我国电容器级钽丝发展与展望

回顾了我国电容器级钽丝发展历程，描述了我国钽丝发展现状和技术发展历程及其在世界钽工业发展中所处的地位和竞争能力，阐明了我国钽丝加工技术领域中所存在的问题和面临的形势。从国家行业整体发展角度考虑，提出了对国内钽丝行业进行重组整合和积极开发具有自主知识产权技术的可持续发展的战略构想。     

钽丝的织构和再结晶行为研究

研究了变形钽丝在不同温度下退火后的织构演变和再结晶行为，发现1360℃退火后钽丝初次再结晶基本完成；1500℃退火后，钽丝中发生了二次再结晶，晶粒异常粗大。提出了拉拔钽丝的再结晶织构模型。     

电容器用钽丝漏电流的影响因素研究

研究了钽丝的纯度、漏电流检测条件对钽丝漏电流的影响。结果表明,钽丝中化学杂质的含量对钽丝漏电流的影响尤为明显,而合适配比的掺杂剂和掺杂量可以显著降低钽丝的漏电流;钽丝的阳极氧化条件也是影响漏电流的重要因素。可以通过控制钽丝的纯度、优化阳极氧化形成条件,获得稳定、可靠的钽丝漏电流。     

铌、钽电容器性能分析

钽铌属于同族元素 都是阀金属材料,其介电常数分别为27、41,都可以用来制作电解电容器。本文使用铌和钽2种材料分别制作电解电容器,并通过容量损耗测试仪、漏电流测试仪、电子扫描电镜等分析仪器对其和始性能、偏压性能、温度特性、寿命特性及其电介质层的微观特性进行检测分析。结果表明使用铌材料同样可以得到性能较好的电解电容器。     

片式钽电容器的研究现状与发展趋势

综述了近期国内外片式钽电容器的研究现状,并对今后钽电容器的技术发展进行了展望,指出提高电容量或在相同容量下缩小体积,以及改进性能,特别是降低ESR将是今后钽电容器发展的方向,铌电容器的问世将拓宽钽电容器的应用范围,并成为电容器的一个新品种.     

钽电解电容器工艺现状和发展方向

随着电子技术向自动化和小型化发展,也要求钽电解电容器朝着小型化、片式化、高性能的方向发展。本文主要对钽电解电容器工艺现状和发展方向进行了详细的探讨。     

电容器用金属钽粉

为提高钽电容器用金属钽粉的CV值（静电容量×电压儋），生产钽粉的中间原料逐渐从钽氟化物转变为固体氧化物。H·C·Stark公司在德国和日本的生产厂，用固体氧化物原料生产出CV值在10万以上的产品，并逐渐增加产量。CABOTSUPERMETAL公司也开始上马可提高CV值的固体氧化物为原料的钽粉制造设备。[第一段]     

掺杂与钽条和钽丝组织性能关系的研究

通过金相显微分析、扫描电镜观察、电子探针分析、密度测试、TEM观察和力学性能测试研究了掺杂与钽条和钽丝组织和性能的关系.结果表明:随着掺杂量的增加,钽条晶粒变细,且掺B比掺A细化晶粒的效果更加明显,但随着掺B量的增加烧结变得不充分,钽条密度偏低;随着掺杂量的增加,钽丝的再结晶温度升高,组织晶粒细化,其中掺B比掺A细化效果更加明显;随着掺杂量的增加钽丝室温抗拉强度增加,伸长率则随着掺A量的增加而降低,随着掺B量的增加而升高,且掺B较掺A强化效果明显,B的加入还起到了细晶韧化效果.     

