水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用

近年来,水热法用于纳米粉体和纳米材料制备,超导材料处理等前沿课题的研究,已引起人们的高度重视,按研究对象和目的的不同,水热法可分为水热晶体生长,水热合成,水热反应,水热处理,水热燃结等,分别用来生长各种单晶,制备超细,无团聚或少团聚,结晶完好的陶瓷粉体,以及在相对较低的温度下完成某些陶瓷材料的合成等,对水热技术的原理和发展,以及该技术在电子陶瓷粉体制备中的应用进行了介绍。     

W掺杂二氧化钒的水热晶化机理及其相变性能

以硫酸氧钒为钒源,采用沉淀-胶溶法制备VO_2溶胶。然后向溶胶中加入偏钒酸铵,利用溶胶水热晶化制备出W掺杂二氧化钒(W-VO_2,M相)粉体。通过XRD,FESEM和DSC对合成产物的物相组成、形貌和相变性能进行研究。结果表明:在280℃条件下水热处理4~48h,VO_2溶胶经过水热晶化生成长约1~2μm、直径约100~200nm棒状W-VO_2(B)晶体,伴随着B相向M相晶型转变,W-VO_2(B)逐渐消溶,而W-VO_2(M)逐渐长大,形貌由棒状转变为片状或雪花状;W-VO_2(M)相变温度随着W掺杂量增加而降低,当名义掺杂量为6.0%(原子分数)时,相变温度降低到28℃。根据水热晶化和形貌演变过程,提出了W-VO_2(M)可能的"形核-生长-转化-熟化"形成机理。     

LB薄膜技术在尖端材料制备中的应用

LB(Langmuir-Blodgett)薄膜技术可以在分子水平上进行材料设计,是实现分子工程的重要手段.LB膜可以方便地沉积纳米级的功能微粒和薄膜,也是制备梯度功能材料的方法之一.简要综述了LB薄膜技术在功能晶体、纳米半导体及铁电体等尖端材料制备中的应用,并展望了其相关应用研究的重要前景.     

SHS技术在空间科学实验中,特别是在空间制备材料中的应用

论述了自蔓延高温合成（SHS）技术在空间制备材料中的应用,着重讨论了该技术的应用现状、存在问题和解决途径。     

水热合成法制备杯状氧化锌微晶及其光学性质研究

以Zn(CH3COO)2·2H2O为源反应物,采用水热合成反应法成功地制备了杯状的氧化锌微晶粉体材料.X射线衍射(XRD)谱的结果表明获得了典型的六方结构晶体.扫描电子显微镜(SEM)照片观测到杯状的氧化锌微晶,并且单个微晶互相结合形成对称结构.实验发现,水热时间影响着晶体的形貌,对其结构变化机制进行了探讨.同时,通过...     

煤系高岭土制备碱性分子筛材料

本研究以煤系高岭土为原料、NaOH溶液为浸取液,先于800℃煅烧2h得到偏高岭土,再在全密封反应釜中通过偏高岭土和NaOH溶液(固液比1∶20)之间的水热反应制备碱性分子筛(Na8(AlSiO4)6(OH)2.2H2O)。并采用X-射线衍射仪(XRD)、傅立叶转换红外光谱仪(FT-IR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和N2吸附脱附等测试手段对Na8(AlSiO4)6(OH)2.2H2O分子筛进行表征。结果表明,煤系高岭土经800℃煅烧后颗粒形貌不改变,平均尺寸2μm左右,碱浸取后变成分子筛微球;NaOH溶液的最佳浓度是4mol/l;Na8(AlSiO4)6(OH)2.2H2O分子筛具有狭缝状孔道,孔的形状和尺寸均匀,是一类典型的微孔-介孔分子筛材料。     

配位有机硅化合物的制备及其在聚合物合成中的应用

综述了从高温碳热还原法得到的上配位硅衍生物出发和直接从无定型二氧化硅出制备硅的五配位、六配位化合物的方法及其反应特性,并提出了一条开发含硅聚合物材料的实用途径。     

电磁加工技术在材料制备中的应用

简单介绍了电磁场的内涵,并综述了电磁加工技术在材料科学研究和加工中的应用现状,主要涉及电磁感应加热、电磁搅拌、电磁分离、电磁冷坩埚感应熔炼、磁悬浮熔体技术、金属熔体的电磁近终成型技术、强磁场处理技术的发展。最后展望了电磁加工技术在材料科学领域的应用前景。     

碳纳米管掺杂纳米WO3气敏材料的制备及其应用

为降低WO3气敏元件的工作电压,改善WO3基敏感材料的气敏性能,采用化学吸附沉淀-水热法合成WO3和WO3/SWCNT复合材料,并研究矿化剂用量和SWCNT掺杂量对其气敏性能的影响.结果表明,大剂量矿化剂的使用会降低WO3的气敏性能;碳纳米管掺杂可以使WO3在较低的工作温度下有较高的灵敏度.SWCNT掺杂量为1％的元件...     

