Zn离子注入GaP

为了研究结型发光材料的性能,进行了Zn离子注入到n型GaP中的试验。由于Zn离子对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是P型掺杂物,因此,Zn离子注入到n型GaP晶体中,经真空退火可形成p-n结,在适当条件下即可发光。从而证实了Zn离子已经注入到了GaP晶体中。Zn离子的注入能量为180keV,注入剂量是1×1016cm-2；所用n型GaP是合成溶质扩散法(SSD)制成；注入样品的保护层使用高频溅射SiO2,膜厚9000A。注入后的退火是在真空度为10-5乇的石英管中进行,退火时间为30分钟和40分钟两种,退火温度为1000℃。退火后,用铁氰化钾配方对样品染色。金相显微镜测量结果为5μm,证明Zn离子注入后形成了p-n结。又用探针法使样品发光,光呈红色。对样品进行了光激发光的测量,光激是Ar 离子激发,波长在77k下4880A,测出了PL光谱,峰值波长为6648A和5760A。同样条件下,对纯高阻GaP材料经Zn离子注入后并不发光。对注入后的样品进行了背散射测量,使用1．5MeV的He 4离子入射,样品的面积为1mm2,用200道分析器检测,每道能量为8 keV,测得了样品的组分比,说明P的组分比Ga的组分多一些,所以样品的配比有待进一步改善。本试验指出：Zn注入GaP在上述条件下能形成发光的p-n结。还指出Za离子注入到GaP中,退火温度高于800℃时(如1000℃),只要保护层作得好,真空度足够高(10-5乇以上)对制成发光结是很有利的。     

Thermal stability of the αZn–Mg2Zn11 and αZn–βAl eutectics obtained by Bridgman growth

The thermal stability of rod-like Zn–Mg2Zn11 and lamellar Zn–Al eutectics obtained by Bridgman growth of Zn–3.1 wt% Mg and Zn–5 wt% Al has been studied for soaking times up to 10 h at 300 and 350°C, respectively. Two-dimensional coarsening resulted for Zn–Mg2Zn11 grown at 0.5 and 1 mm s-1 while fault migration was operative for lamellar Zn–Al grown at 0.1 and 1 mm s-1. Hardness decreased with increased soaking time according to a Hall–Petch relationship with mean interphase spacing and the values H0 and kY accord well with the values obtained from the Hall–Petch relationship for HV of as-solidified Zn–Mg2Zn11 and Zn–Al with eutectic interphase spacing, respectively. © 1998 Chapman & Hall     

Zn的乡村大气腐蚀

在辽宁省乡村进行 Zn 的大气暴露试验,绘制乡村气氛中 Zn 的腐蚀图,并讨论大气环境因素对Zn 的腐蚀速率的影响。     

NaH_2PO_2对Zn、Zn－Fe合金电沉积的影响

用循环伏安法研究了ＮａＨ２ＰＯ２对Ｚｎ、Ｚｎ－Ｆｅ合金电沉积的影响，结果表明：镀液中加入ＮａＨ２ＰＯ２后，Ｚｎ、Ｚｎ－Ｆｅ合金电沉积的阴极极化增大；获得的Ｚｎ－Ｐ、Ｚｎ－Ｆｅ－Ｐ合金镀层的阳极溶解峰与Ｚｎ层相比，其峰电位正移。     

Zn－Al_2O_3和Zn－SiO_2复合镀层的研制

详细叙述了Ｚｎ－Ａｌ２Ｏ３和Ｚｎ－ＳｉＯ２复合镀层的制做方法，提出了复合镀液中所用微粒子和净化处理方法。对复合镀层的耐腐蚀性和结合力进行了测定，得出了耐腐蚀性和结合力均较好的Ｚｎ－Ａｌ２Ｏ３和Ｚｎ－ＳｉＯ２复合镀层中粒子的含量范围等有用的数据。     

NaH2PO2对Zn,Zn—Fe合金电沉积的影响

用循环伏安法研究了ＮａＨ２ＯＰ２对Ｚｎ，Ｚｎ－Ｆｅ合金沉积的影响，结果表明，镀液中加入ＮａＨ２ＰＯ２后Ｚｎ，Ｚｎ－Ｆｅ合金电沉积的阴极极化增大，获得的Ｚｎ－Ｐ，Ｚｎ－Ｆｅ－Ｐ合金镀层的阳极溶解峰与Ｚｎ层相比，其峰电位正移。     

Zn—Al2O3和Zn—SiO2复合镀层的研制

详细叙述了Ｚｎ－Ａｌ２Ｏ３和Ｚｎ－ＳｉＯ２复合镀层的制做方法，提出了复合镀液中所用微粒子和净化处理方法。对复合镀层的耐腐蚀性和结合力进行了测定，得出了耐腐蚀性和结合力均较好的Ｚｎ－Ａｌ２Ｏ３和Ｚｎ－ＳｉＯ２复合镀层中粒子的含量范围等有用的数据。     

InP材料Zn扩散的新方法

为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法.实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰.用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二板管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性.     

