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已建造了一个ＵＨＶ兼容沉只系统，用地通过２．４５ＧＨｚ微波等离子体化学气相沉积生长金刚石薄膜。这个系统包括一个负载锁定装置和一个球形沉积室。在该室中加热的１００ｍｍ直径的基处处一暴露于反应等离子体环境，设计设置了一些孔，以便利用椭圆率测量术，发光光谱测定法，质谱测定法和激光反射测定法进行原位监测。也可以供后面附加的如ＸＰＳ的分析室之用。 相似文献
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研究了大气压强ｄｃ热等离子体射流反应器中工艺参数对金刚石膜没积的影响,估计了两种不同的先质注入系统,逆流注入和侧面注入,发现使用乙醇时本质流率大大影响晶体尺寸和晶体生长平面的取向,而且,发现尖边缘的晶体尺寸比平表面的晶体尺寸大４倍,也研究了基体几何形状对沉积的金刚石的形态和面积的影响,这项研究结果表明,ｄｃ热等离子体射流提供高的金刚石沉积率,例如在金属丝和钻头上就是那样,尽管晶体尺寸和膜厚度有显著 相似文献
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火苗 《国外核聚变与等离子体应用》1998,(3):76-79
有一个用作等离子体室的石英管的２．４５ＧＨｚ窄缝天线微波等离子体源已用于从远距离等离子体中的玻璃基体去除有机润滑剂，有选择地用一个无距离笼把直接在石英管壁的初始放电与工艺室中的扩散本体等离子体开来，地于有和没有远距离笼的源型，研究了离子浓度的径向和轴向分布和去除率。一般的工艺条件是：功率为４ｋＷ、压强为－２５Ｐａ氧流率１００ｓｃｃｍ。对于直接等离子体和远距离等离子体。测得的离子浓度分别为８×１０６ 相似文献
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采用感应耦合等离子体源 (ICPS)成功地实现了化学气相沉积硬质类金刚石 (DLC)膜 ,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜 ,并且在相对较低的基片负偏压条件下就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。 相似文献
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采用感应耦合等离子体源(ICPS)成功地实现化学气相沉积硬质类金刚石(DLC)膜,并考察了基片负偏压对类金刚石膜沉积过程和薄膜性质的影响。薄膜的微观形貌、显微硬度、沉积速率以及结构成分分析表明感应耦合等离子体源适于制备硬质类金刚石膜,并且在相对较低的基片负偏压条件就可以获得高硬度的类金刚石膜。基片负偏压对类金刚石膜化学气相沉积过程和薄膜性质都有显著影响。 相似文献
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