S频段300W固态功率放大器的设计

本文介绍了S频段300W功率放大器的设计与实现,具有高功率、小型化的优点。对于S频段LDMOS外匹配型功率管,最重要是匹配电路的设计,匹配电路关系着功率管性能的实现,难度较大,而本次设计更需要超频段使用。本文利用仿真软件ADS对匹配电路进行了设计,采用超频段匹配技术,在实际设计过程中进行了优化处理,测试结果表明设计的功率放大器满足指标要求。针对功率放大器设计了监测与控保电路,对功率放大器的状态进行监测,对异常情况进行了保护性设计,实现了功率放大器的健康管理。     

RCA808全直耦式双声道单端A类功率放大器

美国著名的送信用RCA808直热式三极功率电子管的特性与811A、WE310B、100TH等直热式三极功率管相近。采用RCA808直热三极功率管制成的全直耦式双声道单端A类功率放大器，其音质靓丽，谐音丰富，音乐韵味浓郁，声音清澄通透，频率响应宽阔，高低音清晰分明，输出功率为10W×2。     

基于小信号S参数的功率放大器设计

文章利用小信号S参数和静态电流-电压曲线对功率放大器进行设计,首先把功率管的小信号S参数制成S2P文件,然后将其导入ADS软件中,在ADS中搭建功率管的输入输出端口匹配电路,按照最大增益目标对整个电路进行优化,最后完成电路的设计。     

572B全直耦式双声道功率放大器

著名的美国直热式三极送信用功率管572B与811A、812等直热式三极功率管有同等功效，并且具有高电压特性好、内阻低、音质自然的特点。在追求高品质音响效果的今天，采用572B功率管组成的全直耦式单端A2类双声道功率放大器输出强劲、声场开阔、高低音分明、音乐韵味浓郁，输出功率为15W×2。     

一种高频E类功率放大器设计方法

E类功率放大器(PA)具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低.提出一种高频E类功率放大器的设计方法,使用负载牵引得到考虑寄生输出电容后的最佳负载阻抗,再结合谐波阻抗控制方法设计E类功率放大器.采用飞思卡尔的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)功率管MRF21010设计了一款工作在930～960 MHz的E类功率放大器.测试数据表明,该功率放大器的输出功率为36.8 dBm (4.79W),具有79.4％的功率附加效率.     

一种L波段宽带功率放大器的设计

利用反馈法实现了L波段宽带功率放大器末级功率管的宽带化设计,采用小信号S参数法和负载牵引法分别对前级和末级功率管进行了匹配电路设计。通过ADS软件对整个功放电路进行了模拟和仿真并最终完成了L波段宽带功率放大器设计。实测结果表明,该功放的峰值发射功率大于50 W,占空比可达20%,相对带宽约为25%,满足系统指标要求。     

一种S波段宽带GaN放大器的设计

氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点,使其具有带宽宽,高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点,使用了AgilentADS等仿真软件,进行电路仿真设计,设计制作了一种s波段宽带GaN功率放大器。详述了电路仿真过程,并对设计的宽带GaN功率放大器进行测试,通过测试的实验数据表明,设计的宽带放大器在s波段宽带内可实现功率超过44dBm的功率输出,验证了GaN功率放大器具有宽带的特点。     

S频段200 W功率合成放大器设计

针对功率放大器调试困难的问题,采用ADS软件设计功率放大器。利用负载牵引方式寻找功率管在工作频段内的最佳匹配点,进行电路匹配设计和优化,实现了功率放大器各项指标要求。最终的实物测试结果与仿真结果基本吻合,验证了仿真的真实性和有效性。采用热管散热技术,将功率管结温控制在155.2℃的安全工作温度。为实现大功率输出,采用3 d B电桥功率合成技术,并对2条合成链路进行幅度和相位一致性控制,在所需频段达到200 W以上的功率输出。     

一种基于GaN的0.5-4GHz高效率宽带功率放大器设计

宽带大功率微波功率放大器在通信发射机的应用越来越多,具有高击穿场强和高功率密度的优点的第三代半导体GaN技术越来越适用于宽带功率放大器的应用。本文基于GaN功率管的大信号仿真模型,采用宽带匹配技术进行功率管的匹配电路设计。通过ADS软件仿真和优化,设计了一款工作在0.5-4GHz宽频带范围的功率放大器。仿真结果显示,在0.5-4GHz内,功率附加效率(Power added efficiency, PAE)超过60%,增益大于11dB,增益平坦度为±1.5dB,且端口驻波性能良好,满足了发射机系统的要求。     

