与Si集成的溶胶—凝胶法制备的TiO2—SiO2复合薄膜的应力分析

采用激光束反射偏转法测量了用溶胶－凝胶法在Ｓｉ（１１）基片上制备的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜的曲率半径。由此计算出薄膜的热应力，应力和本征应力。研究了工艺过程与薄膜应力的关系，其应力随热处理温度的增加而由张应力转变为压应力；当热处理温度较低时，随膜厚的增加，其应力增大，而最终导致膜的开裂，薄膜的最大不开裂厚度随热处理温度和ＴｉＯ２含量的增加而增加。     

1．3μmDH-SLD的性能与工作电流和温度的关系

全面地测试并分析了掩埋双异质结型超辐射激光二极管模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。得到：DH—SLD显示了软阈值特性，其输出光功率随注入电流的增大而增加，随管芯温度的升高而降低。温度不变时，当注入电流小于110mA(约)时，峰值波长随注入电流的增大而减小，当注入电流大于110mA(约)时，峰值波长随注入电流的增大有所增大；峰值波长随温度升高而增大。3dB带宽随注入电流的增大而减小，随温度的升高而略有增大。消光比随注入电流和温度的升高而变化。     

电子封装微晶玻璃基板的介电性能

研究了堇青石基微晶玻璃介电性能随测试温度和测试频率变化的温度特性和频率特性。结果说明，未添加和添加氧化铋的微晶玻璃的极化机理表现为离子极化，而添加稀土氧化铈的微晶玻璃的极化机理表现为空间电荷极化。介电性能的温度特性说明，添加稀土氧化铈的微晶玻璃样品介电损耗随温度的增加而增加，其他样品的介电损耗随测试温度基本不变，并基于德拜(Debye)弛豫方程作了分析。所有样品的介电常数随温度的增加基本不变。介电性能的频率特性说明极化弛豫普适定律适用于堇青石基微晶玻璃。     

4H-SiC BJT的Early电压分析

通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时,Early电压VA随发射区掺杂浓度NE增大而增大,随集电区掺杂浓度Nc增大而减小,随基区宽度W增大而增大.SiC中杂质非完全离化会影响4H-SiC BJT的Early电压及电流增益的温度特性.     

4H-SiC BJT的Early电压分析

通过考虑缓变基区4H-SiC BJT电流增益及器件内4种载流子复合过程,计算了4H-SiC BJT的厄利(Early)电压,分析了Early电压及电流增益的温度特性.结果表明,其他参数不变时,Early电压VA随发射区掺杂浓度NE增大而增大,随集电区掺杂浓度Nc增大而减小,随基区宽度W增大而增大.SiC中杂质非完全离化会影响4H-SiC BJT的Early电压及电流增益的温度特性.     

制备参数和退火对a－C∶H膜光学性质的影响

本文主要研究了制备参数和退火对ａ－Ｃ：Ｈ膜的光学性质的影响．得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映ａ－Ｃ：Ｈ膜电子能带结构的物理参数．结果表明，吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升，随反应室压强的升高而下降；光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降，随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ｔａ的升高，氢含量减少，带尾变宽，带隙变窄．     

电场和温度对铁电薄膜开关特性的影响

本文运用KA模型研究了铁电薄膜的电畴反转特性与外电场强度以及温度的关系，结果表明，开关电流随电场强度增大而增大，在居里点附近随温度上升而下降，远低于居里点时随温度上升而增大。开关时间随电场强度和温度提高而缩短。     

我国不同区域高空温度和相对湿度的分布特征

利用1998～2007年13个等压面的探空资料,对全国五个区域高空温度、相对湿度的年平均和季节平均分布特征进行了分析.结果表明t五个区域高空,白天年平均温度和相对湿度随高度增加的变化趋势与夜晚的变化趋势相似;年平均温度随高度增加而减小,在100 hPa附近降到最低值后随高度增加开始增大;年平均相对湿度随高度增加而减小;年平均高空温度和相对湿度具有明显的南北差异;四季五个区域高空平均温度和相对湿度与年平均的变化趋势相似,尤其是秋季.     

In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光

本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．     

高压蒸汽对塑封双极器件电参数的影响

塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,击穿电压BV CEO会略有上升。开封芯片检查和理论分析表明,高压水汽可以穿透封装,造成芯片内部微缺陷增加,导致器件HFE下降,BV CEO略有上升。通过优化封装材料及工艺,可以改善HFE漂移,增强器件抗潮湿性能。     

应变p型Si1-xGex层中载流子冻析

本文用解析的方法研究了应变Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层中载流子冻析现象，研究发现，用Ｓｉ归一化的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带有效态密度、随ｘ的增加而减小，而且温度Ｔ越低，随Ｇｅ组份ｘ的增加而减少的速度越快，与Ｓｉ相比，常温下Ｇｅ组份ｘ几乎对电离 杂质浓度没有什么影响，而在低温下，随Ｇｅ组份ｘ的增加，电离杂质浓度随之增加，载流子冻析减弱，这对低温工作的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ器件有利。     

