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本文介绍了非本征硅红外探测器工作机理,叙述了4×4面阵探测器的设计和研制中的要点,给出了4×4掺铟硅CID阵列的部分性能参数。在79K温度下,探测元的D值为(1~4)×108cm~(1/2)W~(-1)。 相似文献
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本文系统描述了用PCVD(光化学汽相淀积)技术在InSb衬底上沉积SiOxNy介质膜的工艺过程。对SiOxNy膜进行测试分析,并用它作介质膜,钝化膜,作出了性能较好的InSb CID焦平面器件。 相似文献
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主要介绍以硅为衬底的PbS、PbSe、PbTe、PbSnSe、HgCdTe、InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献
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掺镓硅(Si∶Ga)单晶是制作8~14μm波段红外焦平面阵列光电导探测器的优良材料,它可实现探测器阵列与信号处理电子线路的集成化。真空FZ硅掺镓试验表明,镓在区熔过程中一边发生分凝,一边向外蒸发。采用高纯氢气(略大于latm,纯度99.9999%)作保护气氛后镓的蒸发被抑制,硅中镶浓度已达1.8×10~(16)atom/cm~3,且纵向均匀性大为改善。新的掺镓方法避免了对超高纯硅棒可能引入的沾污,保证了单品质量。 相似文献
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硅基红外焦平面阵列技术的新进展(I) 总被引:3,自引:0,他引:3
主要介绍以硅为衬底的非本生硅、金属硅化物肖特基势垒红外探测器,GexSi1-x/Si异质结内光电发射红外探测器,硅基红外图象传感器、硅微测辐热计等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献
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研究了基于离子注入技术制备硅掺砷阻挡杂质带探测器的工艺,通过优化工艺条件和相关器件的结构与材料参数,制造了具有良好光电响应性能的长波红外探测器。在温度5 K,-3.8 V工作偏压下,探测器的峰值响应波长为23.8μm,黑体响应率为3.7 A/W,3.2 V时最大探测率为5.2×10~(13) cm·Hz~(1/2)/W。性能指标堪与文献报道的结果相媲美甚至更好,展示了离子注入工艺在制作阻挡杂质带探测器方面的潜在优势,特别是离子注入工艺与目前的微电子电路技术相兼容,能将探测器与读出电路集成到一块芯片上,在降低成本的同时提高探测器成像性能。 相似文献
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主要介绍以硅为衬底的非本征硅、金属硅化物(Pd2Si,PtSi和IrSi)肖特基势垒红外探测器、GexSi1-x/Si异质结内光电发射红外探测器、硅基红外图象传感器、硅微测辐射热计等红外探测器焦平面阵列的新进展 相似文献
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何兴仁 《光电子技术与信息》1997,10(1):1-8
以红外焦平面了列为代表的第二代红外探测器军事应用不断扩大,民间应用日趋活跃,其结果使产量增加,市场扩展,降低红外系统价格,并可加速新型成本和高性能红个焦平面阵列的发展。 相似文献
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128×128PtSi红外焦平耐用硅衍射微镜阵列的设计与制备 总被引:1,自引:0,他引:1
通过考虑互相关联的光学和工艺参数,设计了3~5μm红外128×128硅衍射微透镜阵列.阵列中微透镜的孔径为50μm,透镜F数为f/2.5,微透镜阵列的中心距为50μm.采用多次光刻和离子束刻蚀技术在硅衬底表面制备衍射微透镜阵列.对实际的工艺过程和制备方法进行了讨论,对制备出的128×128硅衍射微透镜阵列的光学性能和表面浮雕结构进行了测量. 相似文献