X波段功率放大器设计

简要介绍了X波段100W固态功率放大器的设计过程,包括整机的设计框图、关键电路的设计仿真等,从功率管功耗的角度就设计过程中功率管的选择方法进行了详细探讨,并简要介绍了无过冲功率控制技术。     

2A3／45交替式功率放大器

2A3和45均为古典型直热式三极功率电子管,其特性相近、外形相似、管座相同,但这两种功率电子管的音色各有千秋。采用2A3和45三极功率管可制成双声道单端A类交替式功率放大器。2A3功率管的音色美艳亮丽,胆韵醇厚,悦耳迷人。45功率管的音色纤细清秀,芳醇素雅,透明清澈。采用两管可交替方式制成的功放能使聆听者体验到两种不同的音乐境界。     

一种降低宽带射频大功率放大器谐波失真的方法

对于宽带功率放大器,有些低频端的谐波正好在工作频带内,因此谐波失真是衡量宽带功率放大器的一个重要指标。作者提出了一种降低宽带射频大功率放大器谐波失真的有效方法,即通过调整负载电感值和直流工作点使功率管负载达到最佳。利用该方法,将文中提及的功率放大器的谐波失真从-11dBc降低到了-24dBc以下。     

从KT88声音粗糙说起

电子管功率放大器中使用的末级功率输出管,最常用的有三极功率管300B,五极功率管EL34#D集射管KT88。它们都是一代名管,拥有自己的声音特点,不过如若在设计制作时使用不当,就会使它们的优点荡然无存,结果使人大失所望。     

基于推挽式结构大功率放大器热分析

本文为了验证大功率功率放大器在强迫风冷散热方式下的散热效果，设计了一款基于推挽式结构的大功率放大器，通过理论分析计算散热方案，使用ICEPAK散热软件仿真验证理论计算结果。考虑到功放耗散功率较大，最终采用强迫风冷和热沉的散热方式对功放进行散热。本文设计基于LDMOS功率管型号为MRF13750H，仿真设计在单频点915 MHz，输入功率35dBm时，输出功率达615W，效率为74%，耗散功率约达290 W，理论计算所需风机的风量大小为2.54 m³/min。ICEPAK软件进行仿真在耗散功率在300 W时，功率管温度为71.25℃，风机工作点为3.86 m³/min,工作静压力为201 Pa。仿真验证满足设计要求。     

PP3／250双声道功率放大器

英国古典名管PP3／250为茄形直热式三极功率电子管。该功率管与PX4、PX41、4XP、P15／250等有相近的特性,并与同时期美国西电公司45、50、VT52等功率管特性相近。采用PP3／250、PX4功率管制成的单端A类双声道功率放大器,音质清澄通透,谐音丰满,高音亮丽,低音浑厚,输出功率为4W×2。     

RCA6080全差分式功率放大器

RCA6080为双三极功率电子管,该管特性与6AS7、6N5P、6082等双三极功率管相近,具有内阻低、放大线性好的特点。由6080双三极功率管组成的双声道全差分式功率放大器性能卓越、频响宽阔,音质清澄通透,高低音清晰,音乐味浓,动听悦耳。     

RF功率晶体管封装材料从陶瓷转为塑料

RF功率晶体管是无线发射设备中成本最高的器件，移动通信的手机和基站都使用由RF功率晶体管构成的功率放大器模块，它的输出功率决定通信距离的远近，它的效率决定电源的容量和使用时间。移动手机中RF电路占整体成本的30—50％，移动基站中RF功率放大器模块亦占总成本的三分之一以上。因而，RF功率晶体管性能的改进和价格的降低是RF功率管供应商的制胜之道。     

一种带功率检测和自适应偏置的CDMA功率放大器

设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真,改善其线性度.采用2 μm InGaP/GaAs HBT晶体管工艺成功流片,测试结果表明,与普...     

微波功率放大器的原理与维护

微波功率放大器的作用是为发射系统放大高电平信号，提供相当大的信号功率给负载──天线。因此，要求放大器工作在高电流、电压上，它的效率具有首要的重要性，另外由于放大器的输入信号电平高，微波功率管参数在整信号周期内都在变化，因此，失真成为问题。第三，由于是...     

S波段超宽带固态功率放大器的研制

本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I-V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计.通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性.最后,给出了测试数据,它在2GHz～4GHz的频带范围内,输入功率为40mW时,输出功率大于20W,带内功率起伏小于1.5dB.