4096位CMOS动态移位寄存器的研究

本文叙述了4096位CMOS移位寄存器的工作原理和电路的设计考虑。讨论了先进的N阱硅栅N~+掺杂全离子注入技术和3微米光刻工艺中所遇到的主要工艺技术问题。还给出了电路的典型参数。     

一种超高速八位移位寄存器

介绍了一种超高速八位移位寄存器的设计和工艺制造技术。采用单元结构设计方法进行逻辑设计、电路设计、版图设计和整体设计,用3μm双埋层对通pn结隔离ECL技术进行工艺制作,其最高工作频率达到400MHz以上,工作温度范围为-55℃～85℃,比常规的TTL或者COMS移位寄存器工作频率高40倍。     

一种新型大动态范围CMOS图像传感器

提出了一种具有新型像素结构的大动态范围CMOS图像传感器,通过调整单个像素的积分时间来自适应不同的局部光照情况,从而有效提高动态范围。设计了一种低延时、低功耗、结构简单的新型pixel级电压比较器及基于可逆计数器的时间-电压编码电路。采用0.6μm DPDM标准数字CMOS工艺参数对大动态范围像素单元电路进行仿真,积分电容电压Vcint与光电流呈良好的线性关系,其动态范围可达126dB。在3.3V供电电压下,单个像元功耗为2.1μW。     

一种单片高速四位计数器／移位寄存器

本文介绍了一种双极单片高速ＥＣＬ电路四位计数器／移位寄存器。     

一种低功耗低噪声相关双取样电路的研究

为了尽量在前级消除CMOS图像传感器读出电路中的主要噪声源，本文提出一种低功耗低噪声的相关双取样电路，开关晶体管采用PMOS晶体管代替传统的NMOS晶体管，避免了NMOS管的阈值损失，有效地降低功耗而不减小信号摆幅，降低了1/f噪声。与传统CDS电路相比较，所提出的CDS电路的输出采用对称列选通开关和源跟随晶体管，减少了两个电流源晶体管和一个偏置电源，有效地降低了功耗：同时，现有工艺能制造出性能匹配很好的对称晶体管，有效地消除器件本身由于阈值偏差带来的固定平面噪声。模拟结果表明，在电源电压为3．3V的情况下，像素单元响应动态范围(输出幅值接近电源电压)较宽，像素单元及CDS正常工作时消耗的能量是1．73μW。     

一种高性能32位移位寄存器单元的设计

介绍了一种用于32位微处理器中执行单元的双总线(64位输入32位输出)移位寄存器单元的设计。讨论了矩阵移位器和树状移位器结构,提出了基于两者结合的Matrix-Tree 结构并给出了其硬件电路的实现。为了能实现X86指令集全部移位类指令,采用了指令预处理的技术,节省了指令周期,提高了CPU的效率。     

低功耗高动态范围CMOS图像传感器的设计

设计了一种低功耗高动态范围的CMOS图像传感器16×16像素阵列电路,采用条件重置的方法,钟控比较器的低功耗设计及相关时序电路的优化,在扩展CMOS图像传感器的动态范围下,极大地降低了系统的功耗.实验表明,基于标准CSM 0.35μm 2P4M CMOS工艺,用HSPICE仿真,动态范围最大可以达到普通传感器的4倍,在3.3 V下每列功耗仅为6.6μW.     

电路穷尽测试的线性反馈移位寄存器系列

本文介绍了在Ｇａｌｏｉｓ域ＧＦ（２）上线性反馈移位寄存器的链接原理，并给出了一种高级数的线性反馈移位寄存器如何由低级数线性反馈移位寄存器构成的方法，以满足对具有不同输入端数目电路测试的要求。初步的实验结果表明，从８至２４级的线性反馈移位寄存器都可以由１至７级的线性反馈移位寄存器链接构成。     

基于模拟移位寄存器的递归滤波器设计

BBD器件是一种MOS结构的电荷模拟移位寄存器，它可以完成对模拟信号的精确延迟。文章以BBD器件为基础，设计出了基于BBD的递归滤波器电路，并分析了原理和性能特点。     

New Active Digital Pixel Circuit for CMOS Image Sensor

A new active digital pixel circuit for CMOS image sensor is designed consisting of four components: a photo-transducer, a preamplifier, a sample & hold (S & H) circuit and an A/D converter with an inverter. It is optimized by simulation and adjustment based on 2 μm standard CMOS process. Each circuit of the components is designed with specific parameters. The simulation results of the whole pixel circuits show that the circuit has such advantages as low distortion, low power consumption, and improvement of the output performances by using an inverter.     

