CuCr触头材料微观特性对其宏观性能的影响

本文总结和分析了ＣｕＣｒ真空开关触头材料的含气量、晶粒尺寸、致密度及成分均匀分布等微观特性对其分断能力、耐压性能、截流值等宏现性能的影响,并简要分析了现有的一些工艺方法,为真空开关ＣｕＣｒ触头材料的研究开发和应用提供参考。     

真空熔炼CuCr25合金及其性能研究

采用真空熔炼法制备ＣｕＣｒ２５合金，能提高ＣｕＣｒ触头材料的生产率，节约Ｃｕ，Ｃｒ资源。实验结果表明，该合金Ｃｒ相尺寸为３０－５０μｍ，相对密度大于９８％，气体含量低于５００×１０＾－６Ｐａ，耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。     

两种新的Cu-Cr合金触头材料

介绍两种新的触头材料──真空熔铸的Ｃｕ—２５Ｃｒ合金材料和激光熔凝的Ｃｕ—５０Ｃｒ表面合金。用这两种材料做触头的真空灭弧室在３８ｋＶ、２５ｋＡ和３１．５ｋＡ下的开断性能优异。     

高温下 CuCr 触头材料对真空小间隙击穿强度的影响

测量了含不同合金元素的ＣｕＣｒ真空触头材料不同温度下的击穿强度,讨论了合金元素Ｗ、Ｃｏ及温度对ＣｕＣｒ真空触头材料高温下小间隙击穿性能的影响。     

Cu—Cr二元合金状态图与Cu—Cr触头的工艺探索

本文从Ｃｕ－Ｃｒ二元合金平衡状态图的基本结构出发，分析了典型成份下的Ｃｕ－Ｃｒ合金平衡结晶的过程及其常温下合金的组织结构。结合渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ５０触头材料的合金化特点，分析了产生组织的原因和消除这些缺陷的方法，从而使熔渗法制造Ｃｕ－Ｃｒ触头的生产工艺和产品质量提高到一个新的水平。     

深冷处理对CuCr真空触头材料组织及性能的影响

研究了 ＣｕＣｒ真空触头材料在一定的深冷处理条件下,其组织发生的微结构变化。深冷处理引起的Ｃｕ相中的过饱和Ｃｒ弥散析出,使得微观组织分布更加均匀,Ｃｕ相的导电、导热能力进一步改善。同时Ｃｒ相发生明显细化。深冷处理使ＣｕＣｒ真空触头材料的耐电压强度及耐电弧侵蚀得到了一定的提高。     

选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响

研究了合金元素Ｗ、Ｃｏ的加入对ＣｕＣｒ触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化ＣｕＣｒ材料的Ｃｒ相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Ｃｕ相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备ＣｕＣｒ系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Ｃｒ相。     

根据微放电现象的研究评评真空灭弧触头材料的性能

本文研究了真空灭弧室用ＣｕＣｒ２５、ＣｕＣｒ５０、ＷＣｕ３０烧触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪的多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象－微放电现胆进行了研究,结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。     

西门子公司的真空断路器及其发展

德国西门子公司１９９５年开发出技术指标先进的３ＡＨ系列真空断路器，归功于新一代真空灭弧室和先进的加工工艺。该文除了介绍３ＡＨ系列产品的主要技术性能外，着重介绍了真空灭弧室采用ＣｕＣｒ触头材料的优点、触头制造工艺、形成的真空电弧形态，封排工艺以及真空度等；还指出了满足免维护（每操作１万次仅加一次油）的要求，提出了加工精度、改进关键件材质和工艺、采用长效润滑油脂和先进的ＣＡＴ检测装置、加强绝缘等。     

真空开关的触头材料

总结了真空开关对触头的要求以及触头材料对触头性能的影响，并介绍了目前真空开关中广泛使用的触头材料与研究触头材料的方法。针对真空开关的应用领域，介绍了触头材料的发展趋势。对真空开关触头材料的开发及实际应用有借鉴作用。     

碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

本文对铜含量２０Ｗｔ％的Ｃｕ－ＣＷ基真空接触器用触头材料残存气体的来源，存在状态进行了分析和推测，提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Ｃｕ－ＷＣ触材料（ＣＷ－２型）。６ｋＶ等级的真空灭弧室改用ＣＷ－２型触头后，其短路分断电流由２５００－３２００Ａ提高到５０００Ａ以上。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响扫描电了触头烧损后的组织结构。阐述了电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ路器上，通过了全部开关试验。     

铜钨（70）自力型触头的研制

本文对ＣｕＷ（８０）／ＣｒＣｕ与ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同Ｗ粉粒度对ＣｕＷ（７０）硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响，用扫描电观察了触头烧损后的组织结构。阐述了电子电子束焊接方法的优点，探讨了焊后的检验手段，制造的ＣｕＷ（７０）／ＣｒＣｕ自力型触头装于ＥＬＦ．ＳＬ２－１Ⅱ断路器上，通过了全部开关试验。     

新型真空开关触头材制的特性研究

0引言 真空开关的性能与触头材料密切相关，任何一次触头材料的发展都会引起真空开关性能的提高或改善，触头材料开断能力的提高不仅会大大缩小真空灭弧室的尺寸，而且会使真空开关整机的结构隔更加紧凑，节约金属及其他材料，并可以提高真空开关的可靠性。CuCr是目前广泛应用于真空断路器的触头材料，为了提高开断能力，在其中加入高熔点材料钽。     

电弧重熔法制造铜铬合金触头材料

本文首先分析了ＣｕＣｒ触头材料的结构特点，详细评述了目前制备ＣｕＣｒ触头材料的常用方法，然后介绍了电弧重熔法的设备组成和工艺特点。初步的试验结果表明，电弧重熔法工艺较简单，成本较低，可以获得比传统的粉末冶金法更为细密的组织结构。     

真空灭弧室CuCoTa触头材料研究

介绍了国内首次研制的铜钴钽（ＧｕＣｏＴａ）触头材料的制备及其试验测试。试验结果表明,在相同的试验条件上,ＣｕＣｏＴａ触头材料较ＣｕＣｒ５０触头材料提高分断能力２４％。     

显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响

研究了ＣｕＣｒ真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Ｃｕ５０Ｃｒ５０合金,首次穿相为Ｃｒ相,而对ＧｕＣｒ５０Ｓｅｌ合金,首次击穿相为Ｃｕ２Ｓｅ相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提     

真空开关的现状及发展趋势

自20世纪60年代以来，真空开关在中压领域的占有率已超过85％。今后，真空开关的发展趋势是真空灭弧室向小型化发展、真空开关向高电压等级和低电压等级发展。文章还介绍了真空开关在其他方面的研究开发情况，其中，对真空灭弧室触头材料的研究情况作了重点介绍。     

高性能触头材料WCu10的研究

对真空负荷开关触头用 ＷＣｕ１０材料的几种制造工艺进行了研究分析，表明采用氢气保护预烧钨骨架、真空渗铜工艺能使ＷＣｕ１０触头获得较佳的综合性能。     

CuBi,CuBiCe真空触头金相试样的电解抛光

本文对真空开关触头材料ＣｕＢｉ、ＣｕＢｉＣｅ的电解抛光方法进行了研究。根据电解抛光的一般原理通过试验选定了电解抛光的温度、时间、电流、电压、极距及抛光过程，获得了比机械抛光优良的ＣｕＢｉ、ＣｕＢｉＣｅ金相制样方法。