Zn/Fe及Zn/Fe-Mn固态扩散偶中金属间化合物的生长

采用Zn/Fe及Zn/Fe-Mn固固扩散偶方法,研究了锰对金属间化合物生长动力学的影响。对扩散偶在385℃扩散10～300min的研究结果表明,在Zn/Fe扩散偶中,扩散层以δ相为主,ζ相和δ相之间具有平直的界面,随扩散时间的延长,δ相的厚度增加,ζ相逐渐被消耗,厚度比dζ/dδ的值逐渐减小;在Zn/Fe-Mn扩散偶中,扩散层也以δ相为主,ζ相和δ相之间的界面更平直,铁基体中的锰在扩散初期促进δ相的生长,但在扩散后期促进ζ相生长。对Zn/Fe-Mn扩散偶中金属间化合物的生长动力学研究表明,0.4%(质量分数,下同)的锰使扩散层总厚度增加,当锰含量增加到1.2%以上时,扩散层总厚度反而开始下降。Zn/Fe、Zn/Fe-0.4%Mn、Zn/Fe-1.2%Mn及Zn/Fe-2.0%Mn四个扩散偶中总扩散层的生长均由扩散控制。     

Effects of Zn on microstructure,mechanical properties and corrosion behavior of Mg–Zn alloys

In this study, binary Mg–Zn alloys were fabricated with high-purity raw materials and by a clean melting process. The effects of Zn on the microstructure, mechanical property and corrosion behavior of the as-cast Mg–Zn alloys were studied using direct observations, tensile testing, immersion tests and electrochemical evaluations. Results indicate that the microstructure of Mg–Zn alloys typically consists of primary α-Mg matrix and MgZn intermetallic phase mainly distributed along grain boundary. The improvement in mechanical performances for Mg–Zn alloys with Zn content until 5% of weight is corresponding to fine grain strengthening, solid solution strengthening and second phase strengthening. Polarization test has shown the beneficial effect of Zn element on the formation of a protective film on the surface of alloys. Mg–5Zn alloy exhibits the best anti-corrosion property. However, further increase of Zn content until 7% of weight deteriorates the corrosion rate which is driven by galvanic couple effect.     

Zn蒙脱石固体电解质和二次Zn/V_6O_(13)电池

Zn 蒙脱石固体电解质在环境湿度(P/P_0=0.6—0.7)和25℃温度下,其交、直流电导率分别测得为10~(-4)(Ωcm)~(-1)和4.0×10~(-5)(Ωcm)~(-1),电子电导率为10~(-7)(Ωcm)~(-1),表明 Zn 蒙脱石是好的 Zn~(2+)离子导体。图1是 Zn 蒙脱石固体电解质实测的交、直流电导率与温度的关系(阿仑纽斯关     

Zn基柱状ZnO取向生长机制

通过预氧化处理在Zn基底上制备了ZnO颗粒膜, 并由N₂H₄·H₂O-水热体系制备了Zn基柱状ZnO阵列。实验发现, 在Zn单一晶体学取向表面上柱状ZnO高度有序排列, 据此提出了Zn基柱状ZnO的自由生长取向机制。水热反应条件下, ZnO微晶通常具有沿c轴优先生长的结晶习性, 柱状体高度有序排列取决于ZnO晶核的状态。单一晶体学取向表面上晶核的状态一致, 决定了ZnO柱状体取向一致。Zn基柱状ZnO阵列光致发光谱分析表明, 在30~60 K之间, 近带边激子发射峰强度呈现反常温度依赖的“负热淬灭”现象, 该过程包含了两个无辐射过程和一个负热淬灭过程。     

应用强磁场控制Zn薄膜取向研究

在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜。对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101)。Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向。利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整。     

超细金属Zn纳米线的水热合成

用水热合成法制备了纤锌矿结构的超细金属Zn纳米线,X射线衍射结果分析表明所制备的金属Zn纳米线是单一的纤锌矿结构.扫描电子显微镜照片显示合成的纳米线长度达几微米,直径10～20nm,每一根纳米线都有一个锥形的顶部.进一步研究表明反应温度对合成产物的形貌有重要的影响,最后对纳米线的生长机制进行了初步分析.