液体钽电容器电解质低温性能的研究

研究了液体钽电解电容器电解质的低温性能，并通过正交实验优选出了工作电解质配方。该工作电解质采用复合酸体系，同时加入适量的去极化剂以改善电容器性能。     

有机片式固体钽电解电容器制备工艺研究

研究了导电聚合物PEDT作为阴极材料的有机片式固体钽电解电容器的制备工艺,通过调整隔离材料、掺杂剂等参数有效改善了有机片式固体钽电容器的性能.重点研究了阻隔剂、掺杂剂含量等参数对有机片式固体钽电容器电容、等效串联电阻、漏电流等性能的影响.结果表明,当隔离材料体积分数为0.5%～1.5%时,薄膜具有较好的耐压性能,电容器的漏电流较小(<5μA);当掺杂剂质量分数为1.5%～2%时,掺杂剂可以有效地进入PEDT主链进行掺杂,PEDT薄膜的电导率较高,从而使电容器获得较低的等效串联电阻.     

液钽电容器外壳用深冲EB钽带加工工艺研究

本文通过对锻造、轧制及热处理工艺的研究,测试了材料的力学性能、晶粒度及金相组织,确定最佳工艺为轴向镦粗径向拔长＋三向循环镦粗拔长的锻造工艺,换向轧制的开坯轧制工艺,950℃×90 min的热处理工艺,该工艺制备的材料符合性能要求。     

高频、低ESR钽电解电容器新工艺的开发

从阳极尺寸和结构设计、阴极被膜工艺改进,分析固体钽电容器的等效串联电阻（船尺）值的影响因素,提出了制造高频、低ESR值固体钽电解电容器的新工艺。投入10V／100μF、10V／470μF两种规格产品,结果表明：阳极块厚度控制在1．5-2．1mm时,同一规格产品具有最小体积,接触电阻r金更小;在硝酸锰溶液中添加强氧化剂和表面活性剂,制得的MnO2层的r解更低;同时采用多芯并联结构,能使固体钽电解电容器的ESR值降低到通用钽电容器的ESR值的1／3-1／2,且100kHz时电容量变化值小于20％。     

电容器用钽阳极失效分析与研究

利用扫描电镜进行电容器用钽阳极失效原因分析,造成单支阳极块漏电流异常偏大甚至被击穿的主要原因为:局部存在的夹杂物质引起氧化膜生长异常导致颗粒表面局部钽氧化物薄膜不连续,大量的电子通过造成漏流偏大甚至击穿。阳极块中出现的异物为原料钽锭中存在的钽的碳化物夹杂,由于其高熔点、耐酸蚀的特点使得钽粉后续处理过程中无法去除而保留在了钽粉中。背散射电子成像可应用于钽样品检测。     

基于高比容钽粉的聚合物片式电容器制备工艺研究

针对比容为50000～70000μF.V/g的较高比容钽粉,研究了导电聚合物聚3,4-乙烯基二氧噻吩(PE-DOT)作为阴极材料的有机片式固体钽电解电容器的制备工艺,通过调整阳极体制备及阴极被覆工艺等参数实现了PEDOT在高比容钽块表面的有效被覆,获得了各项性能参数良好的聚合物片式钽电解电容器。重点研究了压制密度、形成电流密度等参数及分段被膜工艺对聚合物片式固体钽电容器容量引出、等效串联电阻、漏电流等性能的影响,并讨论了相应的电容器工作机理。     

钽市场回顾与展望

回顾了近年来世界钽的产量、需求及价格,并展望了未来钽市场的需求及需求量的预期增长.     

电容器级中压高比容钽粉的特性

介绍了中压高比容钽粉的应用及发展趋势.叙述了35V 18000～20000μFV/g电容器级中压高比容钽粉的物理及电性能,并与国外同等水平的产品进行了简单的对比分析.     

片钽全自动外观检测系统的设计与应用

本文介绍了一种外观检测系统的构成设计及应用实例，它非常适合于元器件连续生产过程中，产品的外观检测及处理，具有高速，高效的特点。     

美国3年来钽铌进口情况述评

依据英国金属网公布的2003年、2004年、2005年第1季度美国钽铌原料和制品进口统计数据,评述了美国钽铌市场的状况,着重关注了中国向美国出口钽铌的情况.