Co34Cu66颗粒膜的磁光性质研究

详细研究了Ｃｏ３４Ｃｕ６６颗粒膜在不同退火温度下的磁光性质．结果表明：未退火时在测量的能量范围内,位于３．８ｅＶ处有一θｋ峰．随着退火温度的升高,θｋ有不同程度的增加,当退火温度高于２００℃时,可以观察到在２．１ｅＶ附近出现一个θｋ的增强峰．其中２．１ｅＶ处的峰来源于Ｃｕ的带间跃迁,３．８ｅＶ处的峰来源于Ｃｏ．面内和极向Ｋｅｒｒ回线的测量表明：经退火后Ｃｏ颗粒变成平行于膜面的盘状     

CdTe／Cd_（1－x）Mn_xTe：In应变层量子阱的光荧光光谱

报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性．分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ下ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行了比较，结果进一步支持了本文的结论．还测量了费密迪奇异随温度的变化，结果表明此现象在Ⅱ—Ⅵ族半导体多量子附材料中比Ⅲ─Ｖ族材料强得多．     

CdTe／Dl1—xMnxTe：In应变层量子阱的光荧光光谱

报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子阱材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对应于费密边能量位置发光峰有一个很强的增加，使整个发光锋具有明显的非对称性。分析讨论了引起费密边奇异现象的物理机制，测量了７７Ｋ和ＧｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ样品的调制光谱，与荧光光谱进行比较，结果进一步支持了本文的结论。还测     

紫外线辐照能量对BaFCl：Eu^2＋光激励发光的影响

通过改变紫外线辐照能量，研究了ＢａＦＣｌ：Ｅｕ＾２＋的光激励发光性质，发现当紫外线能量大于或小于Ｅｕ＾２＋最低激发态能量两种情况下，光激励发光有明显的差异，还分析了产生差异的原因，并且给出了紫外线辐照能量与Ｆ／Ｃｌ比值的关系。     

音频测量用—dBu表

在广播电视中，音频指标测量极为关键。文章介绍了一种音频测量用－ｄＢｕ表的设计方案：根据广播对伴音信号的数学定义即ｄＢｕ＝２０ｋｇ（Ｖ音／０．７７５），采用芯片５３６ＡＫ、ＣＨ７１１７等组成电路，完成对音频信号的前端处理和对数变换以及模／数转换，达到数字显示音频信号的ｄＢｕ值。     

AlGaInP高亮度发光二极管

分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素,对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析,从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光二极管在橙黄波段的发光效率的最终决定因素是光的提取效率,而在黄绿波段是发光二极管的内量子效率。并利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术制备了ｃｄ级橙黄高亮度发光二极管,发光波长峰值在６０５ｎｍ,ＦＷＨＭ为１８．３ｎｍ,２０ｍＡ工作电流下,５．０８ｃｍ（２英寸）外延片管芯平均轴向发光强度为２０ｍｃｄ,最大３０ｍｃｄ,平均工作电压１．９Ｖ,透明峰值角度２θ１／２＝１５°时轴向发光强度达到１０００ｍｃｄ。     

快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ,在Ｎ２气氛下,经高温快速退火,然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ和４５０ｎｍ两个发光峰的叠加,本文对这两个峰的来源作了探讨,提出深Ｎ空位能级到Ｍｇ有关能级的跃迁机制的解释     

用XPS进行镉的表面化学态研究

用ＸＰＳ研究了多晶纯镉置于空气中形成的表面化学态。结果表明，Ｃｄ表面上除有大量吸附碳、氧外，还形成了ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２。Ｏ１ｓ谱的最佳曲线拟合表明有三个Ｏ１ｓ分量存在，其结合能分别为５３２．７ｅＶ，５２９．６ｅＶ，５３１．３ｅＶ。他们分别是吸附氧，ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２中Ｏ１ｓ的特征。本文推断Ｃｄ先与Ｏ２反应生成ＣｄＯ，再在水汽作用下形成Ｃｄ（ＯＨ）２，表面形成的ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２薄层阻挡     

大话务量测试平台—Abacus2

Ａｂａｃｕｓ２是思博伦通信公司 (ＳｐｉｒｅｎｔＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ)针对ＮＧＮ网络及话音交换的性能测试旗舰产品 ,它作为一个全新的测试平台 ,能够满足日益增长的对下一代网络进行容量、密度以及性能测试的要求。Ａｂａｃｕｓ２包括支持２个测试模块的便携式和支持１６个测试模块的机架式两种机箱 ,可以支持高达１０００００００ＢＨＣＡ的大话务量呼叫。目前提供的主要测试模块包括 :ＩＣＧ、ＴＣＧ、ＰＣＧ和ＶＲＧ。支持的协议包括 :ＣＡＳ、７号信令、中国７号信令、Ｖ５．１、Ｖ５．２、ＩＳＤＮＰＲＩ、ＳＩＰ、Ｈ．３…     

Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究

研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱,并与未掺杂样品相比较,发现掺杂样品的发光峰红移,其中单边势垒掺杂样品红移约４ｍｅＶ,双边势垒掺杂样品红移的量更多约１２ｍｅＶ．本文用杂质散射与空穴空间局域化来解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多．用有效质量方法计算３个样品的光致发光能量,并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象．     

静压下（CdSe）_m／（ZnSe）_n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究

在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数为５９．８ｍｅＶ／ＧＰａ．与（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率比与ＺｎＳｅ势垒层共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率低２．０ｃｍ－１，反映了（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中ＬＯ声子的限制效应     

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．     

用XPS对CdTe（111）面进行化学特性分析

用ＸＰＳ化学位移和定量分析方法，研究了露于室温空气中的ＣｄＴｅ（１１１）面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为ＴｅＯ２（Ｔｅ３ｄ５／２５７５．８ｅＶ，Ｏ１ｓ５３０．１ｅＶ）和Ｃｄ（ＯＨ）２（Ｃｄ３ｄ５／２４０５１ｅＶ．Ｏ１ｓ５３１．４ｅＶ）。并与基体里的ＣｄＴｅ共存；经２％Ｂｒ－乙醇溶液化学抛光，表面上形成的化合物为ＣｄＴｅＯ４（Ｃｄ３ｄ５／２４０５．３ｅＶ，Ｔｅ３ｄ５／２５７６５ｅＶ，Ｏ１ｓ５３１．２ｅＶ）和ＴｅＯｘ（ｘ＜１）（Ｔｅ３ｄ５／２５７４～５７５ｅＶ，Ｏ１ｓ５２８１ｅＶ），并且ＸＰＳ谱中没有基体里的ＣｄＴｅ的特征，其中ＴｅＯＸ为Ｔｅ氧化物的过渡态。结果表明，在相同氧化环境中，表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。     

2cm波段耿管电调振荡器

报道了采用部分集成方案研制的Ｋｕ波段变容管调谐耿管振荡器（ＶＣＯ）及两管功率合成器。研制的两只中心频率为１６和１７ＧＨＺ的电调振荡器，其中１６ＧＨＺ的电调带宽大于６４０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．６ｄＢ；而１７ＧＨｚ的电调带宽大于２３０ＭＨｚ，输出功率大于１１０ｍＷ，功率起伏小于０．９ｄＢ。两管功率合成器的振荡频率为１７．３ＧＨｚ，输出功率达２５０ｍＷ．     

金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系

本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．     

不同方法制备的C60材料的发光行为

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ溶胶－凝胶的方法出了掺杂Ｃ６０的Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２干凝胶和掺杂Ｃ６０的ＳｉＯ２ＰＤＭＳ（聚二甲基硅氧烷）的凝胶材料。测量了纯Ｃ６０粉的吸收光谱和掺杂Ｃ６０偻的凝胶材料在不同温度下的发射光谱。观测到了Ｃ６０／ＮＢＳ在３０Ｋ～２００Ｋ温度范围Ｃ６０的发光峰位于１．６９ｅＶ,发光峰随着温度的升高向低能边有一较小偏移,并且谱峰强度减弱。对实验数据进行了拟合。分析了发光与温度的关     

Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品中深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为ＥＣ－０．２２ｅＶ．并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失观测到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ．在Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格中,深中心Ｈ１的能级位置为ＥＶ＋０．４４ｅＶ,深中心Ｈ２的能级位置为ＥＶ＋０．２４ｅＶ     

GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究

运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱．研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息,为研究样品表面微观发光机理提供了一个有力的手段．对近场光谱中各发光峰的强度随注入电流（电压）变化曲线的研究结果揭示出ＧａＮ蓝光二极管的能带中的施主能级,在ＧａＮ蓝绿光二极管的发光中和受主深能级同样都起着重要的作用．     

C波段大栅宽GaAs MESFET的研制

采用高质量的ＭＢＥ材料,成功地制作了单胞栅宽２０ｍｍ的芯片。用栅与ｎ＾＋凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长０．４５μｍ的ＴｉＰｔＡｕ栅,欧姆接触采用ＡｕＧｅＮｉ合金工艺,采用ＰＥＣＶＤ ＳｉＮ钝化,空气桥结构及芯片减薄Ｖｉａ－Ｈｏｌｅ工艺。经内匹配得到了单胞芯片３．７￣４．２ＧＨｚ下Ｐ。≥７．３Ｗ,Ｇｐ≥８ｄＢ,ηａｄｄ〉２５％;４胞合成器件Ｐ。≥２５Ｗ,Ｇｐ〉７ｄＢ,ηａｄｄ〉２５％的良好结果。     

热转化温度对PPV的光致发光光谱的影响

在１４０－２７０℃下热转化２ｈ得到了ＰＰＶ，发现随着热转化温度的升高，ＰＰＶ的紫外－可见吸收峰和光致发光峰发生红移，发光强度降低，发光峰数由２个变为１个。通过与ＰＰＶ齐聚物的光致发光光谱的对比，提出５００－５３０ｎｍ峰是短共轭链段的一个光致发光峰的假设。