金属有机化合物在材料合成与制备中的应用

1849年英国化学家用有机化合物乙基碘加热金属锌时,产生了一种含Zn、C、H的有毒且极易反应的液态化合物。这是第一次发现这种既是有机物,又含一个金属原子的化合物——二乙基锌,而且它不像大多数金属化合物通常呈结晶固态。自此以后,化学家     

磁场烧结在材料制备中的应用

综述了近年来磁场烧结在材料制备中的应用情况,重点分析了磁场烧结对烧结动力学、材料组织结构等方面的影响,简要介绍了磁场烧结在超导材料制备中的应用。     

磷锑酸钠快离子导体的合成与电性质研究

采用高温固相法合成了具有快离子传输性质的三种磷锑酸钠化合物Ｎａ５Ｓｂ５Ｐ２Ｏ２０、ＮａＳｂＯ８和ＮａＳｂ２ＰＯ８。利用粉末Ｘ射线衍射、扫描电镜、成分分析和红外光谱对其进行了表征,在指标化程序上将Ｎａ５Ｓｂ５Ｐ２Ｏ２０、ＮａＳｂＰ２Ｏ８display structure     

水热法在无机粉体材料制备中的研究进展

综述了水热反应机理、影响水热反应的主要因素及水热法制备无机粉体材料的研究新进展，并对水热法在无机粉体材料制备中的发展前景进行了展望。     

高岭石的掺杂对Li0.3La2/3Ti0.7P0.3O3.3体系性能的影响

采用高温固相反应的方法合成了Li0.3La2/3-xAlxTi0.7-xSixP0.3O3.3系统锂快离子导体.交流阻抗测量表明,随着高岭石掺杂量的增加体系的室温离子电导率从9.0×10-5S/cm下降到9.73×10-6S/cm.利用电导率与温度的关系计算出其从25～400℃温区里的平均活化能约为20kJ/mol.X射线粉末衍射显示高岭石掺杂对复合体系的结构没什么影响,体系仍然具有钙钛矿型结构,主要相态为Li3xLa2/3-xTiO3钙钛矿固溶体和LaPO4,由于高岭石中所含的杂质,随着高岭石掺杂量的增加(x＞0.04)而出现未知的杂相;红外测试表明Si4 、Al3 的引入使得PO4 3-的畸变得到抑削.     

Y_2O_3稳定的 ZrO_2薄膜材料的制备和电导性质的研究

以金属有机螯合物为源物质,采用低压等离子体化学气相淀积工艺(PCVD),成功地生长了 Y_2O_3稳定的 ZrO_3氧离子导体薄膜,对薄膜的化学组成、结构以及电导性能进行了研究。通过实验测量了等离子体条件下不同淀积参数对淀积速率的影响,探讨了各种参数对淀积过程的控制作用,进而为改进化学气相淀积工艺提供依据。     

钠快离子导体NaLaS2和NaLaS1.5Se0.5的合成及表征

以Na2S、La和S或Se为原料在750℃下固相反应合成新型钠快离子导体NaLaS2和NaLaS1.5Se0.5.X射线衍射分析表明,NaLaS2和NaLaS1.5Se0.5具有相同的晶体结构,其空间群为FM3-M.通过在0.1Hz～100kHz的频率范围交流阻抗谱的测试,分析了这些快离子导体的离子导电性,发现在相同的温度下NaLaS1.5Se0.5的电导率高于NaLaS2.NaLaS2在30和90℃时的电导率分别为3.65×10-5和6.23×10-5S·cm-1,而NaLaS1.5Se0.5在30和60℃时的电导率分别为8.11×10-5和1.37×10-4S·cm-1.通过对合成物晶体结构的分析,推测这两种化合物的导电率差异可能来自于Se2-离子较高的极化能力,以及离子半径较大的Se2-引起的局部晶格扩大.     

共沉淀法制备Cu掺杂的钙钛矿型混合导体透氧材料

采用并流共沉淀法合成了掺杂Cu的钙钛矿型混合导体透氧膜材料.考察了pH值、陈化时间等制备条件对前驱体性质和膜片透氧性能的影响,采用TG-DSC考察了复合氧化物粉体的生成过程,采用XRD、TEM对粉体的结构和形态进行了表征,对材料进行了透氧性能测试并与固相反应法作了比较.结果表明,pH=10～11,陈化时间为10小时是最佳的前驱体制备条件,合成温度为800℃即可得到纯相钙钛矿结构的粉体,其平均颗粒直径为90nm,透氧测试结果显示,制备方法和Cu掺杂量对膜片的透氧性能有显著影响,900℃时共沉淀法制备的SrFe0.6Ti0.1Cu0.3O3-δ的透氧量达到O.64ml·min～·cm-2(STP).     

无机材料显微结构化学

本文综述了为说明无机材料显微结构形成有关的最重要的物理化学因素。根据显微结构图象判读的进一步要求,可首先在样品中对晶相和它们的形态外貌作鉴定,然后对特征区分别用一系列相变方程式来描述。结果,这些论述即构成了显微结构化学的基本内容,从而使显微结构分析的科学意义取得了大的进展。可以予期,显微结构化学将成为材料科学的重要分支。     

Li8Al1-xSi2xP1-xO8系统锂快离子导体的合成与表征

以Li4SiO4为母体,叶蜡石为原料的Li8Al1-xSi2xP1-xO8系统的锂快离子导体,经高温固相反应制得.X射线衍射分析结果表明该系统在0.5＜x＜0.9的组成范围内形成单一的固溶体相,其空间群为P21/m,导电性能测试结果表明x=0.6的合成物具有最高的电导率,在673K时其电导率达到2.6×10-2S/cm,其活化能为60.73kJ/mol(温度区间373～673K).