一种具有省电模式CMOS振荡器电路

提出了一种适用于电源转换芯片的具有省电模式的CMOS振荡器电路,其特有的变频模式和间歇模式可以有效降低整个电源系统在轻载与空载时的功率损失,使得整个系统能随负载的变轻而线性降低开关频率,并在空载状态下进入间歇模式。基于SinoMOS1μm40V CMOS工艺,仿真和流片结果证明了该振荡器电路能够为电源转换系统芯片降低功耗提供所需要的功能,即根据负载情况自动调整PWM开关频率。     

移位寄存器的Multisim仿真

介绍用Multisim仿真软件分析移位寄存器逻辑功能的方法,验证了4-D触发器构成的移位寄存器的逻辑功能。用Multisim仿真软件中的字组产生器产生的信号作为移位寄存器的时钟脉冲和输入数据,字组内容反映移位寄存器的输入信号和控制信号,用Multisim中的逻辑分析仪多踪同步显示各输入信号、控制信号和输出信号波形,直观地描述移位寄存器的工作过程。所述方法创新地解决了移位寄存器工作过程无法用实验仪器验证的问题。     

适用于三值线性反馈移位寄存器的CMOS触发器

为了省免多值线性反馈移位寄存器中存在的常量乘运算电路，本文以三值逻辑为例，提出了具有Q-2Q双轨输出的三值CMOS触发器的设计，它可与传统的三值模和电路配合，即可实现三值线性反馈移位寄存器。这不仅简化了电路结构，并可提高电路的工作速度，PSPICE模拟证实了Q-2Q触发器设计具有正确的逻辑功能，此设计思想可推广至基数更高的多值线性反馈移位寄存器电路的设计。     

超高速移位寄存器单元结构设计方法

本文以高速八位移位寄存器的研制为例,介绍了一种简便可行的专用集成电路单元结构设计方法。专用集成电路的设计目前有很多方法,但都基于有先进的设计工具和较为丰富的集成电路CAD库。没有这些设计环境,使用单元结构设计方法同样可以较快地设计专用集成电路。与通常的设计相比,这种方法具有设计周期短,电路性能高,设计成本低,版图布局对称等特点,是一种较好的专用集成电路设计方法。     

一种高稳定低功耗CMOS过热保护电路的设计

采用1．2μm CMOS工艺,设计了一种过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3．5V以上的电源电压工作下,输出过热保护信号所产生的过热温度点基本保持不变,约为132℃;同时在3V电源电压工作下,电路功耗约为1．05mW,而在9V的高压下工作,功耗仅为14．4mW。由此可见,此电路性能较好,可广泛应用在各种集成电路内部。     

1×128热释电IRFPA CMOS读出电路的研究

热释电红外焦平面阵列是非致冷红外焦平面阵列的主要发展方向之一,其读出电路是关键部件,属数模混合集成电路。分析了热释电读出电路的特点,设计原则,并给出了一种读出电路设计方案以及仿真和实验结果。     

图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析

提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理.分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显,但当施加在栅极电压达到3V时,随着ω/ωT 比值的增加,MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显.同时详细分析了有源像素(APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路     

CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理及分析

提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理.分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显,但当施加在栅极电压达到3V时,随着ω/ωT比值的增加,MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显.同时详细分析了有源像素(APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路.     

一种带热滞回功能的低功耗CMOS过热保护电路

采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种具有热滞回功能的过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真.结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5 V以上的电源电压工作下,过热温度点基本保持不变,正向约为155℃,负向约为105℃,同时,在27℃,5 V电源电压工作下,电路功耗约为0.25 mW.由于其高稳定和低功耗的特性,可广泛应用在各种集成电路内部.