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对添加MgO及烧结参数对莫来石形成和致密化影响进行了研究。采用扫描电子显微镜,对粉末形态和烧结试样的显微结构特征进,亍描述。采用X射线衍射对烧结试样中相的特征进行观测。依据阿基米德原理采用密度和量化,测定烧结试样的密度。结果发现,MgO的添加不仅影响莫来石的形成,而且也促进了颗粒的生长。对于含有MgO0%、1%、2%的试佯仅有莫来石形成。而除莫来石之外,Al2O3存在于含MgO3%的试样之中。更高的MgO含量(4%、5%和6%),形成三种相,即莫来石、Al2O3和尖晶石。与更高的烧结温度相对应,对于所有烧结时间和更高的密度,添加MgO1%所有试样的密度增加。在更高的MgO含量状态下,几乎在所有烧结温度下.更高的温度导致更低的密度并且更低的温度导致更高的密摩。 相似文献
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复合添加剂对钛酸铝材料合成及稳定性的影响 总被引:6,自引:1,他引:5
本实验采用正交试验设计,研究了复合添加剂SiO2、MgO以及合成温度三因素对钛酸铝合成与稳定的影响,探讨了复合添加剂对钛酸铝的稳定机理,并在合成的基础上,对钛酸铝进行了烧结后性能测试,结果表明,复合添加剂能较好地使钛酸铝材料保持稳定,MgO与温度对钛酸铝的合成及稳定具有强烈的交互作用,烧结后钛酸铝材料在保持低热膨胀系数前提下抗折强度达52.13MPa。 相似文献
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MgF2氧化现象的X射线衍射研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用X射线衍射方法,研究高稳定化学结构的MgF2在30%Ag(质量分数,下同)掺杂下,在低真空中(≥30Pa)高温(≥600℃)烧结后,氧化成为MgO的过程。在烧结温度为600℃,恒温时间为2h时,XRD出现d为24326,2.1065,1.4896A的MgO衍射峰。随着烧结温度升高,MgF2的衍射峰逐渐减弱减少,MgO的衍射峰则逐渐增强增多。到1250℃时,MgF2的衍射峰全部消失。然而,将MGf2-30%Ag样品在高真空中(<10^-3Pa)1000℃烧结,恒温2h,未观察到MgF2有氧化现象。如果将纯MgF2样品在开口高温炉中(即大气中)1000℃烧结,仅发现3个较弱的MgO衍射峰(相应的d值为2.1008,1.4882,1.0525A),MgF2衍射峰全部出现。讨论了MgF2的氧化机理,指出Ag在MgF2的氧化过程中起了中间媒介作用。 相似文献
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研究了MgO烧结的滑移机理发生的条件。首先回顾了近30年来主张和反对滑移机理的各派意见。作者认为,MgO内既有位错,只要具备适当条件,在烧结时滑移机理应可发生。作者提出的四项条件是: 1.MgO颗粒应为单晶体,以便易于发生位错滑移,并且取得较大的滑移量。 2.MgO颗粒中位错应能运动。如果MgO熟料烧结温度太高,一部分或全部位错不能运动,有碍日后成品的烧结。 3.MgO颗粒应该很细,以便提供大量应力作为位错运动的动力。作者计算了不同大小的MgO颗粒在各期烧结所能提供的应力,发现MgO颗粒愈细,提供足够应力的时间愈长。 4.MgO应该很纯。杂质不论以何种状态存在,对位错运动俱属有碍。FeO与MgO生成简单固溶体,危害小些;Fe_2O_3溶入MgO后,发生四方畸变,危害大些;而以M_2S在MgO内作为沉淀,危害最大。作者计算M_2S在MgO内作为沉淀后,为能使位错运动的条件,认为只有M_2S含量少、颗粒大以及MgO颗粒小时,才有可能使位错运动。 作者认为,现今MgO烧结研究中不易具备这些条件,因而不易实现滑移机理。但这些条件是可以创造的,可以使滑移机理在MgO烧结中出现。 相似文献
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《硅酸盐学报》2015,(12)
以MgO–Al_2O_3–CeO_2复合体系为烧结助剂,采用放电等离子烧结工艺制备氮化硅陶瓷。研究了MgO–Al_2O_3–CeO_2含量、烧结温度对氮化硅陶瓷显微结构及力学性能的影响;探讨了复合烧结助剂作用下氮化硅陶瓷的烧结机理。结果表明:当混合粉体中Si_3N_4、MgO、Al_2O_3和CeO_2的质量比为91:3:3:3、烧结温度为1600℃时,氮化硅烧结体相对密度(99.70%)、硬度(18.84GPa)和断裂韧性(8.82MPa?m1/2)达最大值,晶粒以长柱状的β相为主,α-Si_3N_4→β-Si_3N_4相转变率达93%;当混合粉体中Si_3N_4、MgO、Al2O3和CeO_2的质量比为88:4:4:4、烧结温度为1600℃时,烧结体抗弯强度(1086MPa)达到最大值。 相似文献
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本文研究了化学组成和制备工艺上的若干因素对蛇纹石——白云石混合物的烧结和烧后性能的影响。确定在影响熟料烧结的因素中,混合物的粉碎细度占居首要的地位,其次为三氧化物的含量;还原气氛对烧结起着极其有害的作用,提高熟料中的MgO含量可以显著地改善烧结。随着三氧化物含量的提高,荷重软化开始温度趋于下降。根据研究结果在实验室内初步用蛇纹石试制成功性能较好的稳定白云石砖。 熟料的显微组织特征表明,MgO含量较高的试样之所以烧结较好,主要原因在于MgO含量的提高有助于方镁石颗粒之间的固相烧结。利用现有的烧结理论可以初初步阐明这一现象。 相似文献
