圆片陶瓷电容器的现状和发展趋势

着重介绍目前国内外圆片陶瓷电容器的生产规模、国内生产能力、产业结构变化、生产技术现状和发展趋势以及圆片电容器的市场走势，并强调规模经济是圆片陶瓷电容器发展的必由之路，材料国产化是进一步开拓国内外市场的方向     

圆片级封装技术

圆片级封装(Wafer-LevelPackaging,WLP)已成为先进封装技术的重要组成部分,圆片级封装能够为芯片封装带来批量加工的规模经济效益。在圆片规模上开始加工,结束于芯片规模的圆片级封装技术将在面型阵列倒装芯片的封装中得到日益广泛的应用。圆片级封装加工将成为业界前端和后端之间的高性能衔接桥梁。综述了圆片级封装的技术及其发展趋势。     

圆片级封装技术展望

圆片级封装(Wafer-Level Packa-ging,WLP)已成为先进封装技术的重要部分。全圆片级封装虽然能够为芯片封装带来批量加工的规模经济效益,但由于系统集成方面的某些因素限制了其在主流应用中的推广。在圆片规模上开始加工,但结束于芯片规模的部分圆片级封装将在面型阵列倒装芯片的封装中得到日益广泛的应用。圆片级封装加工将成为业界前端和后端之间的高性能衔接桥梁。     

高密度封装流行方案

要是你认为目前的芯片的封 装已够小,装配密度已够高的话,你能想象几年后的情形会是什么样？随着ＣＳＰ（芯片级规模封装）,与ＷＳＰ（圆片级规模封装）技术的进展,封装的物理尺寸与成本还会不断缩减,原先要制造在多块芯片上的功能电路可进一步集成在单片或ＭＣＭ（多芯片模块）解决方案中。 Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｒ的有关人员认为：“通过多芯片集成来增强器件功能是应用的必然趋势,并直接导致集成电路尺寸小型化。由于微电子圆片加工工艺的尺寸在不断的缩减,ＩＣ集成度与器件的功能也随之提高,对封装与ＰＣ（印…     

基于MEMS圆片级封装/通孔互联技术的SIP技术

<正>随着科学技术的发展,3D SIP(system-in-package)技术已成为世界热点。基于MEMS圆片级封装WLP(Wafer-level packaging)的SIP技术是目前3D SIP最重要技术之一,它充分利用MEMS的TSV(Through-silicon via)和圆片级键合技术,实现Si与GaAs、Si与陶瓷等异质材料间垂直互联和圆片级集成。该技术可以将传感     

SOITEC将扩大SOI圆片生产规模

ＳＯＩＴＥＣ将扩大ＳＯＩ圆片生产规模据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道，法国ＳＯＩＴＥＣ公司已完成第三轮投资，这一举措将使该公司获得大批量生产ＳＯＩ圆片的能力。这次投资的资金将用于建设均匀粘接（Ｕｎｉｂｏｎｄ）圆片的中试线和一条生产线。...     

国际新闻

日本信越半导体和东芝公司认为,1999—2000年世界将生产12英寸圆片。1994年7月已开过第一次12英寸圆片研讨会,1995年11月将召开第二次12英寸圆片研讨会,会议将着重讨论圆片厚度、圆片位置基准、表面状态、成本、标志、批量规模、盒与间隔等问题。     

集成电路圆片级芯片尺寸封装技术（WLCSP）

1技术创新性 集成电路圆片级芯片封装技术（WLCSP）及其产品属于集成创新,是江阴长电先进封装有限公司结合了铜柱凸块工艺技术及公司自身在封装领域的技术沉淀,开发出的区别于国外技术的新型圆片级芯片封装技术。     

300mm片子动向

３００ｍｍ片子动向本刊观察员多年来，为了更经济地加工半导体圆片，产业界总是不断地增大半导体圆片的直径，因而３００ｍｍ圆片便成为集成电路芯片制造商继续追求的下一个目标。图１给出了在各代ＤＲＡＭ器件技术推动下，圆片直径、芯片面积和图形线宽之间对应的发展趋...     

