第三届全国半导体化合物、微波和光电器件学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1984年12月4日至8日在四川省永川市举行第三届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自39个单位、共127名.会上宣读的论文共150篇,其中大会报告8篇,有关化合物半导体材料的论文63篇,微波器件方面的25篇,光电器件方面的42篇,其它通用工艺的论文12篇.     

第二届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会、电子材科学会和中国空间科学会于1982年12月2至6日在昆明联合举办第二届全国半导体化合物材料、微波和光电器件学术会议.参加会议的代表来自37个单位,共156名.会上宣读的论文共124篇;共中大会报告五篇,其余119篇     

第二届全国化合物半导体及微波光电器件学术年会即将在昆明召开

<正>继1979年南京第一次“全国化合物半导体及微波光电器件学术年会”后,“第二届全国化合物半导体及微波光电器件学术年会”论文征集及评审工作业已结束,并定于今年第四季度在昆明召开.这次学术年会是由中国电子学会半导体及集成电路和半导体材料两个分会共同主持并委托河北半导体研究所、中国科学院半导体研究所、电子工业部电子材料研究所三个单位负责筹办的.会议共收到一百三十多篇论文,由全国八个单位共十一人组成的评选小组,从全部论文中选出大约一百篇,准备分成材料、微波器件和光电器件三个小组进行宣读.此外,还有几篇特邀报告将在大会上宣讲.     

全国化合物半导体、微波器和光电器件学术会议成功举行

第十一届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议于2000年10月31日至11月4日在海南省海口市召开。来自全国科研院所、大专院校和工矿企业公司等39个单位共140多名专家、学者和企业家参加了本次学术交流会议。这次会议共发表了121篇论文,内容涵盖材料生长与测试、高速电子与微波器件、光电器件与测试、其它等四部分。会议的精彩报告全面、充分地反映了当前国内外化合物半导体、微波器件与光电器件领域的欣欣向荣景象,受到了与会代表的热烈欢迎。与此同时,参加这次会议的专家、学者和企业家共聚一堂,对化合物半导体、微波器件与光…     

第六届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第六届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术年会,于1990年10月29日至11月3日在湖南省大庸市科技中心召开.参加这次学术年会的有来自全国71个单位的304人.本届会议共收到论文368篇,录用286篇,其中特邀报告29篇.会上宣读219篇,大会特邀报告5篇.它们是自然科学基金委员会许振嘉研究员的“GaAs表面能谱研究”;中国科学院半导体研究所副所长郑东研究员的“第三届国际亚太微波会情况”;河北半导体研究所副所长梁春广高级工程师的“GaAs HEMT     

第15届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于今年11月召开

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议定于2008年11月21日至28日在广州市召开。此次会议将由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料分会主办和中山大学光电材料与技术国家重点实     

第二届全国半导体集成电路和硅材料学术会议简讯

<正>中国电子学会半导体与集成技术专业学会和电子材料学专业学会于1981年12月12日至18日在广州联合举办了第二届全国半导体集成电路和硅材料学术会议.参加会议的论文共有263篇,其中半导体集成电路方面的双极型电路42篇,MOS电路45篇,半导体工艺59篇,工艺监控与测量33篇;硅材料方面的硅单晶质量23篇,硅材料物理性质24篇,外延生长26篇,半导体专用设备11篇.论文分开在8个小组中宣读.会议请王守武、林兰英、黄敞和王守觉四位教授分别作了大会特邀报告.     

1979年全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会

<正> 由中国电子学会半导体集成技术专业学会和电子材料专业学会主办的《全国微波、光电器件及化合物材料学术讨论会》于1979年12月15日至21日在南京召开. 中国电子学会半导体集成技术专业学会副主任武尔贞主持了这次会议.江苏省革委会副主任汪冰     

砷化镓场效应管研制与应用、微波集成电路结构与工艺学术讨论会简况

<正>中国电子学会半导体与集成技术学会和微波学会联合召开的砷化镓场效应管(GaAsFET)研制与应用、微波集成电路(MIC)结构与工艺学术讨论会,于1984年5月7日至11日在福建省泉州市举行.会议由南京固体器件研究所、上海微波技术研究所和泉州半导体器件厂共同组织,到会有来自全国的研究所、工厂、部队和大专院校42个单位的科技人员、教授和专家76人.会议收到有关GaAs FET的论文报告共30篇,会上宣读26篇,其中器件设计制造和测试分析5篇,放大器18篇,振荡器和高频头5篇,计算机应用2篇;有关MIC结构与工艺论文报告共34篇,会上宣读21篇,其中工艺研制8篇,设备改进3篇,基片材料3篇,综述和电路应用7篇.还有“微波集成电路技术及工艺的进展”和“FET微波宽带放大器综述”两个动态水平报告.     

第七届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议简况

<正>由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞忠钰出席了大会,并就我国电于工业的发展作了重要讲话。会议录用论文176篇,其中特邀报告8篇,在大会上宣读了4篇。它们是:国家自然科学基金委员会许振嘉研究员的“金属-砷化镓研究”;北京大学秦国刚教授的“发可见光的多孔硅”;北京电子管厂苏里曼高级工程师的“InP异质结晶体管”和河北半导体研究所所长毕克允的“集中力量发展我国的砷化镓技术”。     