低温度系数永磁材料

正 在微波器件和精密仪器中,要求所用的永磁材料在很宽的温度范围内磁通基本保持不变,亦即要求所用的永磁材料具有很低的可逆温度系数()。铝镍钴、铁氧体、铂钴和普通的稀土钴永磁材料均不能满足上述要求。我们根据轻稀土钴和重稀土钴化合物的磁化强度随温度变化的相反性质,即轻稀土钴化合物的磁化强度随温度增加而降低,而重稀土钴化合物的磁化强度在一定温度范围内随温度增加而增加。通过用重稀土Gd、Er取代SmCo5中一部分Sm,并适当调节Sm与Gd、Er之间的比例,制备成了可逆温度系     

应变Si_（1－x）Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算

计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度Ｔ的依赖关系弱，而具有小Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ层，上述归一化参数对温度Ｔ的依赖关系强，这和目前仅有的文献［８］中，它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。     

980nm半导体激光二极管的温度特性

测试并分析了980nm半导体激光二极管( SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。结果反映:在测试范围内,温度不变时该模块的输出光功率随注入电流的增大而增加,经历了自发辐射和受激放大过程;电流不变时该输出光功率随管芯温度的变化基本保持稳定。温度不变的情况下,当注入电流小于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而较快增加,当注入电流大于阈值电流时,峰值波长、3dB带宽和消光比随注入电流的增大而缓慢增加;电流不变时峰值长、3dB带宽和消光比随温度升高而有所增大。     

应变Si1—xGex层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算

计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价带有效态密度随之快速减小，而本征载流子浓度却随之而近乎指数式地增加。而且，温度Ｔ越低，导带和价带有效态密度随Ｇｅ组分ｘ的增加而减小得越快，而本征载流子浓度上升得越快。同时还发现，具有大Ｇｅ组分ｘ的应变Ｓｉ－ｘＧｅｘ层，其用Ｓｉ相应参数归一化的导带和价     

n-GaN 基 Ti／AI／Ni／Au的欧姆接触高温特性

研究了在高温工作环境下Ti／A1／Ni／Au（15nm／220nm／40nm／50nm）四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性，退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性；接触电阻率随测量温度的增加而增大，且增加幅度与掺杂浓度有密切关系，掺杂浓度越高，其接触电阻率随测量温度的升高而增加越缓慢；重掺杂样品的Ti／A1／Ni／Au-n-GaN欧姆接触具有更佳的高温可靠性；当样品被施加500℃，1h的热应力后，其接触电阻率表现出不可恢复性增加。     

掺铑钛酸钡晶体中温度增强的光折变性质

掺铑钛酸钡晶体是一种近年来生长成功的光折变晶体。人们对它的光折变性质如二波耦合、相位共轭、光致吸收等都做过很多研究。但关于其光折变性质随温度的变化尚未见报导。本文中我们对物理所生长的掺铑钛酸钡晶体的光折变性质对温度的依赖性进行了研究，发现其二波耦会强度及其相位共轭反射率随温度的升高而增加。在二波耦合实验中，我们用He－Ne激光器作光源，为消除强的扇光而采用o光偏振，两束对称入射（晶体外夹角2θ=18°）。泵浦光强度为0．36W／cm2，泵浦光与信号光的强度比为为20，测得二波耦合强度随温度线性增加，当温度从20℃…     

温度对染料掺杂胆甾相液晶激光波长的影响及应用

研究了温度对激光染料掺杂胆甾相液晶的激光波长的影响,发现胆甾相液晶输出的激光波长总体上随温度的升高而红移,但是不同厚度的样品随温度变化的趋势略有不同。样品较薄时,激光波长随温度变化呈周期性的跳变式增长,而在相邻两个跳变温度之间的一小段温度范围内则随温度的升高而蓝移,且激光波长随温度变化产生突变的周期随样品厚度增加而减小。当样品厚度足够大时,激光波长随温度变化产生的突变消失,几乎随温度呈线性增长。分析了产生该现象的物理机制,并对其进行了理论模拟。模拟结果与实验结果一致。厚的染料掺杂胆甾相液晶样品产生的激光波长随温度线性变化的这一特性,可以用于温度传感。     

柱型量子点中弱耦合磁极化子的激发态性质

应用线性组合算符和幺正变换研究了在量子阱和抛物势作用下的柱型量子点中弱耦合磁极化子的性质. 对AgBr量子点的数值计算表明：量子点中磁极化子的基态能量、激发态能量以及激发能均随特征频率、回旋共振频率的提高而增大；随柱高的减小而增加，且柱高愈小，增加速度愈快；激发态能量随温度的升高而增加. 这些结论说明，由于量子点的受限和磁场的增大以及温度的升高使量子点的极化加强.     

晶体管HFE参数的快速测试方法

随着国内半导体分立器件生产规模的发展,晶体管生产厂家及使用单位对晶体管测试速度的要求越来越高,而制约测试速度最主要的因素就是HFE参数的测试速度远远达不到现在生产的需要。本文在探讨晶体管HFE参数的通用测试方法不足的基础上,提出晶体管HFE参数先进的快速测试方法。依据此方法并结合现有半导体分立器件测试系统,主要通过硬件配合在测试系统内构造出晶体管HFE参数的快速测试单元,把测试速度由原来的1000ms提高到15ms,实现了从测试方法到技术成果的转化。