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沉积在Si(100)基片上的CNx膜是用微波等离子体化学气相沉积法(MWPCVD)制备的,本文着重探讨了CH4,N2的流量比对CNx膜的Raman谱的影响,并采用X-射线光电子能谱(XPS)方法分析了CNx膜的化学状态。 相似文献
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以N2,CH4作为反应气体,采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)进行碳氮膜的合成研究。通过控制反应温度、气体流量、微波功率、反应气压,在Si(111)和Si(100)基底上气相合成β-C3N4晶态薄膜。扫描电子显微镜(SERM)下观察到生长在Si基底上的薄膜具有六角晶棒的密结构。EDX分析胡沉积条件的不同,六角晶棒中N/C在1.0~2.0之间。X射线衍射分析(XRD)发现薄膜中含有β-C3 相似文献
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沉积在Si(100)基片上的CNx膜是用微波等离子体化学气相沉积法(MWPCVD)制备的。本文着重探讨了CH4、N2的流量比对CNx膜的Raman谱的影响,并采用了X-射线光电子能谱(XPS)方法分析了CNx膜的化学状态。 相似文献
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本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学了相沉积(VHV-PECVD)复合腔系统 只a-Si1-xCx:Hk薄膜及其特性。系统的真空度可达10^-7Pa(10^-9Torr)以上。通过控制H2对常规用混合气体(SiH4+CH4)的稀释程度以及相应的CH4比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳(a-Si1-xCs:Hk)薄膜,通过RBS、ERDA、IT和Ramam光 相似文献
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MPCVD合成β—C3N4晶态薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD),以N2,CH4作为反应气体合成碳氢膜。通过控制反应温度,气体流量,微波功率,反应气压等工艺条件在Si和Pt基片上,进行β-C3N4晶态薄膜的合成研究。扫描电镜下观察到生长在Si基底上的薄膜晶有六角晶棒的密排结构。扫描隧道显微镜下观察到在Pg基底上生长的碳氮薄膜由针状晶粒组成。 相似文献
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等离子体刻蚀处理对金刚石膜粘附性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用直流等离子体射流CVD法在YG8质合金基体上成功地合成了多晶金刚薄膜。通常基体表面经金刚石磨盘研磨、稀硝酸化学侵蚀脱钴预处理后,沉积的金刚石薄膜的的粘附性能仍不理想。本文首次采用原位的Ar-H2等离子体射流对基体表面进行适当的轰击、刻蚀处理,显著粗化了基体表面,并使基体表面显微组织和化学成分发生重大变化,并且在合适的沉积工艺条件下,沉积的金刚石膜的粘附性能显著提高。借助XRD、SEEM、TEM 相似文献
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用 B2H6和 SiH4作反应气体,通过射频等离子体增强化学气相淀积(RF-PECVD)方法,在 Si(100)面上沉积生长BN薄膜,用S-520扫描电子显微镜对所得薄膜进行观测,并用红外透射光谱测试分析了膜的成分。在室温、压力为 8 × 10-4 Pa条件下,对 BN薄膜的电流一电压特性进行测量,并得到了 Fowler-Nordheim特性曲线,BN膜的场发射开启电场为9 V/μm,在电场37.5 V/μm时,电流密度达到24.8 mA/cm2。 相似文献
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沉积气压对MW—PCVD制备金刚石薄膜的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
利用石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)实验装置研究了不同沉积气压对金刚石薄膜沉积结果的影响。扫描电子显微镜(SEM)显微形貌观察及喇曼光谱(RAMAN)分析表明沉积气压的提高有利于改善MW-PCVD制备金刚石薄膜的质量。 相似文献
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微波ECR—CVD低温SiNx薄膜的氢含量分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用红外光谱技术研究了微波电子回旋共振(ECR)等离子体化学气相沉积(CVD)法在低温条件下制备的SiN。膜的键的结构和氢含量,分析了微波 功率和后处理条件对膜含量的影响及其成因,提出适当提高微波功率是降低微波ECR-CVD低温SiNx膜中氢含量的可能途径。 相似文献
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Si对TiSiN膜组成结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报告了等离子化学气相沉积(PCVD)硬膜TiSiN中Si对膜的影响。沉积膜经过电子探针(EMPA)、扫描电镜(SEM)、X射线(XRD)和X光电子谱(XPS)分析。实验表明,在TiN的气相沉积中加入少量Si可以明显改善膜的结构和组成。 相似文献
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WC—Co硬质合金表面MW—PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了WC-Co硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,利用氢-氧等离子体处理方式有显著的去钴效果,相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比,微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢-氧等离子体处理方式具有独特的优越性。 相似文献
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红外光学材料硫化锌衬底上沉积金刚石膜的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜。在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的环状区域)的金刚石形核。本文对前期的诱导形核工作进行了一定改进,目前已经使形核生长范围大大增加,沉积面积超过原来10倍。此外,本文对金刚石/过渡层/硫化锌试样的红外透过特性以及金刚石膜质量等进行了评价。 相似文献
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本文利用透射电子显微术(TEM)和微区能谱分析(EDX)对化学气相沉积碳化硅纤维增强LD2铝合金的界面结构进行了研究,并对显微组织与性能的关系进行了讨论。结果发现,用热压扩散工艺生产的SiC/Al复合材料,其基体与SiC纤维结合良好。界面处有棒状相Al_4C_3生成(该相是菱形结构,对纤维强度有较大破坏作用),且存在镁元素富集。 相似文献
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在等离子体化学气相沉积系统(PECVD)中,使用高氢稀释硅烷(SiH4)加乙烯(C2H4)为反应气氛制备了纳米硅碳(nc-SiCx^2H)薄膜,随着(C2H4+SiH4)/H2(Xg)从5%时,由于H蚀刻效应的减弱,薄膜的晶态率从48%下降到8%,平均晶粒尺寸在3.5-10nm。当Xg≥6%时,生成薄膜为非晶硅碳(a-SiCx^2H)薄膜。nc-SiCx^2H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相 相似文献
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溶胶—凝胶法制备纳米钛酸锶 总被引:17,自引:1,他引:16
采用溶胶-凝胶方法,从Sr(AC)2-Ti(OC4H9)4-H2O-isoC3H7OH体系中合成了钛酸锶粉末。DTA和XRD的分析结果表明,在500℃时,开始有立方晶相的SrTiO3生成;反应在800℃基本完成,由Scherrer公式计算,粒径在47.1nm到49.7nm之间。DTA和FT-IR分析结果表明,锶离子和酸根离子均匀地分散于凝胶基体之中,我们还研究了反应物、溶剂等因素对形成钛酸锶凝胶的 相似文献