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采用激光束反射偏转法测量了用溶胶-凝胶法在Si(11)基片上制备的TiO2-SiO2复合薄膜的曲率半径。由此计算出薄膜的热应力,应力和本征应力。研究了工艺过程与薄膜应力的关系,其应力随热处理温度的增加而由张应力转变为压应力;当热处理温度较低时,随膜厚的增加,其应力增大,而最终导致膜的开裂,薄膜的最大不开裂厚度随热处理温度和TiO2含量的增加而增加。 相似文献
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电子封装微晶玻璃基板的介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了堇青石基微晶玻璃介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性。结果说明,未添加和添加氧化铋的微晶玻璃的极化机理表现为离子极化,而添加稀土氧化铈的微晶玻璃的极化机理表现为空间电荷极化。介电性能的温度特性说明,添加稀土氧化铈的微晶玻璃样品介电损耗随温度的增加而增加,其他样品的介电损耗随测试温度基本不变,并基于德拜(Debye)弛豫方程作了分析。所有样品的介电常数随温度的增加基本不变。介电性能的频率特性说明极化弛豫普适定律适用于堇青石基微晶玻璃。 相似文献
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本文主要研究了制备参数和退火对a-C:H膜的光学性质的影响.得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映a-C:H膜电子能带结构的物理参数.结果表明,吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升,随反应室压强的升高而下降;光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降,随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ta的升高,氢含量减少,带尾变宽,带隙变窄. 相似文献
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我国不同区域高空温度和相对湿度的分布特征 总被引:5,自引:0,他引:5
利用1998~2007年13个等压面的探空资料,对全国五个区域高空温度、相对湿度的年平均和季节平均分布特征进行了分析.结果表明t五个区域高空,白天年平均温度和相对湿度随高度增加的变化趋势与夜晚的变化趋势相似;年平均温度随高度增加而减小,在100 hPa附近降到最低值后随高度增加开始增大;年平均相对湿度随高度增加而减小;年平均高空温度和相对湿度具有明显的南北差异;四季五个区域高空平均温度和相对湿度与年平均的变化趋势相似,尤其是秋季. 相似文献
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计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ge组分x和温度T的依赖关系。发现随Ge组分x的增加,导带和价带有效态密度随之快速减小,而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组分x的增加而减小得越快,而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现,具有大Ge组分x的应变Si1-xGex层,其用Si相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度T的依赖关系弱,而具有小Ge组分x的应变Si1-xGex层,上述归一化参数对温度T的依赖关系强,这和目前仅有的文献[8]中,它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。 相似文献
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测试并分析了980nm半导体激光二极管( SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。结果反映:在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注入电流的增大而增加,经历了自发辐射和受激放大过程;电流不变时该输出光功率随管芯温度的变化基本保持稳定。温度不变的情况下,当注入电流小于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而较快增加,当注入电流大于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而缓慢增加;电流不变时峰值长、3dB带宽和消光比随温度升高而有所增大。 相似文献
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全面地测试并分析了掩埋双异质结型超辐射激光二极管模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。得到:DH—SLD显示了软阈值特性,其输出光功率随注入电流的增大而增加,随管芯温度的升高而降低。温度不变时,当注入电流小于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大而减小,当注入电流大于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大有所增大;峰值波长随温度升高而增大。3dB带宽随注入电流的增大而减小,随温度的升高而略有增大。消光比随注入电流和温度的升高而变化。 相似文献
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计算了应变Si1-xGe层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ge组分x和温度T的依赖关系。发现随Ge组分x的增加,导带和价带有效态密度随之快速减小,而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组分x的增加而减小得越快,而本征载流子浓度上升得越快。同时还发现,具有大Ge组分x的应变Si-xGex层,其用Si相应参数归一化的导带和价 相似文献
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研究了在高温工作环境下Ti/A1/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性,退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切关系,掺杂浓度越高,其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢;重掺杂样品的Ti/A1/Ni/Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性;当样品被施加500℃,1h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加。 相似文献
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掺铑钛酸钡晶体是一种近年来生长成功的光折变晶体。人们对它的光折变性质如二波耦合、相位共轭、光致吸收等都做过很多研究。但关于其光折变性质随温度的变化尚未见报导。本文中我们对物理所生长的掺铑钛酸钡晶体的光折变性质对温度的依赖性进行了研究,发现其二波耦会强度及其相位共轭反射率随温度的升高而增加。在二波耦合实验中,我们用He-Ne激光器作光源,为消除强的扇光而采用o光偏振,两束对称入射(晶体外夹角2θ=18°)。泵浦光强度为0.36W/cm2,泵浦光与信号光的强度比为为20,测得二波耦合强度随温度线性增加,当温度从20℃… 相似文献
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