西北工业大学凝固技术国家重点实验室介万奇教授研究团队

正西北工业大学凝固技术国家重点实验室介万奇教授研究团队致力于凝固过程的基本原理及其在先进铸造与人工晶体生长中的应用研究。近年来分别在大型结构件整体铸造及典型II-VI族化合物半导体晶体生长及其应用技术方面获得国家技术发明二等奖2项,省部级科技成果奖8项,发表学术论文400余篇,出版专著2部,获国家发明专     

“新型超声电机技术”项目获国家技术发明二等奖

由南京航空航天大学赵淳生教授负责的“超声电机”课题组承担的“新型超声电机技术”项目最近获国家技术发明二等奖,这是继2003年“超声电机的研究”项目获国防科学技术一等奖之后又获此殊荣。南京航空航天大学的“超声电机”课题组于1995年底研制成功中国首台能实际运转的行波     

2012年中国稀土十大科技新闻

1."非皂化萃取分离稀土新工艺"获2012年度国家科学技术发明二等奖由北京有色金属研究总院、有研稀土新材料股份有限公司黄小卫教授带领的团队完成的"非皂化萃取分离稀土新工艺"获得2012年度国家科学技术发明二等奖。2.我国科学家突破高浓氨氮废水处理难题环境保护部2012年12月21日发布关于2012年度环境保护科学技术奖获奖项目的公告,由中国科学院过程工程研究     

有色金属新型材料的发展趋势

大力开发电子信息材料电子、光电子和通信材料在信息时代显得格外重要。半导体被称为产业之粮,90年代材料领域的研究仍将以半导体为中心继续发展。当前,硅是最重要的半导体材料。目前世界多晶硅生产能力为10470t,除西门子法、硅烷法外,又出现了改良西门子法、新硅熔法和乙基公司的粒状硅等工业方法。硅单晶向着大直径、高纯度、高均匀度和高完整度的方向发展。世界硅单晶产量为4700t,直拉法仍占主导地位。日本发明了FCCZ     

高新技术产品目录(新材料)

序号界定条件描述06010506010501060105020601050306010504 产品名称大直径硅单晶及新型半导体材料多晶硅大直径硅单晶及抛光片区熔硅单晶化合物半导体材料0601050506010506060105070601060601060106010602光纤用GeCI;锗单晶、锗片及金属锗太阳能电池用多晶硅、非晶硅超导材料低温超导材料高温超导材料多晶硅是生产硅单晶的重要原料6”,8”及以上直径拉硅单晶及抛光片是制作16一64MB存储器的主要材料;满足0.25一0.5尽m3”,4”,5”,6”及以上区熔硅单晶用于制造电力电子器件--一---一一一-一一一-一------一一一一-一一-一一一一一一一一-…     

表面硬质薄膜材料制备技术荣获2005年国家技术发明二等奖

中国机械工程学会表面工程分会主任委员、西安交通大学徐可为教授等研究的复杂型腔工模具表面硬质薄膜材料制备成套设备及关键工艺技术获得2005年国家技术发明二等奖。     

“激光合成波长纳米位移测量方法及应用”获国家技术发明二等奖

从在京召开的2007年度国家科学技术奖励大会上传来消息。浙江理工大学机械与自动控制学院陈本永教授主持的“激光合成波长纳米位移测量方法及应用”获得国家技术发明二等奖。     

2004年有色行业一批重大科技成果获国家表彰

在2004年国家科学技术奖励大会上，有色行业有12项科技成果获国家表彰，其中获国家发明一等奖1项、二等奖1项，国家科技进步一等奖1项、二等奖9项。具体如下：     

半导体材料的发展现状与趋势(摘要)

一、硅单晶和外延材料 半导体硅单晶材料是半导体器件和集成电路等电子工业的基础材料,年产量已超过50亿in~2,到2000年预计将达60多亿in~2。在目前使用的半导体材料中,硅一直处于主导地位(98％的半导体器件是由硅材料制造)。在过去的近半个     

半导体光电信息功能材料的研究进展

历史发展表明,半导体信息功能材料和器件是信息科学技术发展的先导和基础。20世纪40年代末50年代初,晶体管的发明、硅单晶材料和硅集成电路（ICs）的研制成功,导致了电子工业大革命。20世纪60-70年代,光导纤维材料和以砷化镓（GaAs）为基的半导体激光器的发明,超晶格、量子阱微结构材料和高速器件的研制成功,使人类进入到光纤通信、移动通信和高速、宽带信息网络的时代。纳米科学技术的发展和应用将使人们能从原子、     

半导体材料的发展及现状

1 引言 半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分地应用于器件。自硅开始替代锗,直到现在,甚至以后很长一段时间里,硅仍将是大规模集成电路的主要材料。如在军事领域中应用的抗辐射硅单晶（NTD）、高效太阳能电池用硅单晶、红外CCD器件用硅单晶等。但在超高速集成电路和光电子领域,化合物半导体材料显示出了它不可替代的优势。 GaAs和InP基材料在10年前就应用到器件中了,成为化合物半导体基器件的主要支柱材料。随着微电子技术向高密度、高可靠性方向发展,对半导体材料的要求也越来越高。GaAs材料的异军突起,打破了Si材料一统天下的同     

半导体光电信息功能材料的研究进展

<正>历史发展表明,半导体信息功能材料和器件是信息科学技术发展的先导和基础。20世纪40年代末50年代初,晶体管的发明、硅单晶材料和硅集成电路(ICs)的研制成功、导致了电子工业大革命。20世纪60～70年代,光导纤维材料和以砷化镓(GaAs)     