上海先进成功打造国内首个汽车电子芯片制造平台

上海先进半导体制造股份有限公司（“上海先进”）自2009年提出构建“汽车电子芯片制造产业化平台”的设想,并于同年与欧洲著名的集成器件制造商签订第一份汽车电子圆片生产合同以来,至今累计生产汽车电子圆片逾60,000片。     

新产品

测试与测量实现更快捷半导体测试的集成测试系统Keithley发布ACS(Automated Characterization Suite)自动特征分析套件集成测试系统。该测试系统实现器件级、圆片级和黑盒级半导体特征分析工     

圆片级封装时代已经到来

所谓圆片级封装,是指封装和测试是在未分离的圆片上进行的,并且能在世界范围内被投入生产,主要是建立在薄膜凸点和再分布技术的基础上。采用这些技术的低引线数的硅器件和无源射频集成元件在今天的手持式电信产品中正在兴起。要使这项极具希望的技术获得很好的应用,圆片级老化和测试是必需的。     

GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成的研究

基于圆片级外延层转移技术,将完成GaAs pHEMT有源器件加工的外延层从原有衬底上完整地剥离下来并转移到完成工艺加工的Si CMOS圆片上,基于开发的异类器件互联以及异类器件单片集成电路设计等一系列关键技术,进行了GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片电路的工艺加工。研制的GaAs pHEMT与Si CMOS异质集成单片数字控制开关电路与传统的GaAs pHEMT单片电路相比,芯片面积减小15%。     

新型国产8英寸半导体快速热处理设备

在半导体圆片生产工艺中，快速热处理(也称“热退火”)是半导体圆片经过注入工艺后必不可少的工序之一。半导体圆片快速热处理设备是半导体器件生产的关键设备之一。自从20世纪60年代初，离子注入技术作为新的半导体掺杂工艺以来，大大促进了半导体集成电路的发展。而集成电路的     

成功打造国内首个汽车电子芯片制造平台——“上海先进”汽车电子圆片月产能超10000片

上海先进半导体制造股份有限公司("上海先进")是国内最早从事汽车电子芯片生产的半导体制造企业;自2009年提出构建"汽车电子芯片制造产业化平台"的设想,并于同年与欧洲著名的集成器件制造商签订第一份汽车电子圆片生产合同以来,至今累计生产汽车电子圆片逾60 000片。     

51级E/D模AlGaN/GaN HEMT集成环形振荡器

<正>南京电子器件研究所基于76.2mm(3英寸)GaN HEMT圆片工艺,通过E模器件和E/D集成技术,在国内率先实现了51级GaN E/D集成环形振荡器,工作电压为6V时振荡频率达     

圆片背面超薄研磨技术研究

一、前言随着集成电路向VISI和ULSI方向发展，集成电路圆片不断增大，芯片面积也向着更大的趋势发展。鉴于IC电路性能是在“前工序”所决定，因此常被人们所注目。但是，随着器件性能的提高，IC电路功能复杂化，高集成度化，对可靠性要求愈来愈高。从而“后工序”——组装才开始为人们所重视，而在组装工序中，图片背面减薄对提高IC尤其是功率集成电路的可靠性降低热阻，提高成品率等又起着至关重要的作用。因此我们开展了圆片背面超薄研磨技术研究。二、圆片背面研磨的功能1）可去掉圆片背面的氧化物，保证芯片焊接时具有良好的粘接…     

超薄型圆片级芯片尺寸封装技术

ShellCase公司的圆片级封装技术工艺,采用商用半导体圆片加工设备,把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装(WL-CSP)工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露,并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上,并进行回流焊,圆片分离形成封装器件成品。WL-CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装(CSP),其测量厚度为300μm-700μm,这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。     

飞利浦无源集成技术取得重大突破

飞利浦电子集团近日推出新的半导体无源集成技术，飞利浦的独特技术专为在低成本硅片上集成高质量无源元器件而设计，与传统表面安装器件无源元器件技术相比，生产的射频元器件性能更好，尺寸更小。半导体厂商可极大降低无源元器件的成本和尺寸。无源集成技术可将集成度更高的射频解决方案放在更小的区域里，而这在以前是无法实现的。与SMD元器件生产工艺相比，飞利浦的无源集成技术可确保与圆片处理相关的卓越精确性，因而寄生损失非常低，封装密度至少是传统SMD技术的三倍。该技术还避免了射频性能的变化，射频解决方案尺寸得到降低，…     

再布线圆片级封装板级跌落可靠性研究

再布线圆片级封装通过对芯片焊区的重新构造以及无源元件的集成可以进一步提升封装密度、降低封装成本。再布线圆片级封装器件广泛应用于便携式设备中,在实际的装载、运输和使用过程中抗冲击可靠性受到高度重视。按照JEDEC标准对再布线圆片级封装样品进行了板级跌落试验,首先分析了器件在基板上不同组装点位的可靠性差异;然后依次探讨了不同节距和焊球尺寸、再布线结构对器件可靠性的影响;最后,对失效样品进行剖面制样,采用数字光学显微进行形貌表征。在此基础上,结合有限元分析对再布线结构和铜凸块结构的圆片级封装的可靠性和失效机理进行深入地阐释。