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纳米MgO/TiO2对ZTA陶瓷性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了纳米MgO/TiO2复合添加剂对氧化锆增韧氧化铝(ZTA,ZrO22%)陶瓷的烧结特性和机械性能的影响。结果表明:添加少量的纳米MgO及TiO2,不仅可以降低烧结温度,并能显著提高材料的抗弯强度和断裂韧性,其实验峰值分别达到364MPa和4.3MPa·m1/2。 相似文献
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堇青石(2MgO·2Al_2O_3·5SiO_2)系膨胀度低、耐热冲击性良好的物质。很久以来,它一直被研究,被作成陶瓷。但是,这种烧结体,其烧结温度范围很狭窄(通常<10℃),绝大部分是多孔制品。因此,人们试图使用种种添加剂来提高它的密度,但添加剂反而阻碍堇青石发挥其本身所具备的全部性能。 相似文献
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保持AI2O3和si02含量不变,变化CaO和MgO的比例制造氧化铝瓷球。研究了不同CaO、MgO含量对瓷球密度、烧结以及耐磨性的影响。结果表明,随着CaO含量降低、MgO含量的升高,瓷球烧成温度升高,密度相近,但磨耗降低。 相似文献
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通过采用不同添加物进行制样并在不同温度下进行烧结实验 ,测试样的收缩率、吸水率、体积密度、显气孔率、玻璃相含量等 ,研究了Cr2 O3、MgO、TiO2 三种添加物对硅线石精矿烧结性能的影响。结果表明 :这些添加物均可改善硅线石的烧结性能 ,其最佳加入量分别为 :TiO2 2 %、MgO 2 %、Cr2 O33% 相似文献
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对添加不同量MgO的反应烧结刚玉-锆英石的产物进行了显微物相及XRD研究。由此得出:1.温度是影响烧结进程的主要因素,1400℃以下,以固相烧结为主;1400℃以上以反应烧结为主;2.MgO加入量可影响反应程度,尤其在高温(>1500℃)阶段。MgO含量增多可促进物相间的转化;x=0.50时最有利于莫来石的生成;3保温时间仅影响已有物相的结晶状态,而不影响反应物的转化进程。 相似文献
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以镁砂或尖晶石为骨料,以Al-Al2O3 -MgO混合粉为基质料,采用氮化烧结法制成MgAlON结合镁质和尖晶石质复合材料,研究了烧成温度和基质料中Al2O3、Al比 (质量比,下同 )和Al2O3、MgO比对试样烧结性能的影响。研究表明:以尖晶石为骨料的试样的烧结致密化程度随烧成温度的升高而提高,但以镁砂为骨料的试样在 1400℃时烧结致密化程度最差;随着基质料中Al2O3、Al比的提高,以镁砂为骨料的试样的烧结致密化程度基本上呈增加趋势,以尖晶石为骨料的试样的烧结致密化程度则基本上呈下降趋势;当基质料中Al2O3、MgO比为 2. 33时,以镁砂为骨料的试样的烧结致密化程度最差,而以尖晶石为骨料的试样的烧结致密化程度随着基质料中Al2O3、MgO比的提高而降低。 相似文献
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以高纯超细α-Al2O3粉为原料,采用常压、高压烧结制备了高纯Al2O3陶瓷。研究表明,在乙醇溶剂中高速球磨可显著降低Al2O3粉料的平均颗粒尺寸,提高粉料的比表面积与烧结活性;在4.5 GPa、1230℃高压烧结30 min,制备了相对密度达98.71%的无烧结助剂掺杂的Al2O3陶瓷;与常压烧结相比,高压烧结可显著降低烧结温度,提高传质速率,大幅度缩短烧结时间,达到快速、低温烧结的效果;由于相对较低的烧结温度,掺杂微量MgO的Al2O3陶瓷在高压烧结中未出现液相,MgO对烧结致密化及Al2O3晶粒生长抑制几乎无影响。 相似文献
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以钙质铬酸镧微粉为主原料,研究了分别添加ZrO2、CaO、MgO、SiO2或Al2O3五种微粉对铬酸镧材料烧结的影响。通过测定试样的体积密度、显气孔率,并借助电镜观察分析,对铬酸镧材料的烧结性进行了探讨。结果表明:在铬酸镧材料中分别添加ZrO2、CaO、MgO、SiO2或Al2O3,均能促进材料的烧结,使材料达到致密,并能使烧结温度降到1650℃。从显微结构看,添加ZrO2、MgO或CaO的铬酸镧烧结体,晶粒以固-固结合为主,而添加SiO2或Al2O3的铬酸镧烧结体晶粒间则以液相结合为主,且结构中有较多的封闭气孔。当温度再升高时,由于铬离子的挥发以及具有较低体积密度的相的生成,反而会使铬酸镧材料的密度下降。 相似文献
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用流延成型法制备Mn掺杂钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)/MgO复相陶瓷厚膜,介绍从制粉、流延浆料制备到厚膜的脱脂及烧结的整个工艺流程。通过差热-热重测试曲线分析Mn掺杂BST/MgO流延膜的脱脂特性,制定膜片的脱脂工艺。用扫描电镜观察不同温度烧结样品的微观结构,确定最佳厚膜烧结工艺,在1320℃和1350℃烧结的陶瓷厚膜样品的相对密度达到96.1%。分析研究不同温度烧结陶瓷厚膜的介电性能的结果表明:1350℃烧结样品的室温相对介电常数为108,介电损耗低于0.002,Curie温度在-70℃左右,介电常数可调率为25.15%。 相似文献