我国大直径半导体硅材料产业化突破性进展

我国大直径半导体硅材料产业化取得新进展，北京有色金属研究总院、国家半导体材料工程研究中心和有研半导体材料股份有限公司联合攻克了0．13-0．10μm集成电路用直径12英寸硅单晶抛光片工程化成套技术，月产1万片中试生产线的产品，已开始进行用户试用和供货考核评估工作。     

游效曾

世界知名的无机化学家国家自然科学二等奖和何梁何利科技进步奖获得着《第六届中国功能材料学术会议》化学功能材料会场主席南京大学配位化学研究所名誉所长、博士生导师、教授中国科学院院士     

西安科技大学矿产研究所

西安科技大学矿产研究所成立于1989年2月，主要从事煤及伴生矿产的超细粉碎加工及综合利用研究，集科研、教学、生产为一体。目前下设五个研究室，拥有矿物超细粉碎生产线、煤基COPO树指工业化生产中试车间和环保型涂料生产车间。先后承担了国家计委攻关项目、国家自然科学基金项目、陕西省科技攻关重点项目等纵向课题20余项，企业合作项目50余项，获国家发明专N6项，目前正在申请专利2项，获国家科技进步二等奖一项，     

世界知名的半导体材料和材料物理学家国家高技术新材料领域功能材料专家组组长中科院半导体所研究员、中国科学院院士——王占国

王占国男，1938年12月出生，河南镇平人。半导体材料和材料物理学家，中科院半导体所研究员，中科院院士。1962年毕业于南开大学物理系，同年被分配到中国科学院半导体研究所工作，从事半导体材料光电性质和半导体材料、器件辐照效应研究。1980年10月～1983年11月赴瑞典隆德大学固体物理系进修，从事半导体深能级物理和光谱物理研究。1986年任半导体所研究员，材料室主任：1990年任博士生导师，副所长；从i990年起先后任中科院半导体材料科学重点实验室主任、学术委员会主任；并先后被选为国际半导体和半绝缘材料会议，第七届国际化学束外延会议，国际半导体缺陷识别、成像与物理会议等多个顾问委员会委员；1990～2001年任国家“863”高技术新材料领域专家委员会委员、常委、功能材料专家组组长，因对“863”计划做出突出贡献，2001年“863”计划十五周年时，被科技部授予先进个人称号；1996～2000a被科技部聘任为国家S-863计划纲要建议软课题研究新材料技术领域专家组组长：2003年国家材料中长期科技发展战略研究新材料专家组组长；1996～2002国家自然科学基金信息学部半导体学科评审专家组组长：国家科技奖励评审专家；天沣经济技术开发区、河南郑州经济技术开发区等顾问：从1992年起先后任南京大学、北京师范大学、大连理工大学、西安交通大学、山东大学、河南大学和南开大学等多所高校兼职教授和山东大学、武汉理工大学、北京大学、清华大学、中山大学、中科院上海技术物理研究所和中科院上海微系统与信息技术研究所等十多个国家和部门的开放实验室学术委员会主任。     

晶体材料及设备

重庆大学单晶炉科研组,遵循伟大领袖毛主席关于“备战、备荒、为人民”的教导,根据社会主义建设的需要,充分发挥群众的积极性,以艰苦奋斗,自力更生的革命精神,在三年多的时间内,先后研制出了半导体材料大直径硅单晶,片状硅单晶(硅蹼晶体),晶体激光材料钇铝石榴石,及其相应三种类型的单晶炉设备。并为工厂和科研     

浙江大学“高纯硅烷的进一步提纯技术”通过鉴定

由浙江大学半导体材料研究所承担的“高纯硅烷的进一步提纯技术”于1991年12月通过了专家函审鉴定。浙江大学半导体材料研究所在国内率先开发出硅化镁法生产硅烷的技术路线。在“六五”期间完成国家科委重点科技攻关项目——“高纯硅烷气体研制”;“七五”期间瞄准国家对硅烷提出的攻关指标,在浙江省自然科学基金和高纯硅及硅烷国家重点实验室开放费的资助下,于1990年12月完成了“高纯硅烷的进一步提纯技术”课题。专家函审鉴定意见认为:     

钢铁研究总院先进永磁材料基础科学及应用技术研究团队

钢铁研究总院先进永磁材料基础科学及应用技术研究团队(以下简称团队)是我国在该领域研发实力很强的研究团体.20世纪70年代初期,以我国著名磁学专家戴礼智、孙天铎等为代表,在热膨胀近似各向同性的钐钴永磁合金研究方面获得国家发明三等奖.步入80年代,伴随着钕铁硼永磁新材料的诞生,1985年李卫等人发表了采用镝和钴复合取代等方法抑制第二相析出及制备高稳定性钕铁硼材料的成果后,被《Rev Mod Phys》等刊物上发表的综述文章评价,认为是磁体提高Tc和矫顽力,降低温度系数的有效方法.1989年3月,李卫、李波、喻晓军研制出磁能积为390 kJ/m3的磁体,属国内最高水平,仅次于当时日本报道的世界最高水平402.6 kJ/m3,获国家"七·五"科技攻关重大成果奖和1989年国家科技进步一等奖.随后又开展了以添加液相调整主相的双相烧结技术基础理论研究,1991年获国家发明三等奖.开发出具有不同温度特性的"高稳定性稀土永磁材料与工艺",1999年获国家科技进步二等奖.     

杭氧和浙大签订技术合同

<正>1986年 6月 29日下午,杭州制氧机厂与浙江大学签订了为期五年的技术合同。浙大副校长阙端麟教授等十三人出席了签字仪式。周根生副厂长和阙端麟副校长分别在合