高线性度下变频SiGe混频器

MAX19996A是带有片内LO缓冲器的完全集成、2000～3900MHz下变频混频器。其提供完全集成的下变频通道，具有＋24．5dBm（典型值）ⅡP3、8．7dB（典型值）转换增益和9．8dB（典型值）噪声系数。     

一种高线性度低噪声下变频混频器

采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺,设计了一种高线性度、低噪声下变频混频器。通过分析跨导级电流3阶展开项系数,优化跨导级偏置电压,在跨导级与开关级之间增加谐振频率为射频信号频率的LC并联谐振电路,在提高电路线性度的同时优化了信噪比。后仿真结果表明,在射频频率为1.575 GHz,本振频率为1.571 GHz,中频频率为4 MHz时,本振功率为0 dBm,电压转换增益为19.22 dB,输入3阶交调点为21.93 dBm,单边带噪声系数为11.74 dB。混频器工作电压为1.8 V,功耗为3.66 mW,核心电路版图面积为0.207 5 mm²。     

高线性度的CMOS下变频混频器的设计

采用正交反馈的跨导级设计了一种基于数字电视调谐芯片中的高线性度的下变频混频器,该混频器在3.3V的工作电压下,采用改进的Gilbert单元,使用基于Chartered0.25μm标准CMOS工艺进行流片测试,结果表明该混频器IIP3可达到15dBm,增益达到9dB。     

高线性度双通道下变频混频器

LTC559x系列由4个高动态范围、双通道下变频混频器组成的,涵盖600MHZ～4．5GHz无线基础设施频率范围。LTC5559x双通道混频器系列具有超过26dBm的IIP3（输入3阶截取）、低于10dB的低噪声指数和8．5dB的高转换增益,从而可为MIMO（多输入、     

一种用于有线接收机的宽带高线性度的下变频混频器

分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1～1.8GHz,测得的1dB压缩点达到+14.23dBm,最大转换增益为8.31dB,最小噪声系数为19.4dB,在5V供电情况下,直流功耗为54mW.     

一种高线性的UWB接收机下变频混频器设计

该文介绍了一种UWB下变频混频器的设计思路和技术。在TSMC0.18μmCMOS工艺下,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种3~5GHz的CMOS混频器电路。仿真结果表明,工作电压3V时,RF频率为3.169GHz,本振频率为3.434GHz,中频频率为265MHz,转换增益为15.4dB,双边带噪声系数低于13.3dB,P1dB压缩点为-13dBm,工作电流为4.6mA。     

一种低噪声、高增益的直接下变频混频器

针对零中频接收机的应用,提出了一种低噪声、高增益的直接下变频混频器,并用0.25μmCMOS工艺实现。这种混频器结构采用电流复用注入技术,并且在开关管的共源端并联了一个谐振电感。电流复用注入提高了转换增益;谐振电感消除了共源端的寄生电容,抑制了射频信号的泄漏,减小了由间接开关机理产生的闪烁噪声。仿真得到这个混频器输出1/f噪声的拐点频率小于100kHz。在2.645GHz的射频输入下,测试得到的转换增益为15.5dB,输入三阶交调点为-3.8dBm,在中频1M处的单边带噪声系数为9.2dB。     

一种高线性度CMOS有源混频器的设计

设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm（5dB增益）,7dBm（8dB增益）。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。     

1.9 GHz高线性度上混频器设计

介绍了采用0.35μm CMOS工艺实现的单边带上变频混频电路。该混频电路可用于低中频直接混频的PCS1900(1 850~1 910 MHz)发射器系统中。电路采用了multi-tanh线性化技术,可以得到较高的线性度。在单电源+3.3 V下,上混频器电流约为6 mA。从上混频电路输出级测得IIP3约8 dBm,IP1dB压缩点约为0 dBm。     

一种900MHz CMOS低压高线性度混频器的设计

针对无线通讯设备面向高性能、低成本、低电压、低功耗和小体积的应用,对基本的CMOSGilbert混频器构架加以改进.改进后的混频器在3V下具有高线性度(IIP3=7.4dBm),隔离度较高,提供1 3dB的变频增益,而噪声也在12.5dB以下.     

A Wide-Band High-Linearity Down-Conversion Mixer for Cable Receptions

分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1～1.8GHz,测得的1dB压缩点达到 14.23dBm,最大转换增益为8.31dB,最小噪声系数为19.4dB,在5V供电情况下,直流功耗为54mW.     

多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用

研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响.分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式.给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式.基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路.流片采用UMC 0.18 μm RF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性.     

基于0.13微米锗硅BiCMOS工艺的80 Gb/s 2:1 复接器

本文介绍了基于0.13微米锗硅BiCMOS工艺设计的超高速2:1复接器芯片,工艺fT为103 GHz。为了最大限度提高工作速度,系统方案进行了优化,采用了选择器输出直接驱动片外50 Ω负载的形式,并在输入级集成了两个宽带数据放大器和一个时钟放大器。经测试,芯片输出眼图达到了80 Gb/s的速率,单端电压摆幅为160 mV。     

电流可线行调整的BiCMOS镜像恒流源电路

本文提议了两种新颖的电流可线行调整的BICMOS镜像恒流源电路，通过在控制环中引入一个直流电压源来调整镜像恒流源电路的电流增益。     

一种2.4G的低功耗BiCMOS预置数分频器

文章主要介绍了一个利用TSMC 0．25μm RF BiCMOS工艺实现的预置数分频器（Plmscaler）。其中，采用了特殊的D触发器和组合逻辑门结构，改进了预置数分频器结构。能够使分频器工作在低功耗、高速度之间有比较好的折衷。     

BiCMOS多功能闪光集成电路

本文介绍了一种用于装饰、灯光控制、广告制作等方面的多功能闪光集成电路,简述了电路的基本特点以及电路的结构,版图设计思想和工艺制作。电路使用3～5V电源,满负载输出电流可达15mA。     

全差分BiCMOS采样/保持电路仿真设计

在全差分折叠式共栅-共源运放的基础上,设计了一款BiCMOS采样/保持电路。该款电路采用输入自举开关来提高线性度,同时设计的高速、高精度运放,其建立时间tS只有1.37 ns,提升了电路的速度和精度。所设计的运放中的双通道共模反馈电路使共模电压稳定输出时间tW约达1.5 ns。采用SMIC公司的0.25μmBiCMOS工艺参数,在Cadence Spectre环境下进行了仿真实验,结果表明,当输入正弦电压频率fI为10 MHz、峰-峰值UP-P为1 V,且电源电压VDD为3 V、采样频率fS为250 MHz时,所设计的采样/保持电路的无杂散动态范围SFDR约为-61 dB,信噪比SNR约为62 dB,整个电路的功耗PD约为10.85 mW,适用于10位低压、高速A/D转换器的设计。     

基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器

基于BiCMOS技术，进行了高速数字/模拟转换器研究. 以并行输入类型，电流工作模式的16位D/A转换器为载体，进行了电路设计、工艺制作和测试. 在±5.0V工作电压下，测试得到转换速率≥30MSPS，建立时间为50ns，增益误差为±8% FSR，积分非线性误差为1/2 LSB，功耗为500mW.