低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN:Mg薄膜.首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46 cm3/min的CP2 Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×1017 cm-3,(002)和(102)面FWHM分别为245和316 arcsec.随后,采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响,发现加入生长停顿后,样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善,反而下降.     

MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜

采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜．实验使用NO和N2O共同作为氧源，且NO同时作为掺氮源，二乙基锌作为锌源．X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性，二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜．通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为1.97×10/up18/cm－3，最低电阻率为3.02Ω·cm的ZnO薄膜．     

液态源化学气相淀积制备SiO_2薄膜的设备研制

采用液态有机硅源的等离子体增强化学气相淀积设备是通向深亚微米时代的桥梁。介绍研制的液态源化学气相淀积设备的工作原理、结构特点和工艺结果,制备的SiO2薄膜膜厚均匀性±2%,折射率1.452±0.014,生长速率40nm?min。     

金属有机源分子束外延设备的研制

本文报道了金属有机源分子束外廷设备的设计方案和技术特点。该设备最大样品尺寸为3英寸,3室结构,空气闭锁换样,6条气路,外廷生长工艺过程计算机控制     

MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜

采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜.实验使用NO和N2O共同作为氧源,且NO同时作为掺氮源,二乙基锌作为锌源.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜.通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为1.97×1018cm-3,最低电阻率为3.02Ω·cm的ZnO薄膜.     

MOCVD法制备MgZnO合金薄膜

采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600～630℃温度下沉积. 通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性. 研究表明当x的取值小于等于0.39时，合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构，没有观察到MgO分相，此时薄膜的能带宽度可以在3.3～3.95eV之间调节.     

大功率670nm半导体激光器的研制

采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.     

大功率670nm半导体激光器的研制

采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片，有源区采用单量子阱结构，阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP. 利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器. 激光器腔长为900μm，电流注入区条宽为100μm，两端的无注入区宽度均为25μm. 镀膜后器件的阈值电流为0.4A，输出波长670±2nm，最大输出功率为1100mW, 水平、垂直发散角分别为8°, 40°. 表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.     

大功率670nm半导体激光器的研制

采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.     

组件热真空试验设备控制系统研究

对热真空试验设备控制系统进行了分析和研究,探讨了通过热沉、传感器的结构设计,以及加热、制冷功能的控制方法.     

倒装芯片键合技术发展现状与展望

我国集成电路发展十二五规划中提到,大力发展先进封装和测试技术,推进高密度堆叠型三维封装产品的进程,支持封装工艺技术升级和产能扩充。阐述了先进封装技术中的倒装芯片键合工艺现状及发展趋势,以及国际主流倒装设备发展及国内应用现状,重点介绍了北京中电科装备有限公司的倒装机产品。国产电子装备厂商应认清回流焊倒装芯片键合设备市场发展,缩短倒装设备产品开发周期和推向市场的时间,奠定国产电子先进封装设备产业化基础;同时抓紧研发细间距铜柱凸点倒装和热压焊接技术,迎接热压倒装芯片工艺及其设备的挑战。     

高精度数控直流电流源的设计

本设计实现了直流电流源的数字化控制。整个系统由线性受控直流源、精密测量控制电路和人机接口三部分组成。电流源为双环控制系统,通过控制调整管的驱动电流,可精确控制电流源输出值的大小。测试表明该电流源具有良好的稳压稳流性能和极低的电流纹波。     

光刻机双面对准精度测量系统

双面对准精度是接触接近式光刻机的关键性能指标,介绍了一种检测此项指标的测量原理及应用该原理研制的双面对准精度测量系统,并对设备的部件构成及控制流程作了叙述。设备实际验证了检测原理,对50、75、100及150 mm圆形基片均可适用。     

视觉标定技术在全自动FOG邦定机中的应用

随着液晶行业的迅猛发展,生产LC M 各厂家之间的竞争也越来越激烈,为了扩大生产,降低成本,设备自动化程度要求越来越高. 全自动FO G 邦定机中视觉定位系统的应用大大提高了设备的自动化程度,而视觉标定技术是视觉定位系统中的前提和基础,起着关键作用. 该技术的应用提高了对位的精确度和准确度,从而提高了FO G 邦定机生产效率.     

基于MCS-51单片机的数控恒流源设计

为了克服传统恒流源无法实现精确步进的缺点,设计了基于MCS-51单片机的数控恒流源。系统由压控恒流单元、数控单元、稳压电源等几部分组成。分析了工作原理,并给出了硬件和软件的具体实现方法。测量结果表明,该设计具有控制精度高、纹波电流小、工作稳定等优点,有很强的实用性,对相关产品的研制有重要的指导意义。     

智能数控电流源的设计

详细地介绍了智能数控电流源系统设计方案的选择、系统硬件设计过程、系统软件设计过程。文章给出了主要的系统硬件电路图和软件流程框图,及用C51语言编写的主程序源代码。通过对制作的实物进行测试表明,系统实现了设计任务所提出的各项技术指标。     

简易数字控制恒流源系统的设计和开发

设计了一种以单片机C8051F020为控制核心的简易数控恒流源系统,实现了电流从-2A到2A数字控制可调的直流恒流系统。系统电源部分采用大功率变压器供电,采用多级电容、π网络滤除纹波干扰;电源输出部分采用三端稳压芯片进行稳压,并且利用大功率达林顿管进行扩流以满足后级功率需求。恒流源部分采用多个精密运算放大器OP07构成闭环反馈控制形式,从而提高控制精度。受控部分采用达林顿管进行扩流和精确设定输出电流。电流测量部分采用康锰铜电阻丝作为精密取样电阻,而不受外界温度变化的影响;系统的显示部分采用128×64点阵式液晶显示屏实时显示设定电流值和实测电流值。数控恒流源具有控制界面直观、简洁的特点,具有良好的人机交互性能。     

PECVD的原理与故障分析

介绍了PECVD工艺的种类、工艺原理以及设备的基本结构;根据多年对设备的维护经验,分析了PECVD设备的常见原因,提出了处理措施;最后,分析总结了影响PECVD工艺质量的主要因素。     

激光修补技术在修复薄膜图形缺陷上的应用——薄膜图形缺陷激光修补机

阐述了应用激光修补技术在玻璃基板上去除金属及其化合物薄膜和在玻璃基板上沉积金属薄膜的图形缺陷修补原理与方法;简述了影响薄膜图形缺陷修补质量与效率的关键技术;简单介绍了薄膜图形缺陷激光修补机的系统构成及其技术与性能指标.