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相似文献
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本文介绍了JETD-T阶段首批获得的最新结果,重点放在将条件仔细调节到类似于ITER所要求的条件上。在有100%的氚注入的大约20次放电中,实现了壁负载从100%氚向90%的氚的转变。发现H模式阈功率与同位素质量成反比,而在无ELM或ELMyH模式放电中全域能量约束时间与质量几科有关,初步结果与全域能量约束时间的回旋博姆物理公式一致,这种公式有弱的负质量关系,但密度关系比ITERH93-P公式更经  相似文献   

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在具有内部输运垒(ITB)的DⅢ-D托卡马克等离子体中,回旋动力学线性稳定性(GKS)预言与低的和强的负磁剪切等离子体实验的比较,提供了对等离子体中电子热输运的进一步理解。正好在ITB内部的一个限定区域,电子温度梯度(ETG)模似乎控制着电子的温度梯度,从而也控制着电子的热输运。具有更强的负磁剪切时电子温度梯度的增加与ETG模临界梯度的增加一致。靠近磁轴Te的分布是平坦的,而且预计ETG模是稳定的  相似文献   

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在喷入少量氚(T)的氘中性束加热等离子体中测量了t(d,n)α和d(d,n)^3He中子发射率分布。氚密度是从中子发射率中推出的,并确定了输运系数(D,V)。T和^4He的粒子扩散率同热扩散率在大小和分布形状方面是类似的。对流速度在r/a〈0.6的区域是反常的。这些结果是托卡马克等离子体中氢同位素的D和V的首批测量结果。  相似文献   

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朱毓坤 《国外核聚变》2000,(1):39-43,49
在联合欧洲环(JET)的氢、氚和氚等等离子体的专门实验中,对H模式功率阈和能量约束时间的同位素相关性作了研究。结果指出:(1)H模式功率阈反比于等离子的有效同位素质量M;(2)于L-H模式转换时的边缘电子基座温度按M^-0.5定标;(3)倘若诸如电流、磁场、密度、功率和几何形态等工程参数保持不变,则整体的热能约束时间τth不强烈地依赖于M,即在欧姆、L模式、边缘局域模(ELMy)和无ELMH模式约  相似文献   

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在BALDUR预测性输运程序中使用多模模型研究了JET等离子体放电中同位素质量对热输运和粒子输运的影响。从这些模拟中得到的温度和密度分布一般都与实验测得的带边缘定域模的JET高模氢、氘和氚放电中的十分相符,出人意料的是,在这些模拟中使用的纯回旋玻姆输运模型,能正确地预言当同位素质量增加时实验上观测到的约束改善,该模型给出如下结果:当所有等离子体分布的形状保持不变时,回旋玻姆扩散系数随同位素质量而增大。然而,在JET实验中发现,当同位素质量增加时,在边缘平台的顶部电子和离子温度均系统地上升。这里报道的数值模拟表明,同位素质量增加时,边缘温度的这种增加以及随后温度分布的加宽是约束改善的原因。  相似文献   

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本文概述了欧洲-美国(EU-US)聚变等离子体中输运专题讨论会的论文。该会议于1998年9月7日-10日在瑞典哥德堡召开。本文的编排反映了会议本身的安排,即6次分会:芯部输运定标、仿星器-RFP-托卡马克的比较、起伏、改善的约束、瞬态输运以及边缘-芯部相互关系。  相似文献   

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为了辐射熄灭等离子休事的储能和缓和破裂效应,将熄灭剂氖弹丸注入DⅢ-D托卡马克等离子体中。在弹丸消融的时间范围内向径向输运导致氛在弹丸消融穿透半径内中心沉积,从而引起有效的射能量损耗。这个结果与所测量的加料弹丸的向外径向沉积相反。  相似文献   

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基于JT-60U数据研究具有箱型内输运垒(ITB)和L模边缘的反剪切等离子体的能量约束定标。储能分成两个部分:L模基础部分相被ITB围着的芯部部分。芯部储能Wcore不仅仅随净加热功率Pnet而增加。芯部储能的定标可表示为Wscale=Cε^-1fB^2p,fVcore,其中εf是ITB底部的反环径比,Bp,f是外中平面ITB底部的极向磁场,Vcore是ITB底部内部的芯部体积。该定标等于芯部极向β的条件,即εfβp,core=C1,其中C1≈1/4。尽管Wcore几乎是与Pnct。无关的,但是估算的ITB区域的热扩散率在一定程度上与新经典扩散率有关,而且新经典输运与该数据是一致的。讨论了该定标的物理背景。  相似文献   

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DⅢ-D托卡马克上通过注入冰冻氚弹丸直接产生了从低约束(L模)出子体到高约束(H模)等离子体的转变。H模的转变发生在边缘电子和离子温度低于L模值时。这就意味着临界边缘温度不是H模转变必需的。实验上确定的边缘等离子参数远低于几个触发H模的H模转变理论所预计的参数,从而表明需要修正这些理论。  相似文献   

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Petty  CC 火苗 《国外核聚变》2001,(1):36-45,27
在DⅢ-D托卡马克的H模式和VH模式等离子体中首次测量了由快阿尔芬波驱动的电流。对极向通量演变的分析表明,快波电流驱动分布是中心峰化的,但有时比理论预计的宽。尽管对于很少发生ELMs的等离子体,测得的电流驱动效率与理论一致,但是对于有快ELMs的等离子体,电流驱动效率为一个数量级,则太低了。功率调制实验表明,电流驱动随ELM频率的增大而降低是由于中心吸收的快速功率的份额降低引起的。当等离子体分界面外侧的电子密度上升到大于ELMs引起的快波截止密度时,吸收和电流驱动是最弱的,从而可能允许边缘损失机制耗散快波功率,因为对于脱离等离子体的快波,截止密度是一个障碍。  相似文献   

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