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真空熔炼CuCr25合金及其性能研究 总被引:7,自引:1,他引:6
采用真空熔炼法制备CuCr25合金,能提高CuCr触头材料的生产率,节约Cu,Cr资源。实验结果表明,该合金Cr相尺寸为30-50μm,相对密度大于98%,气体含量低于500×10^-6Pa,耐电压强度可达到常规方法制备的触头材料的水平。 相似文献
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Cu—Cr二元合金状态图与Cu—Cr触头的工艺探索 总被引:9,自引:0,他引:9
本文从Cu-Cr二元合金平衡状态图的基本结构出发,分析了典型成份下的Cu-Cr合金平衡结晶的过程及其常温下合金的组织结构。结合渗法制造Cu-Cr50触头材料的合金化特点,分析了产生组织的原因和消除这些缺陷的方法,从而使熔渗法制造Cu-Cr触头的生产工艺和产品质量提高到一个新的水平。 相似文献
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选择性相强化对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
研究了合金元素W、Co的加入对CuCr触头材料在真空小间隙中耐电压强度的影响。研究结果表明,合金元素选择强化CuCr材料的Cr相能够显著提触头间隙的耐电压强度,而强化Cu相对间隙的耐电压强度没有明显作用。文章认为制备CuCr系触头材料时应选择适当的制备工艺,使合金元素能够选择强化材料中的Cr相。 相似文献
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本文研究了真空灭弧室用CuCr25、CuCr50、WCu30烧触头材料的真空间隙的绝缘性能。通过采用局部放电测量仪的多路分析仪,对预击穿阶段的典型现象-微放电现胆进行了研究,结果表明,真空间隙的耐电压强度与微放电现象的特性参数之间具有非常密切的关系。 相似文献
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德国西门子公司1995年开发出技术指标先进的3AH系列真空断路器,归功于新一代真空灭弧室和先进的加工工艺。该文除了介绍3AH系列产品的主要技术性能外,着重介绍了真空灭弧室采用CuCr触头材料的优点、触头制造工艺、形成的真空电弧形态,封排工艺以及真空度等;还指出了满足免维护(每操作1万次仅加一次油)的要求,提出了加工精度、改进关键件材质和工艺、采用长效润滑油脂和先进的CAT检测装置、加强绝缘等。 相似文献
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本文对铜含量20Wt%的Cu-CW基真空接触器用触头材料残存气体的来源,存在状态进行了分析和推测,提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Cu-WC触材料(CW-2型)。6kV等级的真空灭弧室改用CW-2型触头后,其短路分断电流由2500-3200A提高到5000A以上。 相似文献
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本文对CuW(80)/CrCu与CuW(70)/CrCu两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同W粉粒度对CuW(70)硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响扫描电了触头烧损后的组织结构。阐述了电子束焊接方法的优点,探讨了焊后的检验手段,制造的CuW(70)/CrCu自力型触头装于ELF.SL2-1Ⅱ路器上,通过了全部开关试验。 相似文献
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铜钨(70)自力型触头的研制 总被引:6,自引:0,他引:6
本文对CuW(80)/CrCu与CuW(70)/CrCu两种自力型触头界面结合强度作了比较。研究了不同W粉粒度对CuW(70)硬度、电阻率、抗弯强度及抗电弧烧损性能的影响,用扫描电观察了触头烧损后的组织结构。阐述了电子电子束焊接方法的优点,探讨了焊后的检验手段,制造的CuW(70)/CrCu自力型触头装于ELF.SL2-1Ⅱ断路器上,通过了全部开关试验。 相似文献
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0引言
真空开关的性能与触头材料密切相关,任何一次触头材料的发展都会引起真空开关性能的提高或改善,触头材料开断能力的提高不仅会大大缩小真空灭弧室的尺寸,而且会使真空开关整机的结构隔更加紧凑,节约金属及其他材料,并可以提高真空开关的可靠性。CuCr是目前广泛应用于真空断路器的触头材料,为了提高开断能力,在其中加入高熔点材料钽。 相似文献
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电弧重熔法制造铜铬合金触头材料 总被引:7,自引:0,他引:7
本文首先分析了CuCr触头材料的结构特点,详细评述了目前制备CuCr触头材料的常用方法,然后介绍了电弧重熔法的设备组成和工艺特点。初步的试验结果表明,电弧重熔法工艺较简单,成本较低,可以获得比传统的粉末冶金法更为细密的组织结构。 相似文献
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介绍了国内首次研制的铜钴钽(GuCoTa)触头材料的制备及其试验测试。试验结果表明,在相同的试验条件上,CuCoTa触头材料较CuCr50触头材料提高分断能力24%。 相似文献
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显微组织对CuCr真空触头材料耐电压强度的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了CuCr真空触头材料的显微组织对其耐电压强度的影响。研究表明,电击穿首先在耐电压强度低的相上发生,对于Cu50Cr50合金,首次穿相为Cr相,而对GuCr50Sel合金,首次击穿相为Cu2Se相。由于电压老炼的结果,随着电击穿的发生,击穿相的耐电压强度升高,电击穿使阴极表面变得粗糙,但造成表面熔化层显微组织和成分均匀化,本文的研究认为,电压老炼造成触头表面显微组织更为细化和成分均匀化,从而提 相似文献
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真空开关的现状及发展趋势 总被引:6,自引:0,他引:6
自20世纪60年代以来,真空开关在中压领域的占有率已超过85%。今后,真空开关的发展趋势是真空灭弧室向小型化发展、真空开关向高电压等级和低电压等级发展。文章还介绍了真空开关在其他方面的研究开发情况,其中,对真空灭弧室触头材料的研究情况作了重点介绍。 相似文献
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高性能触头材料WCu10的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对真空负荷开关触头用 WCu10材料的几种制造工艺进行了研究分析,表明采用氢气保护预烧钨骨架、真空渗铜工艺能使WCu10触头获得较佳的综合性能。 相似文献
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CuBi,CuBiCe真空触头金相试样的电解抛光 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对真空开关触头材料CuBi、CuBiCe的电解抛光方法进行了研究。根据电解抛光的一般原理通过试验选定了电解抛光的温度、时间、电流、电压、极距及抛光过程,获得了比机械抛光优良的CuBi、CuBiCe金相制样方法。 相似文献