第五届全国化合物半导体材料和微波光电器件学术会议

<正> 由中国电子学会半导体与集成技术和电子材料学会主持召开的第五届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1988年10月31日～11月6日在江西庐山召开。参加这次学术会议的有来自全国各地的有关研究所、高等院校、国家专利局、工厂等单位的代表154人。会议编辑出版的论文集共刊出155篇论文。大会报告了六篇论文,它们是:中国科学院半导体研究所研究员、所长王启民的《半导体光电子器件与OEIC的发展》;中国科学院上海冶金所研究员彭瑞伍的《Ⅲ-V族锑化物材料的进展》;中国科学院半导体所研究员梁骏吾的《Ⅲ—V族化合物中杂质与缺陷的相互作用》;中国科学院长春物理所高级工程师吕安德的《原子层外延及其进展》;河北半导体研究所高级工程师、副总工程师梁春广的《InAIAs/InGaAs/InP MESFET研究》;南京电子器件研究所高级工程师黄廷荣的《化合物半导体光逻辑器件研究现状及研究战略》。     

第四届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议简讯

<正> 中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学会于1986年12月13日至18日在福建省泉州市举行了第四届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议。来自全国各科研单位,高等院校和工厂的150名代表出席了本届大会,不少青年研究生也参加了会议,给大会增添了朝气。     

第十八届国际固体器件和材料会议

<正>第十八届国际固体器件和材料会议于1986年8月20日至22日在日本东京召开.参加本届会议的代表近千名,他们分别来自二十多个国家.会议收到论文174篇,最新消息35篇,其中特邀报告23篇.论文内容包括:光刻,Si和GaAs外延工艺,MOS器件及工艺,Si上生长GaAs,异质结器件,高速GaAs集成电路,绝缘栅和热电子等26个专题.这些论文分别在东京Price Hotel的四个会场进行宣读和讨论.我国有5篇(其中台湾省2篇)论文,我所朱恩均同志也作了报告.这些论文的内容反映了国际微波器件和材料在小型器件、异质结、光器件、低温操作和半导体材料工艺上又有了重大的进展.现分两个方面进行介绍.     

第四届全国光电器件学术讨论会概况

由中国光学学会和中国电子学会联合召开的第四届全国光电器件学术讨论会,于1989年7月24日至28日在辽宁省兴城举行.来自全国各科研、生产和高等院校等50个单位的114名代表参加了会议.大会共收到论文摘要106篇,在会上宣读论文65篇,书面交流论文11篇.这是自1983年召开的首届全国光电器件学术交流会以来,每隔两年召开一次的综合性学术年会,规模是最大的一次,因而受到全国光电器件专业各界的重视和注目,这也是近两年我国     

全国第三届光纤通信学术会议在桂林召开

中国电子学会通信学会和中国通信学会光通信专业委员会联合举办的全国第三届光纤通信学术会议,于1976年11月11日～14日在桂林电子部第34研究所召开。 这次会议收到论文500多篇,经审定收入论文集的有251篇。会议分基础理论、数字光纤传输、模拟光纤通信系统及网络、半导体激光器及探测器、无源器件、传感及测量、光纤光缆、测量和应用七个组进行学术报告和讨论。     

第七届全国半导体集成电路和硅材料学会年会在成都召开

中国电子学会半导体与集成技术学会和电子材料学学会联合主办的“第七届全国半导体集成电路和硅材料学术年会”于1991年9月12日至15日在成都市电子科技大学召开。来自全国81个单位约300名代表参加会议。 本届年会收到论文512篇,其中318篇收入本届论文集。大会特邀报告有:俞忠钰教授的     

第二届全国半导体专用设备学术会在无锡召开

<正> 中国电子学会半导体与集成技术学会工艺设备学组第二届全国半导体专用设备学术会,于今年4月7日至12日在江苏省无锡市召开。这届年会是电子工业部第四十五研究所主办、国营742厂协办的。全国47个从事半导体工艺设备研制、生产、教学的所、厂和大专院校共84名代表出席了这届学术会。国家科委和中国电子学会半导体与集成技术学会工艺设备学组分别发来贺电和贺信表示祝贺。无锡市有关领导及国营742厂对会议的召开给予了有力地支持。学术会共收到论文57篇,特约报告2篇。其中5篇论文和两篇特约报告在大会作了交流。其余论文分别在相应的专业组进行了宣读和讨论。这些论文和报告介绍了半导体专用设备的许多最新研制成果;对专用设备研     

“铝波导器件钎焊技术交流会”在京召开

航天工业部23所、699厂受中国电子学会、微波学会的委托,于1984年11月21～24日在京主持召开了“铝波导钎焊技术交流会”。来自全国36个单位的63名代表参加了会议。会议编集了“铝波导器件钎焊技术论文集,共收集论文17篇。大会特邀北京航空学     

1987年全国微波会议简介

中国电子学会微波专业学会和中国通信学会微波通信委员会于今年九月十九日至二十三日在江西大学联合召开的1987年全国微波会议,是由江西大学主办、杭州电子工业学院协办。大会的准备工作自1986年5月20日向全国发出征稿通知,至1987年4月截止共收到论文470余篇,论文集收编307篇,其中:特约报告3篇、宣读论文226篇,张贴论文78篇。全部录用论文和另外题录论文47篇于会前汇编印刷成上、中、下三册,使与会者人手一套,颇称方便。     

1991年全国微波管学术会议召开,真空电子学学会微波管技术专业委员会成立

1991年全国微波管学术会议于5月29日至30日在北京举行。会议由中国电子学会真空电子学学会主办,机电部12所承办。80多位代表参加了这次会议,43篇论文参加了交流。大会由中国电子学会真空电子学学会秘书长黄绳武同志主持。大会综合报告有四篇:12所总工程师廖复疆的《发展微波管技术,迎接21世纪的挑战》;772厂唐金生同志的《国外微波真空电子器件的发展和动向》;电子所钮得禄同志