND闪存。东芝还宣布推出     

短新闻

东芝推出目前存储容量最大的嵌入式NAND闪存模块近日,东芝宣布推出128GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内同类产品的最大容量。     

SanDisk自建大陆封测厂 将于2007年上半年对台封测厂有所冲击

全球闪存卡龙头SanDisk近期投资动作连连，除了与日本东芝宣布将携手建立第二座NAND闪存Φ300mm晶圆厂外，在大陆兴建自家首座芯片封装测试及记忆卡组装厂的计划，也终于在近日拍板定案。据设备业者指出，SanDisk大陆封测厂将落脚上海浦西闽行区内的紫竹工业区，预计第四季小量投产，若依照SanDisk产能规划，这座后段封测厂的总产能将不亚于台湾NAND封测业者。     

世界传真

三星NAND闪存龙头地位牢固受到次级放贷所引发的金融市场风暴影响,2007年4季度NAND闪存比3季度小幅下降了2.7%。就07年4季度营收排名而言,三星仍然居于龙头地位,东芝和海力士分居二、三位,但两者的占有率随着美光和英特尔的增长而呈小幅下滑,07年4季度前4品牌三星、东芝、海力士/ST和IMFlash的营收,合计约占整体品牌NAND闪存市场的98.7%,未来将形成四强争锋的新局面。总计2007年NAND闪存整体品牌厂商营收达到133亿美元。     

2016年全球芯片市场复合年均增长率将达8％

市场调研公司ICInsights发布报告称，2011年至2016年期间全球芯片市场的复合年均增长率（CAGR）可达8％，其中NAND闪存芯片市场增速最高，将达到16．6％。稍高于2006—2011年期间的16．0％的增速。     

三星东芝支持新一代NAND闪存标准

三星和东芝共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术：拥有400Mbps接口的DDRNAND闪存,即toggle DDR 2．0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。     

东芝计划耗资150亿日元生产25纳米闪存

东芝公司今年计划耗资150亿13元（约合1．6亿美元）兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。     

JFFS:日志闪存文件系统

1闪存技术简介 1．1闪存 闪存是电子可擦写只读存储器（EEPROM）的一种，主要有两种类型——传统的NOR闪存和最近出现的价格更低廉的NAND闪存。这两种闪存有一个共同的特征——在被擦除的芯片中，每一个位都被置成逻辑1，可以被写操作置为逻辑0。闪存芯片以块的形式安排，通常NOR闪存一块的容量是128KB，NAND闪存是8KB。     

2011年游戏硬件中的NAND闪存密度将增长40％以上

据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40％以上。2011年家庭游戏机的平均NAND闪存密度预计将达到923MB，比去年的629MB增长42．2％。今年手持游戏机的平均NAND闪存密度增长率将会略低，     

东芝Hynix了结闪存专利纠纷

近日，日本东芝和韩国Hynix宣布，已经签署一项交叉许可协议，了结一系列有关NAND闪存专利的诉讼和纠纷。     

英特尔与美光将推出25纳米NAND闪存芯片

英特尔和美光科技近日预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳米生产工艺与2008年推出的34纳米技术相比将显着减小芯片的尺寸。     

存储技术演进进行时

2005年是存储市场特别热闹的一年，DRAM市场低迷；凭借大容量和低成本优势，NAND市场风光无限并盖过NOR闪存；闪存技术厂商Saifun和Spansion（AMD和富士通的闪存合资企业）先后上市；Hynix和美光科技在NAND闪存市场攻城拔寨、瑞萨科技淡出NAND闪存市场，不再开发8-Gbit或更高密度的后续产品；英特尔和ST共推NOR闪存子系统规范。     

NAND Flash品牌厂商公布去年第四季暨全年营收排名

NAND Flash（闪存厂商）去年营收出炉，三星（Samsung）以46．14亿美元，市占率为40．4％，蝉联第一宝座，集邦科技（DRAMeXchange）表示，观察2007年与2008年NAND Flash品牌市场变化，2007年品牌厂商全年营收约为133.68亿美元，2008年则为144.18亿美元，年营收下跌14.6%，     

iSuppli：NAND闪存控制器营收下滑

iSuppli预计2007年全球NAND闪存控制器芯片营收下降11％，由2006年的4.36亿美元下降到3.86亿美元，这主要是由该控制器的平均销售价格（ASP）下降所至。2007年其价格下降到49美分，下降了30％。该控制器主要用于可移动闪存存储卡、USB闪存驱动器和固态硬盘（solidstate drives）等。