Nikon光刻机对准机制和标记系统研究

套刻精度是步进式光刻机最重要的指标之一。从应用角度探讨了Nikon系列光刻机的对准方法，举例说明了众多标准标记在实际掩模版上的摆放原则。     

掩模硅片自动对准误差校正算法

为了改善对准精度,对100nm级线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴离轴混合对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件台模型中。掩模硅片自动对准算法决定机器坐标系、掩模坐标系、硅片坐标系相互的位置关系,可很好地校正由掩模硅片引起的平移、线变、旋转、正交性的偏差。     

光刻机的分辨率和对准特性研究

本文以PLA－501F光刻机为例,研究如何使光刻机的分辨率和对准精度得到充分发挥。指出了光源、光刻胶、滤光片和主物镜的相互匹配是充分发挥光刻机分辨率的关键问题;在提高光刻工件的对准精度方面,牵涉到母板的套准图形设计及对准时的技巧。本文还分析了接近式曝光和接触式曝光的主要优缺点。     

亚半微米分步重复投影光刻机同轴对准系统及输出光强的机辅 …

介绍亚半微米分步重复投影光刻机同轴对准系统的成像机理和工作过程。该系统在掩模和硅片上均刻有对准光栅标记，经光栅衍射后形成干涉信号，使对准信噪比大大提高，并实现了掩和硅片之间的直接对准，同时利用光弹性调制器组件对光学信号进行了光学调制，由 电路实施解调，提供了一种保护高信噪比，交换弱信号探测不对准方案；并通过计算机辅助分析的手段，讨论了ＳＡＶＡＲＴ的剪切量、工件台运动速度等对系统输出信号的影响。     

硅片传输中的预对准方法

本文叙述了硅片自动传输中片子位置精度的预对准方法。并汇集了常见的具有代表性的十几种典型的预对准结构,介绍了其实现的途径和特点。     

分步重复投影光刻机同轴对准数据处理

介绍了０．８～１．０μｍ分步重复投影光刻机双光路光栅衍射同轴对准系统的构成及原理，详细讨论了对准数据的软件处理和计算方法，并给出实际测试结果。     

底面对准曝光中的对准技术研究

主要论述了底面对准光刻机的对准原理、工作台结构以及对准标记的形式和尺寸的选择。     

Nikon光刻机对准系统概述及模型分析

对准系统是光刻机中最精密复杂的部分,掌握对准原理是设计和使用光刻机的关键之一。阐述Nikon步进投影光刻机（Stepper）的对准机制,详细介绍目前应用于Nikon步进光刻机硅片对准的三种对准方式：LSA、FIA、LIA,比较它们的优缺点。并结合数学模型对影响Nikon对准模型信号强度进行分析,为提高对准精度提供了依据,对实际应用有一定的指导作用。     

用于步进光刻机的新型对准传感器件

该公司为片子步进机开发了两种新型对准传感器。其目的是为了解决目前以激光束扫描系统为基础的对准传感器在中间电极层上对准困难的问题，并获得较高的对准精度。第一种是场像对准［（ＦｉｅｌｄｌｍａｇｅＡｌｉｇｎｍｅｎｔ）ＦＩＡ］传感器。是用宽带光照形成的明场ＴＶ成象处理系统。ＦＩＡ的主要优势是采用宽带光源进行照明，这样就能避免光致扰蚀剂形成的干涉带影响，对对准标记边缘进行测定。此外，既使对准标记的横截面不对称，也能通过ＦＩＡ传感器使这种不对称性在适当的位置上得到精确的锁定和对准。第二种是激光干涉对准（ＬＩＡ）传感器。它是一种以光外差干涉技术为主的光栅对准装置。这种传感器的优点在于，它不受表面不均匀性诸如粒度等的影响。因为这种激光干涉对准传感器，只对由对准标记衍射所带来的特殊空间频率向量进行处理。因比，那些由金属颗粒衍射而产生的空间频率向量值，就可以忽略不计，而且不会影响对准效果。ＬＩＡ传感器的这一优点，保证了既使对小的台阶高度（ｌｏｗｓｔｅｐｈｅｉｇｈｔ）或畸变标记进行对准时，也能获得成功。随着ＦＩＡ和ＬＩＡ传感器的不断发展，我们已成功地对现有传感器进行了兼容互补，所以在大批量生产０．５—０．３５μｍＶＬＳＩ芯片时，?     

高精度投影光刻机对准微动硅片台

介绍一种高精度的光刻机对准微动硅片台的机械结构，并对其功能和工作原理进行详细叙述。     

光刻设备中硅片预对准的算法模型分析

分析了硅片预对准设备的工作原理、流程及计算方法,并在实验数据的基础上详细讨论了各种方法的优缺点。     

光刻对准技术研究进展

回顾了光刻对准技术的发展功能,对各种对准方法的原理和特点进行了分析和评价,介绍了几种典型主流光刻对准系统结构形式,并对光刻对准技术前景进行了描述与展望。     

NIKON NSR步进重复光刻机对准原理及典型故障修复

论述了NIKON NSR步进重复光刻机对准系统工作原理,包括掩模版对准和圆片对准;列出了对准过程中遇到的常见故障,并提出了对应的解决方法,对设备运行过程中出现的对准方面的故障修复有一定的指导作用。     

基于光学对准的光刻机投影物镜密集线焦深原位检测技术

提出了一种检测光刻机投影物镜密集线焦深(DOF)的新技术。该技术将具有精细结构的测量标记曝光在硅片上,硅片显影后,由光学对准系统获取曝光在硅片上的测量标记图形的对准位置信息,根据对准位置信息计算得到视场中各点的焦深。与传统的FEM焦深测试技术相比,该技术具有测量精度高、速度快、成本低、操作简单等优点,在光刻工艺参数优化及光刻设备性能评价等方面有很好的应用前景。     

光刻技术与光刻机

一、简介 光刻技术(Lithgraphy)被广泛运用于当今半导体制程中.光刻技术可以用近紫外光(Near UltraViolet,NUV)、中紫外光(Mid UV,MUV)、深紫外光(Deep UV,DUV)、真空紫外光(Vacuum UV,VUV)、极短紫外光(Extreme UV,EUV)、X-光(X-Ray)等光源对光刻胶进行照射.相关波长范围如图1所示.     

纳米光刻对准方法及其原理

对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。45nm节点以下的光刻技术如纳米压印等,对相应的对准技术提出了更高的要求。对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类,为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。经过分析,从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度,而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。因此,基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。     

基板二次预对准定心定向数学模型的研究

高精度的预对准分系统是设计现代光刻机需要解决的核心问题之一。在光刻机上载基板的工作过程中,需要进行多次基板对准,主要有:基板预对准、基板二次预对准、基板对准。为了建立基板二次预对准定心定向数学模型,基于基板二次预对准的工作原理,提出了计算定心定向的算法,对该算法进行了仿真分析,并根据输入输出建立了定心定向数学模型。该数学模型的建立,为提高二次预对准精度提供了依据,对实际应用有一定的指导作用。     

100nm线宽的掩模硅片自动对准算法

对100nm线宽尺寸建立了掩模硅片自动对准数学模型,应用于同轴加离轴对准系统的硅片模型、掩模模型以及工件台模型中,该对准算法模型有一定可行性,能很好地满足100nm线宽对准精度的要求。