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1.3μm,1.55μm的Si和Si1—xGex波长信号分离器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新型的、适用于1.3μm,1.55μm的Si和SI1-xGex光通信波长信号分离器,并对这种器件进行了分析,设计出了结构参数和电学参数。 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
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本文主要介绍新颖的Si_(1-x)Ge_x/Si异质结内光电发射长波红外探测器和焦平面阵列的现状、典型结构、性能参数及制备技术. 相似文献
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本文介绍近年来国外在研制1.3~1.55μm 波长 InGaAsP 材料系 DFB 和 DBR激光器方面取得的最新成果。 相似文献
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文章主要介绍 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格量子阱长波红外探测器和新颖的红外焦平面阵列的现状。 相似文献
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应变SiCMOS技术是当前国内外研究发展的重点,在高速/高性能器件和电路中有极大的应用前景。基于(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的价带E(k)-k关系模型,研究获得了[100]和[001]晶向的价带结构及相应的空穴有效质量。结果表明,与弛豫材料相比,应变引起了应变Si/(001)Si1-xGex价带顶的劈裂,且同一晶向族内沿[001]和[100]两个晶向的价带结构在应力的作用下不再对称,相应的空穴有效质量随Ge组份有规律地变化。价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该结论为Si基应变PMOS器件性能增强的研究及导电沟道的应力与晶向设计提供了重要理论依据。 相似文献
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介绍了近年来迅速发展的8~12μmGaAs-GaAlAs多量子阱红外探测器、InAsSb和InAs-Ga_(1-x)In_xSb应变超晶格材料和器件以及HgTe-CdTe超晶格材料的简单原理、特点及国外最新动态。预计在90年代它们将与HgCdTe材料和器件同样受到人们的关注与重视。 相似文献
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使用超高真空磁控溅射系统在p-Si上制备了铂铱硅(Pt_xIr_(1-x)Si)薄膜,并制作了Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si红外探测器,研究了探测器在3~5 μm波段的特性,结果表明,Pt_xIr_(1-x)Si/p-Si势垒高度为0.177 eV,相应红外探测器截止波长为7.0μm.与普通铂硅红外探测器相比,铂铱硅红外探测器在3~5μm中波红外波段响应明显增强.Abstract: Ultra thin Pt_xIr_(1-x)Si films were deposited on p-Si substrates with ultra high vacuum sputtering system and Pt_xIr_(1-x)Si /p-Si(100) Schottky barrier detectors were fabricated and the characteristics of the detectors operating in the wavelength range of 3 ~ 5 μm were studied, with the barrier height of 177 meV and cutoff wavelength of 7. 0 μm. compared with ordinary Pt-Si IR detectors, Pt_xIr_(1-x)Si detectors have a much higher response at 3~5 μm MWIR spectral range. 相似文献
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在计入应力的紧束缚框架之下计算了单原子层应变超晶格(Si)_1/(Si_1-xGo_x)_1的电子结构.对应于不同应变条件,得出能隙随组分的变化,并结合能带边不连续的变动加以考察.超晶格取Si(或Ge)晶格常数后能隙随组分的非单调变化源自合金受相同应力后能隙的类似特点.超晶格能带及态密度均呈现类Si的闪锌矿结构对称性.在虚晶近似得出的能隙和电子状态密度的基础上,利用相干势近似作了进一步的修正. 相似文献
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本文从已取得的初步进展论证1.3~1.6μm波长的全Si集成光路的可行性。重点论述构成全Si集成光路的基础元件,如光波导、调制器、光开关、光源和探测器等的可行性以及实现的方案。 相似文献
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对Ge0.4Si0.6/Si超晶格探测器光场进行了分析,并用京传播法(BPM)进行模拟。还探讨了这种探测器与Si波导的集成。在Si波导满足单模传输的条件下,推出光场在探测器中达稳态分布时的传播距离。另外还提出了这种探测器的设计长度与波导尺寸之间的依赖关系。 相似文献
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对Ge0.4Si0.6/Si超晶格探测器光场进行了分析,并用束传播法进行模拟。还探讨了这种探测器与Si波导的集成。在Si波导满足单模传输的条件下,推出光场在探测器中达稳态分布时的传播距离。 相似文献
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